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光電探測(cè)器
光電探測(cè)器 文章 進(jìn)入光電探測(cè)器技術(shù)社區(qū)
中國(guó)科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
- IT之家 12 月 12 日消息,據(jù)中國(guó)科大發(fā)布,第 68 屆 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM, 國(guó)際電子器件大會(huì)) 近期在美國(guó)舊金山召開(kāi)。IEEE IEDM 是年度微電子和納電子學(xué)術(shù)會(huì)議,是報(bào)告半導(dǎo)體和電子器件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理和建模等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破的世界頂級(jí)論壇,其與 ISSCC、VLSI 并稱為集成電路和半導(dǎo)體領(lǐng)域的“奧林匹克盛會(huì)”。中國(guó)科大國(guó)家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文(高功率氧
- 關(guān)鍵字: 氧化鎵 光電探測(cè)器 肖特基二極管
普渡大學(xué)開(kāi)發(fā)出石墨烯光電探測(cè)器新技術(shù) 實(shí)現(xiàn)非局部光電探測(cè)
- 普渡大學(xué)、密西根大學(xué)和賓夕法尼亞州立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)聲稱,已解決阻礙石墨烯高性能光學(xué)器件的發(fā)展問(wèn)題,石墨烯高性能光學(xué)器件可用于成像、顯示、傳感器和高速通信。題為“由碳化硅襯底與微米量級(jí)石墨烯結(jié)合制成的光電晶體管的位置依賴和毫米范圍光電探測(cè)”的論文發(fā)表在《自然納米技術(shù)》雜志。該項(xiàng)目受到美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金會(huì)和美國(guó)國(guó)土安全部的聯(lián)合資助,同時(shí),它也受到國(guó)防威脅降低局的資助。 極薄碳層具有獨(dú)特的光學(xué)和電子性質(zhì),石墨烯有希望制成高性能光電器件。然而,通常的石墨烯光電探測(cè)器僅有一小塊區(qū)域?qū)?/li>
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光電探測(cè)器原理
- 導(dǎo)讀:本文主要介紹的是光電探測(cè)器的原理,感興趣的盆友們快來(lái)學(xué)習(xí)一下吧~~~很漲姿勢(shì)的哦~~~ 1.光電探測(cè)器原理--簡(jiǎn)介 光電探測(cè)器是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。光電探測(cè)器在軍事和國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有廣泛用途。在可見(jiàn)光或近紅外波段主要用于射線測(cè)量和探測(cè)、工業(yè)自動(dòng)控制、光度計(jì)量等;在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外熱成像、紅外遙感等方面。 2.光電探測(cè)器原理 光電探測(cè)器,從其字面意思來(lái)看,相信大家都能猜到,這種探測(cè)器能夠?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。光電探測(cè)器的分類有好多種
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紅外測(cè)溫儀精確測(cè)量溫度的技巧與方法
- 了解更多關(guān)于紅外及紅外測(cè)溫儀產(chǎn)品知識(shí),以便更好的了解非接觸測(cè)量的原理及優(yōu)勢(shì)。一、紅外測(cè)溫儀工作原...
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四象限光電探測(cè)器的方案設(shè)計(jì)
- 一、原理四象限光電探測(cè)器實(shí)際由四個(gè)光電探測(cè)器構(gòu)成,每個(gè)探測(cè)器一個(gè)象限,目標(biāo)光信號(hào)經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)后在四象限光電探測(cè)器上成像,如圖1。一般將四象限光電探測(cè)器置于光學(xué)系統(tǒng)焦平面上或稍離開(kāi)焦平面。當(dāng)目標(biāo)成像不在光軸
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四象限光電探測(cè)器方案設(shè)計(jì)
- 一、原理
四象限光電探測(cè)器實(shí)際由四個(gè)光電探測(cè)器構(gòu)成,每個(gè)探測(cè)器一個(gè)象限,目標(biāo)光信號(hào)經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)后在四象限光電探測(cè)器上成像,如圖1。一般將四象限光電探測(cè)器置于光學(xué)系統(tǒng)焦平面上或稍離開(kāi)焦平面。當(dāng)目標(biāo)成像不在 - 關(guān)鍵字: 四象限 光電探測(cè)器 方案設(shè)計(jì)
SiliconPIN光電探測(cè)器
- SiliconPIN光電探測(cè)器
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SiliconAPD光電探測(cè)器
- SiliconAPD光電探測(cè)器
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四象限光電探測(cè)器的設(shè)計(jì)方案
- 一、原理
四象限光電探測(cè)器實(shí)際由四個(gè)光電探測(cè)器構(gòu)成,每個(gè)探測(cè)器一個(gè)象限,目標(biāo)光信號(hào)經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)后在四象限光電探測(cè)器上成像,如圖1。一般將四象限光電探測(cè)器置于光學(xué)系統(tǒng)焦平面上或稍離開(kāi)焦平面。當(dāng)目標(biāo)成像不在 - 關(guān)鍵字: 四象限 光電探測(cè)器 設(shè)計(jì)方案
一種新型諧振腔增強(qiáng)型光電探測(cè)器的性能分析
- 摘要:通過(guò)理論探討和實(shí)驗(yàn)仿真,分析了一種新型諧振腔增強(qiáng)型光電探測(cè)器RCEP(Resonant Cavity Enhanced Photodetector)的結(jié)構(gòu)及性能,該RCEP的基本結(jié)構(gòu)是將吸收層插入到諧振腔當(dāng)中,并指出這種新型器件較傳統(tǒng)器件可獲
- 關(guān)鍵字: 諧振腔 光電探測(cè)器 增強(qiáng)型 性能分析
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光電探測(cè)器介紹
光電探測(cè)器是指把光輻射轉(zhuǎn)換成電量(I或V)的器件。利用將光輻射信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)以進(jìn)行顯示或控制的功能,光探測(cè)器不僅可以代替人眼,而且由于其光譜響應(yīng)范圍寬,更是人眼的延伸。 光電探測(cè)器件的應(yīng)用選擇,實(shí)際上是應(yīng)用時(shí)的一些事項(xiàng)或要點(diǎn)。在很多要求不太嚴(yán)格的應(yīng)用中,可采用任何一種光電探測(cè)器件。不過(guò)在某些情況下,選用某種器件會(huì)更合適些。例如,當(dāng)需要比較大的光敏面積時(shí),可選用真空光電管,因其光譜響應(yīng)范圍比 [ 查看詳細(xì) ]
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