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臺(tái)積電RRAM技術(shù)引入英飛凌汽車MCU
- 11月25日,英飛凌和臺(tái)積電宣布,兩家公司正準(zhǔn)備將臺(tái)積電的電阻式RAM(RRAM)非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)引入英飛凌的下一代AURIX?微控制器(MCU),并將在臺(tái)積電的28納米節(jié)點(diǎn)上制造。自第一個(gè)發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)問世以來,嵌入式閃存微控制器一直是汽車電子控制單元(ECU)的主要構(gòu)建塊。目前,市場(chǎng)上大多數(shù)MCU系列都基于嵌入式閃存技術(shù)(eFlash)技術(shù)。而RRAM是嵌入式存儲(chǔ)器的下一步,可以進(jìn)一步擴(kuò)展到28納米及以上。英飛凌AURIX TC4x MCU系列將性能擴(kuò)展與虛擬化、安全和網(wǎng)絡(luò)功能的最新趨勢(shì)相
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