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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 共源共柵

          東芝級(jí)聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應(yīng)用的痛點(diǎn)

          • 和傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比,GaN(氮化鎵)和 SiC(碳化硅)有著更高的電壓能力、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導(dǎo)通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導(dǎo)體材料。但他們也存在著各自不同的特性,簡單來說,GaN 的開關(guān)速度比 SiC 快,SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數(shù)極小,開關(guān)速度極高,比較適合高頻應(yīng)用,例如:電動(dòng)汽車的 DC-DC(直流 - 直流)轉(zhuǎn)換電路、OBC(車載充電)、低功率開關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達(dá)、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
          • 關(guān)鍵字: 202207  東芝    共源共柵  GaN  

          一種高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源電路設(shè)計(jì)

          • 摘要:針對(duì)傳統(tǒng)CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源電路電源電壓較高,基準(zhǔn)電壓輸出范圍有限等問題,通過增加啟動(dòng)電路,并采用共源共柵結(jié)構(gòu)的PTAT電流產(chǎn)生電路,設(shè)計(jì)了一種高精度、低溫漂、與電源無關(guān)的具有穩(wěn)定電壓輸出特性的帶隙電
          • 關(guān)鍵字: 帶隙基準(zhǔn)電壓源  溫度系數(shù)  共源共柵  CMOS  

          折疊共源共柵運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

          • 隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展,高性能運(yùn)算放大器廣泛應(yīng)用于高速模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)、數(shù)/模轉(zhuǎn)換器(DAC)、開關(guān)電容濾波 ...
          • 關(guān)鍵字: 折疊  共源共柵  運(yùn)算放大器  

          增益增強(qiáng)共源共柵放大器的設(shè)計(jì)

          • 本文設(shè)計(jì)了一種采用增益增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵跨導(dǎo)運(yùn)算放大器,可用于流水線結(jié)構(gòu)的A/ ...
          • 關(guān)鍵字: 增益增強(qiáng)  共源共柵  放大器  

          一款高性能共源共柵運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

          • 摘要:基于CSMC0.5mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝,采用復(fù)用型折疊式共源共柵結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)一種折疊式共源共柵運(yùn)算放大器。該電路在5V電源電壓下驅(qū)動(dòng)5pF負(fù)載電容,采用Cadence公司的模擬仿真工具Spectre對(duì)電路進(jìn)行仿真。結(jié)果表明,
          • 關(guān)鍵字: 性能  共源共柵  放大器設(shè)計(jì)  運(yùn)算    

          提高共源共柵CMOS功率放大器效率的方案

          • 摘要:利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計(jì)方案,使用CMOS工藝設(shè)計(jì)了兩級(jí)全差分放大電路,在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
          • 關(guān)鍵字: CMOS  共源共柵  功率放大器  方案    
          共6條 1/1 1

          共源共柵介紹

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