共源共柵 文章 進入共源共柵技術(shù)社區(qū)
東芝級聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應(yīng)用的痛點
- 和傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導(dǎo)通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導(dǎo)體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡單來說，GaN 的開關(guān)速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數(shù)極小，開關(guān)速度極高，比較適合高頻應(yīng)用，例如：電動汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉(zhuǎn)換電路、OBC（車載充電）、低功率開關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
- 關(guān)鍵字： 202207 東芝 共源共柵 GaN
一種高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源電路設(shè)計
- 摘要：針對傳統(tǒng)CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源電路電源電壓較高，基準(zhǔn)電壓輸出范圍有限等問題，通過增加啟動電路，并采用共源共柵結(jié)構(gòu)的PTAT電流產(chǎn)生電路，設(shè)計了一種高精度、低溫漂、與電源無關(guān)的具有穩(wěn)定電壓輸出特性的帶隙電
- 關(guān)鍵字： 帶隙基準(zhǔn)電壓源 溫度系數(shù) 共源共柵 CMOS
一款高性能共源共柵運算放大器設(shè)計
- 摘要：基于CSMC0．5mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，采用復(fù)用型折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，設(shè)計一種折疊式共源共柵運算放大器。該電路在5V電源電壓下驅(qū)動5pF負(fù)載電容，采用Cadence公司的模擬仿真工具Spectre對電路進行仿真。結(jié)果表明，
- 關(guān)鍵字： 性能 共源共柵 放大器設(shè)計 運算
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共源共柵介紹
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