EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
關(guān)斷損耗
關(guān)斷損耗 文章 進(jìn)入關(guān)斷損耗技術(shù)社區(qū)
550V無(wú)電壓折回逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管器件設(shè)計(jì)
- 逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管（RC-LIGBT）由于高電流密度、小封裝成本等優(yōu)點(diǎn)，成為了功率器件領(lǐng)域內(nèi)主流器件之一，然而其會(huì)受到電壓折回現(xiàn)象的不利影響。本文提出了一種基于絕緣體上硅技術(shù)的RCLIGBT器件，將續(xù)流二極管集成在位于埋氧層下的襯底，利用埋氧層的隔離特性實(shí)現(xiàn)了IGBT與續(xù)流二極管之間的電學(xué)隔離，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了完全消除電壓折回現(xiàn)象。
- 關(guān)鍵字： 逆導(dǎo)型橫向絕緣柵雙極晶體管 電壓折回現(xiàn)象 絕緣體上硅 導(dǎo)通壓降 關(guān)斷損耗 202009
功率MOSFET關(guān)斷損耗計(jì)算攻略
- 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計(jì)算方式，供大家參考。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 關(guān)斷損耗
| 共2條 1/1 1 |
關(guān)斷損耗介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條關(guān)斷損耗!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)關(guān)斷損耗的理解，并與今后在此搜索關(guān)斷損耗的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)關(guān)斷損耗的理解，并與今后在此搜索關(guān)斷損耗的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473