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InnerWireless宣布其將在實(shí)時(shí)定位系統(tǒng)中采用TI MSP430 MCU的無線芯片組

　　日前，InnerWireless 公司宣布其將在實(shí)時(shí)定位系統(tǒng) (RTLS) 中采用基于德州儀器 (TI) MSP430 MCU 的無線芯片組，從而突現(xiàn)了超低功耗控制與 RF 技術(shù)在資產(chǎn)管理中的高效性。InnerWireless Vision Platform 建立在 802.15.4 RF 傳輸與 ZigbeeTM 協(xié)議的基礎(chǔ)之上，可廣泛應(yīng)用于各種建筑物的網(wǎng)絡(luò)建設(shè)中，其中包括醫(yī)院、旅館、工廠及其它目標(biāo)行業(yè)，實(shí)現(xiàn)了 RTLS 的低成本與易用性的完美結(jié)合。該系統(tǒng)使醫(yī)療機(jī)構(gòu)(如醫(yī)院)能夠立即識(shí)別設(shè)備所在房間
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2007國內(nèi)閃存盤年底盤點(diǎn):功能趨向多元化

　　隨著日歷一天天的翻動(dòng)，轉(zhuǎn)眼2007年即將成為過去。在這一年里，國內(nèi)閃存盤市場繼續(xù)保持著強(qiáng)勁的挺進(jìn)力，無論是市場規(guī)模還是應(yīng)用領(lǐng)域，都在一步步的擴(kuò)大;無論是產(chǎn)品品質(zhì)還是品牌效應(yīng)，都在一點(diǎn)點(diǎn)的提升。　　而仔細(xì)盤點(diǎn)，其中又以四大關(guān)鍵詞最為耀眼。　　降價(jià)：延續(xù)價(jià)格走低曲線　　閃存盤面世八年里，價(jià)格持續(xù)保持著一條走低的曲線，這不僅是產(chǎn)品逐漸成熟的反映，也是產(chǎn)品全面普及的需求。而在2007年，“降價(jià)”這一信息似乎更加顯得熱鬧一些。　　2007年春節(jié)剛過，朗科公司便以迅雷不及掩耳之勢發(fā)動(dòng)了一場名為“春
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CPU和GPU二合一處理器上演爭奪戰(zhàn)

　　2007年11月，英特爾低調(diào)收購了舊金山一家名為Neoptica的公司。從英特爾的收購歷史來看，這筆收購并不起眼。很少有人知道Neoptica是一家專門從事圖形處理器和通用處理器融合的二合一處理器研發(fā)的技術(shù)公司，在收購?fù)瓿傻耐瑫r(shí)，英特爾也發(fā)布了未來兩年內(nèi)的產(chǎn)品研發(fā)規(guī)劃，二合一處理器計(jì)劃赫然在類。　　種種跡象表明，英特爾、NVIDIA為代表的業(yè)界大廠正在掀起一場將CPU與GPU融合的二合一處理器爭奪戰(zhàn)。在已經(jīng)習(xí)慣了把顯卡作為電腦重要配件之一的時(shí)下，你是否已經(jīng)意識(shí)到CPU和GPU相互融合的二合一處理器
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閃存成本下滑固態(tài)硬盤價(jià)格將下降筆記本很有優(yōu)勢

　　固態(tài)硬盤明年仍然少見且價(jià)格昂貴，但隨著其量產(chǎn)，閃存成本的下滑，固態(tài)硬盤價(jià)格從2009年，2010年開始將開始下降。　　DRAM與閃存產(chǎn)品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤發(fā)展計(jì)劃。這種硬盤功能與常規(guī)硬盤無異，但與一般硬盤將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在磁碟上不同，固態(tài)硬盤將數(shù)據(jù)保存在NAND內(nèi)存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一樣。　　Micron將從明年第一季度開始大規(guī)模生產(chǎn)固態(tài)硬盤。第一批產(chǎn)品為32GB或64GB型號(hào)。雖然容量是現(xiàn)在筆記本電腦硬盤平均容量的一半，但Micron內(nèi)存
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微機(jī)保護(hù)控制接口裝置的CPLD抗干擾設(shè)計(jì)

　　引言　　微機(jī)保護(hù)裝置是指微機(jī)系統(tǒng)構(gòu)成的數(shù)字式繼電保護(hù)裝置。在我國煤礦井下高壓(6kV)供電系統(tǒng)中，絕大多數(shù)屬于變壓器中性點(diǎn)絕緣運(yùn)行方式(三相三線制)，通過動(dòng)力電纜送電。煤礦井下環(huán)境惡劣，空間狹窄，動(dòng)力電纜長期處在潮濕、淋水、腐蝕的環(huán)境中，散熱條件差，絕緣性能易下降，經(jīng)常發(fā)生單相漏電或單相接地故障。這種故障引起正常相電壓升高，若不及時(shí)斷電，會(huì)造成多相短路，迫使供電中斷，并使電力故障進(jìn)一步擴(kuò)大。高壓防爆開關(guān)微機(jī)保護(hù)裝置是安裝在高壓防爆開關(guān)中，對(duì)井下電纜和用電設(shè)備的單相漏電或單相接地、短路、過流、絕緣
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單片機(jī)在波特率變換器中的應(yīng)用

在一些復(fù)雜的系統(tǒng)中，系統(tǒng)與分系統(tǒng)、分系統(tǒng)與設(shè)備等之間存在數(shù)據(jù)的傳遞問題，往往采用通信的方式來解決。由于分系統(tǒng)、沒備等通信波特率的不同，特別是一些特殊波特率設(shè)備的存在，使得系統(tǒng)中設(shè)備間的相互通信不易實(shí)現(xiàn)。例如，在一個(gè)系統(tǒng)中，上位機(jī)接收某一設(shè)備的數(shù)據(jù)，如圖1所示，設(shè)備l和設(shè)備2采用的是172．8 kbps的波特率，而上位機(jī)用VB編程，其通信波特率為115．2 kbps、128 kbps或256 kbps，等，這樣設(shè)備之間就不能相互通信，給設(shè)計(jì)帶來困難。為了解決上述問題，采
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射頻電路板抗干擾設(shè)計(jì)

　　摘要:為保證電路性能,在進(jìn)行射頻電路印制電路板( PCB)設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮電磁兼容性,這對(duì)于減小系統(tǒng)電磁信息輻射具有重要的意義。文中重點(diǎn)討論按元器件的布局與布線原則來最大限度地實(shí)現(xiàn)電路的性能指標(biāo),達(dá)到抗干擾的設(shè)計(jì)目的。通過幾個(gè)實(shí)驗(yàn)測試事例,分析了影響印制板抗干擾性能的幾個(gè)不同因素,說明了印制板制作過程中應(yīng)采取的實(shí)際的解決辦法。　　引言　　隨著通信技術(shù)的發(fā)展,無線射頻電路技術(shù)運(yùn)用越來越廣,其中的射頻電路的性能指標(biāo)直接影響整個(gè)產(chǎn)品的質(zhì)量,射頻電路印制電路板( PCB)的抗干擾設(shè)計(jì)對(duì)于減小系統(tǒng)電磁信息輻
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嵌入式軟件的能耗優(yōu)化

　　技術(shù)動(dòng)力：　　開發(fā)由電池供電的設(shè)備，尤其是對(duì)設(shè)備的待機(jī)或操作時(shí)間要求比較嚴(yán)格的系統(tǒng)，例如移動(dòng)電話，降低系統(tǒng)整體的能耗變得越來越重要。因此采取全面的措施來降低電池能量的消耗是設(shè)計(jì)電池供電設(shè)備的重要部分。　　典型的節(jié)能措施包括：　　1 選擇有節(jié)能屬性的元件　　2 提高系統(tǒng)集成度　　3 調(diào)整CPU主頻　　4 調(diào)整電源供給　　5 選擇帶節(jié)能屬性的、高速緩沖存儲(chǔ)器和片上內(nèi)存的微控制器　　然而，只有通過軟件全程的控制各個(gè)消耗電池能量的組件，充分的發(fā)揮其硬件的節(jié)能屬性，才能達(dá)到最佳
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C8051F12X中多bank的分區(qū)跳轉(zhuǎn)處理

　　在8051核單片機(jī)龐大的家族中，C8051F系列作為其中的后起之秀，是目前功能最全、速度最快的8051衍生單片機(jī)之一，正得到越來越廣泛的應(yīng)用。它集成了嵌入式系統(tǒng)的許多先進(jìn)技術(shù)，有豐富的模擬和數(shù)字資源.是一個(gè)完全意義上的SoC產(chǎn)品。　　C805IFl2X作為該系列中的高端部分，具有最快100MIPS的峰值速度，集成了最多的片上資源。其128 KB的片上Flash和8 KB的片上RAM足以滿足絕大多數(shù)應(yīng)用的需求。使用C8051F12X，只需外加為數(shù)不多的驅(qū)動(dòng)和接口，就可構(gòu)成較大型的完整系統(tǒng)。只是其中1
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多處理器系統(tǒng)中Nios II軟核處理器啟動(dòng)方案的設(shè)計(jì)

　　摘要：首先分析研究nios ii軟核處理器系統(tǒng)的啟動(dòng)過程，然后在多處理器系統(tǒng)中設(shè)計(jì)一nios ii 的啟動(dòng)方案，此方案通過外部cpu控制nios ii處理器系統(tǒng)的啟動(dòng)。　　關(guān)鍵詞：nios ii;系統(tǒng)啟動(dòng);多處理器系統(tǒng);sopc 　　引言　　nios ii 處理器是altera公司設(shè)計(jì)的一款基于fpga的32位risc嵌入式軟核處理器，具有32位指令集、數(shù)據(jù)通路及地址空間，是其可編程系統(tǒng)芯片(sopc)的核心。nios ii系統(tǒng)采用altera公司設(shè)計(jì)的一套avalon總線交換結(jié)構(gòu)，aval
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采用FPGA的低功耗系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　結(jié)合采用低功耗元件和低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)在目前比以往任何時(shí)候都更有價(jià)值。隨著元件集成更多功能，并越來越小型化，對(duì)低功耗的要求持續(xù)增長。當(dāng)把可編程邏輯器件用于低功耗應(yīng)用時(shí)，限制設(shè)計(jì)的低功耗非常重要。本文將討論減小動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗的各種方法，并且給出一些例子說明如何使功耗最小化。　　功耗的三個(gè)主要來源是啟動(dòng)、待機(jī)和動(dòng)態(tài)功耗。器件上電時(shí)產(chǎn)生的相關(guān)電流即是啟動(dòng)電流;待機(jī)功耗又稱作靜態(tài)功耗，是電源開啟但I(xiàn)/O上沒有開關(guān)活動(dòng)時(shí)器件的功耗;動(dòng)態(tài)功耗是指器件正常工作時(shí)的功耗。　　啟動(dòng)電流因器件而異。例如，基于SRAM
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Cadence推出面向最新的Cadence® Virtuoso®平臺(tái)版本的晶圓廠設(shè)計(jì)工具包

　　Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司與半導(dǎo)體晶圓廠UMC公司宣布推出面向最新的Cadence® Virtuoso®定制設(shè)計(jì)平臺(tái)(IC6.1)版本的UMC 65納米晶圓廠設(shè)計(jì)工具包(FDKs)。這一工具包將為設(shè)計(jì)師提供邏輯/模擬模式65納米標(biāo)準(zhǔn)性能(SP)和邏輯/模擬模式65納米低漏電(LL)工藝。Cadence Virtuoso技術(shù)有助于加速、混合信號(hào)和RF器件的精確芯片設(shè)計(jì)。　　“這種65納米R(shí)F設(shè)計(jì)工具包的推出將會(huì)幫助我們的客戶更快地意識(shí)到我們的經(jīng)過產(chǎn)品驗(yàn)證的65納米SP 和RF LL技
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NEC電子開發(fā)出40納米DRAM混載系統(tǒng)LSI 混載工藝技術(shù)

　　NEC電子近日完成了兩種線寬40納米的DRAM混載系統(tǒng)LSI工藝技術(shù)的開發(fā)，使用該工藝可以生產(chǎn)最大可集成256MbitDRAM的系統(tǒng)LSI。40nm工藝技術(shù)比新一代45nm半導(dǎo)體配線工藝更加微細(xì)，被稱為45nm的下一代產(chǎn)品。此次，NEC電子推出的工藝中，一種為低工作功耗的“UX8GD”工藝，它可使邏輯部分的處理速度最快達(dá)到800MHz，同時(shí)保持低功耗;另一種為低漏電流的“UX8LD”工藝，它的功耗約為內(nèi)嵌同等容量SRAM的1/3左右。　　UX8GD和 UX8LD 是在線寬從55nm縮小至40nm的
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The MathWorks 集成工具將 Simulink模型分配到多個(gè)處理器

　　The MathWorks 宣布推出新版本的 SystemTest，一個(gè)用于系統(tǒng)驗(yàn)證和檢驗(yàn)的測試管理和分析軟件。　　工程師現(xiàn)在無需手工編碼即可自動(dòng)將 Simulink® 模型的獨(dú)立測試或仿真運(yùn)行分配到多個(gè)處理器，因?yàn)?SystemTest 2 可以無縫地配合Distributed Computing Toolbox (分布式計(jì)算工具箱, The MathWorks的另一款產(chǎn)品)進(jìn)行工作。SystemTest 2 的功能增強(qiáng)極大地減少了測試所需的時(shí)間，從而可以更快地生產(chǎn)出高質(zhì)量的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
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