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KLA-TENCOR推出面向光刻設(shè)計(jì)檢測(cè)方案
- KLA-Tencor正式發(fā)布了業(yè)界第一套用于 post-RET(分辨率增強(qiáng)技術(shù))掩膜版設(shè)計(jì)版面 (reticle design layout)檢測(cè)的完整芯片光刻制程工藝窗口(lithography process window)(允許誤差空間)檢測(cè)系統(tǒng)。DesignScan 能使芯片生產(chǎn)商減少掩膜版的設(shè)計(jì)修正次數(shù),獲得高成品率的設(shè)計(jì),以實(shí)現(xiàn)更好的參數(shù)化設(shè)計(jì)性能和快速的上市時(shí)間
- 關(guān)鍵字: KLA-TENCOR 方案 光刻設(shè)計(jì) 檢測(cè) 其他IC 制程
八吋晶圓廠“登陸”年底可望解禁
- 近日電臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)”何美玥表示,兩岸議題在二次“經(jīng)發(fā)會(huì)”是一定要談的,而一些已有共識(shí)、且較無(wú)爭(zhēng)議的兩岸經(jīng)貿(mào)開(kāi)放,應(yīng)會(huì)在年底前先做,“不會(huì)等太久”。外界預(yù)期,年底前應(yīng)會(huì)通過(guò)力晶、茂德兩座八吋晶圓廠“登陸”申請(qǐng)案。 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,對(duì)于中芯國(guó)際總裁張汝京接受媒體訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示“臺(tái)灣再不開(kāi)放,半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)將漸失”時(shí),何美玥表示,是否開(kāi)放高科技產(chǎn)業(yè)赴大陸投資,將是二次“經(jīng)發(fā)會(huì)”重要議題。 報(bào)道說(shuō),何美玥指望年底前開(kāi)放的應(yīng)是通過(guò)力晶、茂德八吋晶圓廠“登陸”申請(qǐng)案。其次是,為維持島內(nèi)業(yè)者競(jìng)爭(zhēng)力,進(jìn)一步
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安捷倫科技半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部正式獨(dú)立
- 全球最大的非上市獨(dú)立半導(dǎo)體公司Avago Technologies開(kāi)始運(yùn)作 2005年12月2日,中國(guó)北京 – Avago Technologies(安華高科技)今天宣布完成相關(guān)程序,成立全球最大的非上市獨(dú)立半導(dǎo)體公司。Avago Technologies的前身是 Kohlberg Kravis Roberts & Co.(KKR)和Silver Lake Partners于2005年8月15日宣布以$26.6億美元并購(gòu)的安捷倫科技(NYSE: A)半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部,并購(gòu)于2005年12月1
- 關(guān)鍵字: 安捷倫 其他IC 制程
多相同步DC-DCPWM控制器LTC1629
- 1引言 Linear公司生產(chǎn)的PWM控制器LTC1629是專(zhuān)門(mén)為低壓大電流的DC DC變換電路設(shè)計(jì)的,其主要特點(diǎn)有: 通過(guò)使用PolyPhaseTM技術(shù)可以有效減少輸入和輸出電容器的數(shù)量,提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度,減少系統(tǒng)的體積和造價(jià); 每1個(gè)單獨(dú)的芯片可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩路BUCK變換器,它們?cè)谙辔簧舷嗖?80
- 關(guān)鍵字: 多相同步DC-DCPWM控制器 LTC1629 其他IC 制程 工業(yè)控制
光盤(pán)系統(tǒng)用半導(dǎo)體激光器
- 摘 要:半導(dǎo)體激光器(LD)作為讀取光盤(pán)信息的光源,是CD、DVD播放機(jī)/ROM等光盤(pán)系統(tǒng)的重要器件,它的性能往往決定系統(tǒng)的整體性能。文中敘述了光盤(pán)用LD的發(fā)展歷程及特點(diǎn),并著重介紹了近紅外、紅光、紫光LD及雙波長(zhǎng)LD的開(kāi)發(fā)現(xiàn)狀。 關(guān)鍵詞:LD; CD; DVD; 光盤(pán)系統(tǒng) 分類(lèi)號(hào):TN365 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí):B 文章編號(hào):1006-6977(2000)11-0003-04 1 光盤(pán)系統(tǒng)用LD的發(fā)展歷程
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 其他IC 制程 消費(fèi)電子
臺(tái)積電將投7億美元提升晶圓產(chǎn)能
- 臺(tái)積電董事長(zhǎng)近日批準(zhǔn)了一項(xiàng)計(jì)劃,即該公司將投入7.065億美元來(lái)提高其工廠的產(chǎn)能。這筆投入將用于擴(kuò)展該公司12英寸晶圓工廠的65納米技術(shù)產(chǎn)能,擴(kuò)展其8英寸工廠的0.18微米和0.15微米技術(shù)產(chǎn)能。 這一消息是這家按銷(xiāo)售額來(lái)說(shuō)為全球最大的芯片代工制造商在一份聲明中所稱(chēng)。該公司在臺(tái)灣有兩個(gè)12英寸芯片工廠和五個(gè)8英寸晶圓工廠。臺(tái)積電董事會(huì)還批準(zhǔn)了一項(xiàng)最高可投入7500萬(wàn)美元資金來(lái)建立一個(gè)風(fēng)險(xiǎn)資本基金,并且將委托VentureTech Alliance&nbs
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 其他IC 制程
彩屏手機(jī)背光驅(qū)動(dòng)電路的選擇策略
- 近幾年來(lái),彩色LCD顯示屏在手機(jī)中使用量越來(lái)越大,白光LED為這種應(yīng)用提供了完美的背光解決方案。由于白光LED的導(dǎo)通壓降一般為3.5V(20mA),最大值可以到達(dá)4V,而單節(jié)鋰離子電池的一般輸出電壓為3.6V~4.2V,因此,一般不能直接用單節(jié)鋰離子電池來(lái)驅(qū)動(dòng)白光LED,通常需要用專(zhuān)門(mén)的LED驅(qū)動(dòng)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。 1 驅(qū)動(dòng)電路介紹 目前,一般的LED驅(qū)動(dòng)電路可以分成二種,一種是串聯(lián)驅(qū)動(dòng),采用電感型DC-DC升壓轉(zhuǎn)換原理,所有的LED是串聯(lián)連接的形式;另一種是并聯(lián)驅(qū)動(dòng),采用電容型的電荷泵倍壓原理
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 其他IC 制程
吉時(shí)利第三代晶圓射頻測(cè)量功能產(chǎn)品
- 吉時(shí)利儀器公司(Keithley)發(fā)布了用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的第三代晶圓射頻 (RF) 測(cè)量能力的產(chǎn)品。該射頻參數(shù)測(cè)量系統(tǒng)的RF選件解決方案(選配件),能提供連續(xù)、自動(dòng)、實(shí)時(shí)的測(cè)試和質(zhì)量監(jiān)控,操作方便,可獲得最高通過(guò)率的信息吞吐量,測(cè)量質(zhì)量高,且成本較低。 此外,該射頻參數(shù)測(cè)量系統(tǒng)在全球范圍內(nèi),是目前唯一獲得驗(yàn)證的半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)量系統(tǒng),適合200mm和300mm晶圓廠進(jìn)行應(yīng)用參數(shù)工藝控制,以及高性能邏輯電路生產(chǎn)和高性能模擬集成電路生產(chǎn)。 吉時(shí)利公司的RF選件包括S680型SimulT
- 關(guān)鍵字: 吉時(shí)利 其他IC 制程
提高射頻電路集成度應(yīng)對(duì)多模手機(jī)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
- 為滿(mǎn)足下一代蜂窩電話(huà)設(shè)計(jì)對(duì)更多特性、多模式及工作頻率的需求,工程師們必須尋找提高射頻前端集成度的途徑。通過(guò)采用CMOS 工藝的最新集成方案,他們找到了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)的答案。 消費(fèi)者對(duì)更小、更便宜手機(jī)和手持式設(shè)備中實(shí)現(xiàn)更多功能以及高速無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)與多重?zé)o線(xiàn)電技術(shù)(多模式)需求,正推動(dòng)移動(dòng)電話(huà)市場(chǎng)的增長(zhǎng)。在2.5G 網(wǎng)絡(luò)(GPRS 及CDMA 1xRTT) 與3G 網(wǎng)絡(luò)(UMTS/W-CDMA 及cdma2000)的進(jìn)展使高速無(wú)線(xiàn)數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)成為可能的同時(shí),通過(guò)采用適當(dāng)?shù)墓韫に囈约凹缮漕l收發(fā)器等關(guān)鍵構(gòu)建
- 關(guān)鍵字: RF專(zhuān)題 消費(fèi)電子 其他IC 制程 消費(fèi)電子
新型彩電遙控接收芯片BL50436的原理及應(yīng)用
- 摘 要:BL50436是貝嶺微電子公司推出的新型彩電遙控接收芯片。由于片內(nèi)含有4位單片機(jī)和采用硅柵CMOS工藝技術(shù),所以具有功耗低、控制功能強(qiáng)和自動(dòng)化程度高的特點(diǎn)。文中主要介紹該芯片的特點(diǎn)、原理和應(yīng)用電路。 關(guān)鍵詞:遙控; 單片機(jī);紅外線(xiàn);接收器;BL50436 分類(lèi)號(hào):TP806 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí):B 文章編號(hào):1006-6977(1999)12-0012-04 1. 概述 BL5043
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 其他IC 制程 消費(fèi)電子
用iPOWIRTM系列產(chǎn)品簡(jiǎn)化DC-DC 硬件設(shè)計(jì)
- 介紹 電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)者正面臨著越來(lái)越嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),一方面是提高電源性能來(lái)滿(mǎn)足更大負(fù)載的要求,另一方面是在日益緊湊的空間內(nèi)為其它設(shè)備留出更多寶貴的空間以便增加系統(tǒng)功能,系統(tǒng)工程師也需要一種快捷、簡(jiǎn)單而且不需要太多電源設(shè)計(jì)工程師或資源的方案。此外,人們也期望有一種設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)潔明了能滿(mǎn)足各種特定應(yīng)用需要的電源解決方案。 IR公司的iPOWIRTM Technology系列產(chǎn)品可以大大簡(jiǎn)化高密度、高效、緊湊的點(diǎn)式負(fù)載電源的設(shè)計(jì),而且可以大大縮短設(shè)計(jì)和上市時(shí)間。iPOWIR Technology系列產(chǎn)品
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“單正向”柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路
- 目前,為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流,設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性,也很難使用高壓集成電路(HVIC)柵驅(qū)動(dòng)器,因?yàn)檫@些IC是專(zhuān)為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此,研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動(dòng)器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測(cè)試,在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測(cè)試結(jié)果。 為了理解dV/dt感生開(kāi)通現(xiàn)象,我們必須考慮跟
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DEK晶圓推出凸起和焊球置放方案
- 高精度批量擠壓印刷解決方案供應(yīng)商DEK公司宣布,針對(duì)目前要求最嚴(yán)格的封裝應(yīng)用,開(kāi)發(fā)突破性的晶圓凸起和焊球置放解決方案。通過(guò)使用高效的絲網(wǎng)印刷技術(shù)和封閉式印制頭材料擠印等使能技術(shù),DEK現(xiàn)成功實(shí)施了具成本效益及高良率的晶圓凸起和焊球置放工藝技術(shù),足以取代傳統(tǒng)的方法。 DEK總裁Rich Heimsch稱(chēng):“用戶(hù)正在不同層面上尋求更低成本的方案。制造商希望減低初始設(shè)備投資、長(zhǎng)期擁有成本和工具成本。為了滿(mǎn)足這些需求,D
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用iPOWIRTM系列產(chǎn)品簡(jiǎn)化DC-DC 硬件設(shè)計(jì)
- 介紹 電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)者正面臨著越來(lái)越嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),一方面是提高電源性能來(lái)滿(mǎn)足更大負(fù)載的要求,另一方面是在日益緊湊的空間內(nèi)為其它設(shè)備留出更多寶貴的空間以便增加系統(tǒng)功能,系統(tǒng)工程師也需要一種快捷、簡(jiǎn)單而且不需要太多電源設(shè)計(jì)工程師或資源的方案。此外,人們也期望有一種設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)潔明了能滿(mǎn)足各種特定應(yīng)用需要的電源解決方案。 IR公司的iPOWIRTM Technology系列產(chǎn)品可以大大簡(jiǎn)化高密度、高效、緊湊的點(diǎn)式負(fù)載電源的設(shè)計(jì),而且可以大大縮短設(shè)計(jì)和上市時(shí)間。iPOWIR Technology系列產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字: DC-DC 其他IC 制程
PWM 應(yīng)用中的低電壓反饋
- PWM 應(yīng)用中的低電壓反饋 作者:德州儀器 (TI) 電源控制產(chǎn)品部 Steve Mappus 就低電壓高電流電源應(yīng)用而言,開(kāi)關(guān)式電源門(mén)極驅(qū)動(dòng)要求特別重要。由于幾個(gè) MOSFET 器件通常并聯(lián)以滿(mǎn)足特定設(shè)計(jì)的高電流規(guī)范要求,因此單一集成電路控制器與驅(qū)動(dòng)器解決方案的方便性就不再是可行的選擇。MOSFET 并聯(lián)可降低漏極到源極的導(dǎo)通電阻,并減少傳導(dǎo)損耗。但是,隨著并聯(lián)器件的增多,門(mén)極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內(nèi)部阻抗大大低于驅(qū)動(dòng)級(jí),因此與驅(qū)動(dòng)并聯(lián)組合相關(guān)的大多數(shù)功率損耗其形式都表現(xiàn)為
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