內(nèi)存 文章 進(jìn)入內(nèi)存技術(shù)社區(qū)
iSuppli：內(nèi)存業(yè)界芯片制造平均成本四年來首度出現(xiàn)正增長
- 據(jù)iSuppli市調(diào)公司發(fā)布的調(diào)查報告顯示，內(nèi)存業(yè)界生產(chǎn)DRAM芯片的平均制造成本出現(xiàn)了四年以來的首次正增長，不過據(jù)iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增長的局面有望在數(shù)個季度之內(nèi)有所緩解。根據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度內(nèi)存芯片的制造成本從上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，盡管提升的幅度僅有1.2%，但這是四年以來的首次成本正增長，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度則平均僅-9.2%。 據(jù)分析，造成內(nèi)存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的復(fù)雜度和技術(shù)要求越來越
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電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本近4年來首次上升
- 據(jù)國外媒體報道，市場研究公司iSuppli 15日表示，由于爾必達(dá)公司和南亞科技股份有限公司生產(chǎn)費(fèi)用出現(xiàn)增長，電腦內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本近4年來首次上升。 美國加州的市場研究公司iSuppli周二的調(diào)查報告顯示，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)內(nèi)存芯片的平均生產(chǎn)成本從第一季度的每G內(nèi)存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次內(nèi)存芯片制造成本的上升發(fā)生在2006年的第三季度。 爾必達(dá)公司和南亞科技股份有限公司分別是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亞科技股份有限公司在采用新的
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日圓強(qiáng)升 內(nèi)存廠更仰賴臺廠
- 日圓兌美元匯率強(qiáng)勢升值，創(chuàng)近15年來新高;臺灣存儲器業(yè)者表示，日圓走勢對日系廠商營運(yùn)勢必產(chǎn)生壓力，未來將更仰賴臺灣合作伙伴。 日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力，其中爾必達(dá) (Elpida)今年第2季在全球動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 (DRAM)市場占有率為18%，是全球第3大DRAM廠。 東芝(Toshiba)今年第2季在全球儲存型閃存(NAND Flash)市場占有率達(dá)33.1%，僅次于韓國三星，居全球第2大廠地。 南亞科技副總經(jīng)理白培霖指出，日圓急遽升值，對日本內(nèi)存廠爾必達(dá)及
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九月份內(nèi)存芯片協(xié)議價與零售價將持續(xù)走低
- 據(jù)臺系內(nèi)存業(yè)者透露，由于PC產(chǎn)品市場需求較為弱勢，因此今年9月份內(nèi)存產(chǎn)品的協(xié)議價將繼續(xù)走低，消息來源并希望年底企業(yè)用戶更換新電腦產(chǎn)生的市場需求能 夠幫助內(nèi)存產(chǎn)品穩(wěn)定價格。值得注意的是，在臺系內(nèi)存廠商發(fā)出這種悲觀的論斷之前，三星公司電子芯片部門的首腦人物曾稱目前PC銷量的持續(xù)走低將導(dǎo)致明年第 一季度內(nèi)存市場出現(xiàn)供過于求的局面。 據(jù)消息來源分析，在內(nèi)存價格下跌的大潮中，PC廠商很有可能會考慮增加自己部分產(chǎn)品的內(nèi)存容量到4GB水平，不過內(nèi)存方面的升級將僅限于部分高端型號。另外，歐洲和美國市場對PC機(jī)型
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惠普宣布與海力士合作開發(fā)新型內(nèi)存
- 據(jù)國外媒體報道，惠普周二宣布與韓國海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)達(dá)成合作協(xié)議，共同研發(fā)下一代內(nèi)存技術(shù)電阻式內(nèi)存并將其推向市場。 據(jù)一份聲明顯示，兩家公司將合作開發(fā)新型材料和技術(shù)，實現(xiàn)電阻式內(nèi)存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會采用由惠普實驗室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲技術(shù)能耗更低，速度更快，而且能在斷電時存儲數(shù)據(jù)?；萜战衲甏杭痉Q表示，憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。 ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
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三星量產(chǎn)全球首款30nm級工藝2Gb DDR3內(nèi)存顆粒
- 三星電子今天宣布，已經(jīng)開始在全球范圍內(nèi)首家采用30nm級工藝(30-39nm)批量生產(chǎn)2Gb DDR3內(nèi)存顆粒。三星稱，這種新工藝DDR3內(nèi)存顆粒在云計算和虛擬化等服務(wù)器應(yīng)用中電壓1.35V，頻率最高可達(dá)1866MHz，而在PC應(yīng)用中電壓為1.5V，皮哦年率最高2133MHz，號稱比DDR2內(nèi)存快3.5倍，相比于50nm級工藝的DDR3也要快1.55倍。 該顆粒屬于三星的綠色內(nèi)存系列，在服務(wù)器應(yīng)用中能比50nm級工藝產(chǎn)品節(jié)約最多20%的功耗，在多核心PC系統(tǒng)中30nm級工藝4GB DDR3內(nèi)存條
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Gartner預(yù)測DRAM內(nèi)存降價趨勢將持續(xù)到年底
- 據(jù)國外媒體報道，由于芯片廠商提高產(chǎn)量和PC廠商堅持反對價格進(jìn)一步上漲的強(qiáng)硬立場，DRAM內(nèi)存價格在今年6月出現(xiàn)了一年以來的首次下降。 內(nèi)存芯片價格下降對于每個購買新PC的用戶來說都很重要，因為昂貴的DRAM內(nèi)存芯片價格是PC價格在幾年來首次出現(xiàn)上漲的原因之一。但是，內(nèi)存芯片價格的下降是這個市場出現(xiàn)轉(zhuǎn)變的一個信號。今年年初出現(xiàn)的內(nèi)存芯片短缺導(dǎo)致芯片廠商提高產(chǎn)量，從而緩解了短缺情況。 現(xiàn)在，Gartner預(yù)測內(nèi)存芯片的平均銷售價格在2010年剩余的時間里將溫和下降，并且指出DRAM內(nèi)存廠商能夠
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茂德成功試產(chǎn)63nm DDR3顆粒
- 臺灣媒體報道，茂德今天宣布，他們已在其臺灣科技園中部的12寸晶圓廠使用爾必達(dá) 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工藝成功試產(chǎn)出了1Gb DDR3內(nèi)存顆粒。首批測試結(jié)果顯示，顆粒規(guī)格符合業(yè)界規(guī)范，并全面兼容PC、數(shù)碼移動電子品應(yīng)用。茂德今年三月份開始使用爾必達(dá)的63nm堆疊制程工藝試產(chǎn)DDR3顆粒，計劃在今年三季度實現(xiàn)量產(chǎn)。到年底時，茂德每月為DDR3芯片生產(chǎn)提供的晶圓產(chǎn)量 將達(dá)到3.5萬片。 茂德表示，他們預(yù)計將在明年下半年開始使用爾必達(dá)的45nm工藝進(jìn)行生產(chǎn)，并計劃在明年年底
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"壟斷案"塵埃落定：鎂光從寬發(fā)落 爾必達(dá)南亞認(rèn)罰
- 日本爾必達(dá)公司和臺灣南亞內(nèi)存公司最近發(fā)表聲明稱公司愿意接受歐委會有關(guān)涉嫌惡意操縱內(nèi)存芯片價格的處罰決定，不過同遭此指控的其它幾家內(nèi)存廠商則尚未就 此事發(fā)表類似的聲明。 本月18日，歐委會宣布完成了內(nèi)存芯片價格壟斷案的審理，據(jù)歐委會表示，此案涉及10家生產(chǎn)個人電腦/服務(wù)器產(chǎn)品用內(nèi)存芯片品牌，開出的反壟斷罰金總額高達(dá)4.09億美元。除了爾必達(dá)和南亞之外，此案還涉及三星，Hynix以及鎂光等。不過由于鎂光在歐盟開始調(diào)查此案時主動采取坦白從寬的態(tài)度，承認(rèn)自己涉嫌操縱內(nèi)存芯片價格，因此歐委會決定網(wǎng)開一面赦
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Hynix證實遭歐盟罰款 或另有8家企業(yè)受罰
- 全球第二大內(nèi)存廠商Hynix周二證實，已經(jīng)接到歐盟通知，將因為非法操縱內(nèi)存價格而遭到罰款。 Hynix表示，歐盟計劃于周三宣布具體的罰款金額。此外，Hynix并未透露其他詳情，包括將被罰款的其他芯片廠商等。關(guān)于全球多家頂級內(nèi)存廠商合謀操 控產(chǎn)品價格，歐盟已經(jīng)調(diào)查了多年。美國司法部門也對此展開了調(diào)查，并對三星、Hynix和英飛凌進(jìn)行了罰款。 本周早些時候曾有報道稱，此次將有9家企業(yè)遭到歐盟罰款，除了上述3家，其他6家公司分別是Elpida、NEC電子、日立、東芝、三菱電子和南亞科技。
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爾必達(dá)宣布全球最小40nm 2Gb移動內(nèi)存顆粒
- 據(jù)報道，日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布已經(jīng)研發(fā)出40nm 2Gb移動(Mobile RAM)內(nèi)存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米，號稱目前能夠使用40nm工藝實現(xiàn)量產(chǎn)的最小顆粒。該2Gb移動內(nèi)存顆?；?0nm CMOS工藝，支持x16-bit、x32-bit位寬，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的1.8V電壓外，該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作，數(shù)據(jù)傳輸率400Mbps，工作溫度-25到85度。 爾必達(dá)稱，新40nm顆粒在使用了爾必達(dá)獨(dú)家設(shè)計工藝以及
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下世代內(nèi)存大戰(zhàn)起 國際大廠攻勢凌厲
- 期相變化內(nèi)存(PCMorPRAM)市場戰(zhàn)況火熱，繼三星電子(SamsungElectronics) 宣布將相變化內(nèi)存用在智能型手機(jī)(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問世后，恒憶(Numonyx)也宣布推出針對PC、消費(fèi)性電子和通訊市場使用的相變化內(nèi)存新品牌Omneo，采用90奈米制程，容量達(dá)128Mb，隨著國際大廠接連發(fā)動攻勢，讓原本冷門的相變化內(nèi)存市場一夕之間熱了起來! 全球相變化內(nèi)存分為3大陣營，包括恒憶/英特爾(Intel)、三星、旺宏/IBM，三
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內(nèi)存價格上漲致臺灣芯片廠商虧損縮窄
- 據(jù)國外媒體報道，臺灣內(nèi)存制造商南亞科技和華亞科技周二都發(fā)布了財報。由于內(nèi)存價格反彈，兩家公司第一季度凈虧損同比都縮窄，但業(yè)績低于預(yù)期，反映出在升級技術(shù)削減生產(chǎn)成本上遇到困難。 由于過去2年資本投資的疲軟，導(dǎo)致全球內(nèi)存供應(yīng)短缺，亞洲D(zhuǎn)RAM芯片制造商從價格反彈中受益。Windows 7的發(fā)布也促使消費(fèi)者和企業(yè)更新?lián)Q代，購買了要求更大內(nèi)存的新電腦。南亞科技副總裁白佩林表示，4月公司將在3月的基礎(chǔ)上再調(diào)高價格，隨著設(shè)備使用率提高，第二季度出貨量將比第一季度增加10%。 南亞科技第一季度凈虧損從1
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內(nèi)存介紹
【內(nèi)存簡介】
在計算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機(jī)來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器（簡稱內(nèi)存，港臺稱之為記憶體）。
內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細(xì) ]
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