內(nèi)存 文章 進(jìn)入內(nèi)存技術(shù)社區(qū)
有選擇的后摩爾堆疊時(shí)代
- 臺(tái)積電、英特爾等大廠近年來不斷加大對(duì)異構(gòu)集成制造及相關(guān)研發(fā)的投入。隨著 AIGC、8K、AR/MR 等應(yīng)用的不斷發(fā)展，3D IC 堆疊和 chiplet 異構(gòu)集成已成為滿足未來高性能計(jì)算需求、延續(xù)摩爾定律的主要解決方案。不久前，華為公布了一項(xiàng)芯片堆疊技術(shù)的新專利，顯示了該公司在芯片技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力。這項(xiàng)專利提供了一種簡(jiǎn)化芯片堆疊結(jié)構(gòu)制備工藝的方法，有望解決芯片堆疊過程中的各種技術(shù)難題。堆疊技術(shù)可以提高芯片的效率，并更好地利用可用空間，進(jìn)一步推動(dòng)芯片技術(shù)的進(jìn)步。盡管目前該專利與將兩個(gè) 14nm 芯片堆疊成
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三星推出其首個(gè)LPCAMM內(nèi)存解決方案 開啟內(nèi)存模組新未來
- 三星電子宣布已開發(fā)出其首款 7.5Gbps（千兆字節(jié)每秒）低功耗壓縮附加內(nèi)存模組（LPCAMM）形態(tài)規(guī)格，這有望改變個(gè)人計(jì)算機(jī)和筆記本電腦的 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） 市場(chǎng)，甚至改變數(shù)據(jù)中心的DRAM市場(chǎng)。三星的突破性研發(fā)成果已在英特爾平臺(tái)上完成了系統(tǒng)驗(yàn)證。三星LPCAMM內(nèi)存模組結(jié)構(gòu)示意圖截至目前，個(gè)人計(jì)算機(jī)和筆記本電腦都在使用傳統(tǒng)的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的 So-DIMM（小型雙重內(nèi)嵌式內(nèi)存模組）。然而受結(jié)構(gòu)限制，LPDDR需要被直接安裝在設(shè)備的主板上，導(dǎo)致其在維修
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消息稱三星和 SK 海力士改進(jìn) HBM 封裝工藝，即將量產(chǎn) 12 層產(chǎn)品
- IT之家 9 月 12 日消息，根據(jù)韓國(guó) The Elec 報(bào)道，三星電子和 SK 海力士?jī)杉夜炯铀偻七M(jìn) 12 層 HBM 內(nèi)存量產(chǎn)。生成式 AI 的爆火帶動(dòng)英偉達(dá)加速卡的需求之外，也帶動(dòng)了對(duì)高容量存儲(chǔ)器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數(shù)越多，處理數(shù)據(jù)的能力就越強(qiáng)，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開始量產(chǎn)。報(bào)道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進(jìn)名為混合鍵合（Hybrid Bonding
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要漲價(jià)？?jī)?nèi)存、閃存同時(shí)需求大漲
- 這兩年，DRAM內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)處于地位，內(nèi)存、SSD硬盤產(chǎn)品也越來越便宜。不過，這種好日子似乎要結(jié)束了。根據(jù)集邦咨詢最新研究報(bào)告，預(yù)計(jì)在2024年，內(nèi)存、閃存原廠仍然會(huì)延續(xù)減產(chǎn)策略，尤其是虧損嚴(yán)重的閃存，但與此同時(shí)，至少在2024年上半年，消費(fèi)電子市場(chǎng)需求仍不明朗，服務(wù)器需求相對(duì)疲弱。由于內(nèi)存、閃存市場(chǎng)在2023年已經(jīng)處于低谷，價(jià)格也來到相對(duì)低點(diǎn)，因此 預(yù)計(jì)在2024年，內(nèi)存、閃存芯片的市場(chǎng)需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個(gè)、5.0
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Intel傲騰內(nèi)存死而不僵：再活3個(gè)月
- 2022年9月底，Intel宣布徹底終結(jié)Optane傲騰業(yè)務(wù)，包括SSD固態(tài)硬盤、PMem持久內(nèi)存兩大產(chǎn)品線，但是現(xiàn)在，傲騰內(nèi)存還要再掙扎一下。Intel原計(jì)劃在今年9月30日之后停止出貨傲騰持久內(nèi)存100系列，但是現(xiàn)在，Intel將截止期限延長(zhǎng)到了12月29日，多供貨3個(gè)月。同時(shí)，Intel建議客戶，按照0.44％的年故障率備足存貨，以備不時(shí)之需。不過，Intel并未解釋延長(zhǎng)出貨期限的原因，不知道是客戶仍有需求，還是庫(kù)存太多清不完？傲騰持久內(nèi)存的地位介于傳統(tǒng)DIMM內(nèi)存、傲騰SSD之間，將數(shù)據(jù)比特保存在
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西部數(shù)據(jù)宣布進(jìn)一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%
- IT之家 2 月 7 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，在內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場(chǎng)第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進(jìn)一步縮減設(shè)備投資和生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績(jī)電話會(huì)議上表示，2023 財(cái)年設(shè)備投資總額將達(dá)到 23 億美元（當(dāng)前約 156.17 億元人民幣）。據(jù)IT之家了解，這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當(dāng)前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
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瀾起科技：計(jì)劃年內(nèi)完成 CKD 芯片量產(chǎn)版本研發(fā)并實(shí)現(xiàn)出貨
- IT之家 2 月 6 日消息，據(jù)瀾起科技披露的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄，瀾起科技近日在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，公司 2022 年 9 月宣布在業(yè)界率先推出 DDR5 第一子代時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（簡(jiǎn)稱 CKD 芯片）工程樣片，并已送樣給業(yè)界主流內(nèi)存廠商，該產(chǎn)品將用于新一代臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦內(nèi)存。據(jù)介紹，在 DDR5 初期，桌面端臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦的 UDIMM、SODIMM 模組需要搭配一顆 PMIC 和一顆 SPD，暫不需要 CKD 芯片。當(dāng) DDR5 數(shù)據(jù)速率達(dá)到 6400MT / s 及以上時(shí)，PC 端內(nèi)存如
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SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存：超越DDR5-4800 80％！
- SK海力士宣布，已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存， 起步速率就可以達(dá)到8Gbps，相比于標(biāo)準(zhǔn)的DDR5-4800快了多達(dá)80％ ，也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀(jì)錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā)，面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù)，通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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瀾起科技：DDR5 世代內(nèi)存模組配套芯片需求將大幅增加
- IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)瀾起科技今日披露的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄，瀾起科技在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，隨著 DDR5 相關(guān)產(chǎn)品滲透率的穩(wěn)步提升，2022 年第三季度公司的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片收入均有所增長(zhǎng)，從而推動(dòng)互連類芯片產(chǎn)品線業(yè)務(wù)的增長(zhǎng)。據(jù)介紹，內(nèi)存接口及模組配套芯片的需求量和服務(wù)器內(nèi)存模組的數(shù)量呈正相關(guān)。行業(yè)對(duì)內(nèi)存容量的需求是持續(xù)增加的，為滿足內(nèi)存容量的增長(zhǎng)需求，主要通過兩種方式來實(shí)現(xiàn)，一是提升內(nèi)存顆粒密度，二是增加內(nèi)存模組數(shù)量。如果在一定時(shí)期內(nèi)存顆粒密度提升放緩，則內(nèi)存容量增
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等等黨又贏了 內(nèi)存價(jià)格還要再跌半年：2023年下半年有望反彈
- 早買早享受，晚買享折扣，這是電子產(chǎn)品的通用規(guī)律，2022年最值得買的電子就是存儲(chǔ)產(chǎn)品了，不論內(nèi)存還是SSD硬盤都在跌價(jià)，廠商的日子很難過，但是消費(fèi)者確實(shí)撿到便宜了，只不過這個(gè)日子不會(huì)一直持續(xù)下去。內(nèi)存價(jià)格從去年底到現(xiàn)在跌了快一年了，什么時(shí)候止跌反彈？這是行業(yè)內(nèi)廠商都在期盼的大事，Q3季度中內(nèi)存價(jià)格跌了30%，導(dǎo)致美光、SK海力士等公司大砍資本支出，削減產(chǎn)能， 2023年內(nèi)存位元容量可能不會(huì)增加，甚至?xí)形⒎禄２贿^此前的舉動(dòng)并沒有推動(dòng)內(nèi)存價(jià)格止跌，由于需求下滑得實(shí)在厲害，10月到現(xiàn)在價(jià)格還是在
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1TB降到100元可期！SSD還要降價(jià) 原廠顆粒賣不動(dòng)：內(nèi)存閃存市場(chǎng)價(jià)繼續(xù)走跌
- 很顯然內(nèi)存市場(chǎng)的需求依然很淡，不少消費(fèi)者依然沒有出手，當(dāng)然還是覺得廠商能繼續(xù)降價(jià)。調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce現(xiàn)發(fā)布了最新的研究報(bào)告，表明目前DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)仍在保持下跌的趨勢(shì)，主要買家對(duì)未來皆抱持跌價(jià)心態(tài)，整體市況仍因大環(huán)境因素影響價(jià)格難以止跌。具體來說：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價(jià)在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE報(bào)價(jià)下調(diào)至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進(jìn) 1β 工藝，15% 能效提升
- IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進(jìn) 1β 工藝，正在向智能手機(jī)制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實(shí)現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場(chǎng)領(lǐng)先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個(gè) die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時(shí)，消
- 關(guān)鍵字： 美光 LPDDR5X-8500 內(nèi)存 1β DRAM
內(nèi)存介紹
【內(nèi)存簡(jiǎn)介】
在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)很重要的部分，就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來說，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱內(nèi)存，港臺(tái)稱之為記憶體）。
內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等， [ 查看詳細(xì) ]
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