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內(nèi)置 文章 進(jìn)入內(nèi)置技術(shù)社區(qū)
基于SimulationX和NI VeriStand的裝甲越野車內(nèi)置系
- ITI是全球領(lǐng)先的系統(tǒng)仿真軟件及工程公司之一。SimulationX標(biāo)準(zhǔn)工具用來(lái)評(píng)估技術(shù)系統(tǒng)中所有組件的相互作用,并支持Modelica語(yǔ)言。ITI與全球分公司、分銷商及伙伴共同合作,另外,它也是美國(guó)國(guó)家儀器聯(lián)盟伙伴之一。Tra
- 關(guān)鍵字: SimulationX VeriStand 內(nèi)置 仿真
C8051F060內(nèi)置高精度模/數(shù)轉(zhuǎn)換器的使用方法
- 1 引言
在混合信號(hào)單片機(jī)中,美國(guó)Cygnal公司新推出的C8051F06X系列高集成度混合信號(hào)單片機(jī)可謂一枝獨(dú)秀。C8051F06X是高度集成的片上系統(tǒng)單片機(jī),它有多達(dá)59個(gè)數(shù)字I/O口,采用與8051兼容的內(nèi)核CIP-51,速度高達(dá)25 - 關(guān)鍵字: 使用方法 轉(zhuǎn)換器 高精度 內(nèi)置 C8051F060
AM-OLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片中內(nèi)置SRAM的設(shè)計(jì)
- 摘要:詳細(xì)描述了一種內(nèi)置于AM-OLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片中的單端口SRAM電路的設(shè)計(jì)方法,提出了一種解決SRAM訪問(wèn)時(shí)序沖突問(wèn)題的仲裁算法。同時(shí)給出了基于0.18mu;m標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計(jì)的一款大小為320x240x18位的SRAM電路。通過(guò)
- 關(guān)鍵字: SRAM 設(shè)計(jì) 內(nèi)置 芯片 顯示 驅(qū)動(dòng) AM-OLED
內(nèi)置片內(nèi)電阻的雙路差動(dòng)放大器實(shí)現(xiàn)精密ADC驅(qū)動(dòng)器
- 配有運(yùn)算放大器和外部增益設(shè)置電阻的分立式差動(dòng)放大器精度一般,并且溫度漂移明顯。采用1%、100ppm/deg;C標(biāo)準(zhǔn)電阻,最高 2%的初始增益誤差最多會(huì)改變200 ppm/deg;C,并且通常用于精密增益設(shè)置的單片電阻網(wǎng)絡(luò)過(guò)于
- 關(guān)鍵字: ADC 內(nèi)置 電阻 差動(dòng)放大器
一種具有內(nèi)置節(jié)電電路的繼電器驅(qū)動(dòng)的低功耗設(shè)計(jì)
- 多個(gè)繼電器線圈可由單電源供電,該電源必須大到足以同時(shí)驅(qū)動(dòng)所有線圈。另外,這些繼電器被密集的排布在很小的區(qū)域內(nèi),設(shè)計(jì)時(shí)必需考慮線圈的功耗。繼電器線圈所需的吸合電壓遠(yuǎn)高于其保持電壓。認(rèn)識(shí)到這一點(diǎn),就有
- 關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng) 功耗 設(shè)計(jì) 繼電器 電路 內(nèi)置 節(jié)電 具有
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