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	擊穿
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          高壓電解電容波峰焊放電擊穿板上芯片的機理研究及對策
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 王大波，施清清，李會超，宗? 巖 （珠海格力電器股份有限公司，廣東?珠海?519000）摘? 要：芯片失效作為困擾電子行業(yè)的難題，失效機理復(fù)雜，對于因生產(chǎn)現(xiàn)場環(huán)境造成的過電、靜電失效，環(huán) 節(jié)無法鎖定。通過對高壓電解電容帶電插裝對印制電路板上芯片損傷分析，確定主板過波峰焊時錫面連錫短路 導(dǎo)致高壓電解電容放電擊穿芯片的失效機理，并制定管控對策，有效降低芯片失效不良。?關(guān)鍵詞：芯片失效；高壓電解電容；擊穿；波峰焊；PCBA0? 引言?隨著電子技術(shù)的發(fā)展，小型化、集成化的芯片被應(yīng) 用
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          • 關(guān)鍵字：
                        202003  芯片失效  高壓電解電容  擊穿  波峰焊  PCBA                          
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          LED電源設(shè)計實用經(jīng)驗問答分享
          
                                                            
            
                    	
          • 在LED電源產(chǎn)品的設(shè)計過程中，工程師們需要處理的絕不僅僅是電路設(shè)計問題，更多的是LED電源的驅(qū)動方案選擇、LED的壽命維系以及后期的維護和檢修工作等。
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          • 關(guān)鍵字：
                        LED  電源設(shè)計  驅(qū)動  擊穿                          
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          電子器件在工廠車間生產(chǎn)過程中的防靜電問題分析與研究　
          
                                                            
                                        
                    
          
                
          
                                
          
                    
          【E問E答】MOS管為什么會被靜電擊穿？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高?！　§o電放電形成
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOS  擊穿                          
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          教你如何測量判斷電容之擊穿、漏電和失去容量
          
                                                            
            
                    	
          • 用萬用表判斷電容器質(zhì)量視電解電容器容量大小，通常選用萬用表的R×10、R×100、R×1K擋進行測試判斷。...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        電容  擊穿  漏電  失去容量                          
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          分析LED被靜電擊穿的現(xiàn)象及原理
          
                                                            
            
                    	
          •  LED內(nèi)部的PN結(jié)在應(yīng)用到電子產(chǎn)品的制造、組裝篩選、測試、包裝、儲運及安裝使用等環(huán)節(jié)，難免不受靜電感應(yīng)影響而產(chǎn)生感應(yīng)電荷。若電荷得不到及時釋放，將在兩個電極上形成的較高電位差，當(dāng)電荷能量達到LED的承受極限值
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        LED  分析  靜電  擊穿                            
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          MOS管擊穿的原因及解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • MOS管被擊穿的原因及解決方案如下：第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOS管  擊穿  解決方案                          
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          開關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿及防護
          
                                                            
            
                    	
          • 中心議題：    功率晶體管二次擊穿的原因    避免功率晶體管二次擊穿的措施    開關(guān)電源中可選用的緩沖電路解決方案：    耗能式關(guān)斷緩沖電路    耗能式開通緩沖電路    無源回饋關(guān)斷緩沖電路    無源回饋開通緩沖電
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        防護  擊穿  晶體管  功率  開關(guān)電源                          
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          功率MOSFET雪崩擊穿問題分析
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比，反向偏置時MOSFET雪崩擊穿過程不存在“熱點”的作用，而電氣量變化卻十分復(fù)雜。寄生器件在
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        問題  分析  擊穿  雪崩  MOSFET  功率                          
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          為功率MOSFET增加自動防故障擊穿保護
          
                                                            
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
	共10條
	1/1															1								
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          擊穿介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	擊穿---絕緣物質(zhì)在電場的作用下發(fā)生劇烈放電或?qū)щ姷默F(xiàn)象叫擊穿。 例如，平常我們使用的驗電筆中的氖管發(fā)光，就是氖管兩端的電壓超過70V而被擊穿。 電容器的結(jié)構(gòu)特性與作用 
　　1．電容器的結(jié)構(gòu)特性 電容器是由兩個相互靠近的金屬電極板，中間夾一層絕緣介質(zhì)構(gòu)成的。在電容器的兩個電極加上電壓時，電容器就能儲存電能。 
　　1．電容器 
　　(1)電容器：兩塊相互靠近又彼此絕緣的導(dǎo)體組成電容器．電容		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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