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          分離柵極閃存循環(huán)擦寫(xiě)引起退化分量剖析

          • SuperFlash®技術(shù)基于分離柵極概念,廣泛用于獨(dú)立和嵌入式NOR閃存產(chǎn)品。與其他競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比,SuperFlash的主要優(yōu)勢(shì)包括:因采用較厚的隧道電介質(zhì)
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          分離柵極介紹

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