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          制程工藝技術(shù)發(fā)展探討

          •   IBM聯(lián)盟開發(fā)出可在32納米芯片中加速實(shí)現(xiàn)一種被稱為“high-k/metal gate(高電介質(zhì)金屬柵極)”的突破性材料。這種新方法是基于被稱為“high-k gate-first(高電介質(zhì)先加工柵極)”加工工藝的方法,為客戶轉(zhuǎn)向高電介質(zhì)金屬柵極技術(shù)提供了一種更加簡單和更省時(shí)間的途徑,由此而能夠帶來的益處包括性能的提高和功耗的降低。通過使用高電介質(zhì)金屬柵極,IBM與聯(lián)盟合作伙伴成功地開發(fā)出比上一代技術(shù)體積小50%的芯片,同時(shí)提高了眾多性能。使用這種新技術(shù)的芯片將可以支持多種應(yīng)用——從用于無線和消費(fèi)設(shè)
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          制程工藝技術(shù)介紹

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