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Intel 4制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光具備高效能運(yùn)算先進(jìn)FinFET

英特爾近期于美國(guó)檀香山舉行的年度VLSI國(guó)際研討會(huì)，公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫(kù)（library cell）的密度則是2倍，同時(shí)達(dá)成兩項(xiàng)關(guān)鍵目標(biāo)：它滿(mǎn)足開(kāi)發(fā)中產(chǎn)品的需求，包括PC客戶(hù)端的Meteor Lake，并推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和制程模塊。英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。對(duì)于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達(dá)成這些效能數(shù)據(jù)？ Intel 4于鰭片間距、接點(diǎn)間距以及低層金屬間距等關(guān)鍵尺寸（Critic
關(guān)鍵字： Intel 4 制程技術(shù) FinFET Meteor Lake

意法半導(dǎo)體（ST）宣布，電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng)，表彰ST在超級(jí)整合硅閘半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開(kāi)關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，滿(mǎn)足高復(fù)雜度、大功率應(yīng)用的需求。多年來(lái)，BCD制程技術(shù)已賦能硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)和汽車(chē)系統(tǒng)等終端應(yīng)用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導(dǎo)體Agrate工廠的實(shí)時(shí)／
關(guān)鍵字： ST BCD 制程技術(shù)

晶圓代工廠臺(tái)積電對(duì)先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展深具信心，業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示，5納米制程明年第1季量產(chǎn)，仍會(huì)是全世界最先進(jìn)的制程技術(shù)。
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 5nm 制程技術(shù)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： IBM RF芯片代工升級(jí) 制程技術(shù) SiGe SOI

　　在上周舉辦的IDF2009秋季開(kāi)發(fā)者論壇上，Intel曾提到會(huì)在2011年下半年開(kāi)始使用22nm制程技術(shù)，而其后的下一步目標(biāo)則將是15nm制程技術(shù)。而對(duì)手AMD的代工公司Globalfoundries則會(huì)在2012年啟用22nm制程技術(shù)，兩年后的2014年他們計(jì)劃轉(zhuǎn)向15nm制程。盡管有科學(xué)家聲稱(chēng)15nm制程技術(shù)尚處在研發(fā)階段，有關(guān)的制造工具甚至都還沒(méi)有開(kāi)發(fā)出來(lái)，不過(guò)按照Intel“tick-tock”的進(jìn)程推算，預(yù)計(jì)Intel 啟用15nm制程技術(shù)的年份會(huì)在2013年左右。
關(guān)鍵字： Intel 15nm 22nm 制程技術(shù)

臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部投審會(huì)”委員會(huì)議通過(guò)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)將其上海廠晶圓制程技術(shù)提升為零點(diǎn)一八微米以上申請(qǐng)案。這是臺(tái)灣方面去年底開(kāi)放零點(diǎn)一八微米晶圓制程登陸后首宗獲準(zhǔn)投資案。　　“中央社”報(bào)道，臺(tái)灣有關(guān)方面去年底宣布開(kāi)放零點(diǎn)一八微米晶圓制程赴大陸投資，唯一獲準(zhǔn)在大陸投資設(shè)立八吋、零點(diǎn)二五微米晶圓廠的臺(tái)積電率先提出提升制程申請(qǐng)。　　臺(tái)積電早于二00五年一月即向當(dāng)局提出赴大陸投資零點(diǎn)一八微米制程申請(qǐng)，當(dāng)局直至去年底政策才正式松綁。臺(tái)積電遂補(bǔ)件申請(qǐng)。　　二十日
關(guān)鍵字： 0.18微米晶圓單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 臺(tái)積電制程技術(shù) 其他IC 制程

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