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應(yīng)用材料公司推出Centura Carina Etch系統(tǒng)克服高K介電常數(shù)

近日，應(yīng)用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系統(tǒng)用于世界上最先進(jìn)晶體管的刻蝕。運(yùn)用創(chuàng)新的高溫技術(shù)，它能提供45納米及更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)上采用高K介電常數(shù)/金屬柵極(HK/MG)的邏輯和存儲(chǔ)器件工藝擴(kuò)展所必需的材料刻蝕輪廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生產(chǎn)的解決方案。應(yīng)用材料公司的Carina技術(shù)具有獨(dú)一無二的表現(xiàn)，它能達(dá)到毫不妥協(xié)的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)要求：平坦垂直，側(cè)邊輪廓不含任何硅材料凹陷，同時(shí)沒有任何副產(chǎn)品殘留物。應(yīng)用材料公司資深副總裁、硅系統(tǒng)業(yè)務(wù)
關(guān)鍵字：測(cè)試測(cè)量應(yīng)用材料晶體管刻蝕 IC 制造制程

三星電子停電事故提前解決

　　8月6日消息，日前，韓國(guó)三星電子公司宣布，之前因?yàn)橥ｋ姸黄韧Ｖ惯\(yùn)營(yíng)的芯片生產(chǎn)線，在上周六回復(fù)工作，與此同時(shí)公司表示，最終造成的實(shí)際經(jīng)濟(jì)損失，有可能低于之前的預(yù)期數(shù)字。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，作為世界最大的內(nèi)存芯片制造商，三星電子在上周五的時(shí)候，因?yàn)橥ｋ妴栴}被迫停止了六條芯片生產(chǎn)線的工作。據(jù)公司估算，此次停電造成的損失將達(dá)到400億韓元，折合4340萬美元。據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)iSuppli透露，此次的停電，將繼續(xù)加劇如今已經(jīng)非常嚴(yán)重的NAND閃存芯片短缺，該現(xiàn)象爆發(fā)于8月上旬，據(jù)統(tǒng)計(jì)三星NAND生產(chǎn)線占
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三星推出80nm制程移動(dòng)存儲(chǔ)器二季度量產(chǎn)

據(jù)DigiTimes網(wǎng)站報(bào)道，韓國(guó)媒體Digital Daily與美國(guó)媒體Forbes報(bào)導(dǎo)，三星電子（Samsung Electronics）繼2006年8月將80nm制程的1Gb DDR 2標(biāo)準(zhǔn)型DRAM進(jìn)入量產(chǎn)階段后，27日又發(fā)表了針對(duì)手機(jī)與移動(dòng)設(shè)備推出的80nm制程DDR存儲(chǔ)器芯片，容量為1Gb，厚度較前代產(chǎn)品薄20％，耗電量減少30％。三星預(yù)計(jì)將在2007年第二季量產(chǎn)該產(chǎn)品，并預(yù)計(jì)屆時(shí)市場(chǎng)上對(duì)1Gb容量的手機(jī)存儲(chǔ)器芯片需求量將大幅增加
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65nm成為制程應(yīng)用分水嶺

按照摩爾定律的說法，2006年初半導(dǎo)體制造業(yè)就已經(jīng)進(jìn)入了65nm時(shí)代。不過，令所有人始料不及的是65nm的普及遠(yuǎn)遠(yuǎn)非預(yù)期的那樣迅猛，在很多領(lǐng)域似乎根本不去考慮65nm制程的問題，比如MCU，再如多媒體解碼芯片。于是，我們看到的結(jié)果是本該廣泛應(yīng)用的65nm制程在全面投產(chǎn)18個(gè)月之后的應(yīng)用領(lǐng)域只局限在少數(shù)幾個(gè)領(lǐng)域，這其中一向走在消費(fèi)前沿的CPU和存儲(chǔ)是最火爆的領(lǐng)域，而FPGA則是另一個(gè)熱衷于追逐65nm的擁躉。當(dāng)90n
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OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程

沖電氣(OKI)推出內(nèi)建運(yùn)算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運(yùn)用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續(xù)針對(duì)可攜式等用途產(chǎn)品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù)，適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示，該公司未來將靈活運(yùn)用這一特長(zhǎng)，加強(qiáng)與連接微處理器的數(shù)字輸出電路，進(jìn)而與感測(cè)式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構(gòu)成單一芯片的商品陣容；未來
關(guān)鍵字： OKI SI-CMOS 傳感器電源技術(shù) 模擬技術(shù) IC 制造制程

半導(dǎo)體制程微細(xì)化技術(shù)再突破從65nm到45nm的微觀神話

半導(dǎo)體制程微細(xì)化趨勢(shì)1965年Intel創(chuàng)始人Moore提出“隨著芯片電路復(fù)雜度提升，芯片數(shù)目必將增加，每一芯片成本將每年減少一半”的規(guī)律之后，半導(dǎo)體微細(xì)化制程技術(shù)日新月異，結(jié)構(gòu)尺寸從微米推向深亞微米，進(jìn)而邁入納米時(shí)代。半導(dǎo)體制程微細(xì)化趨勢(shì)也改變了產(chǎn)業(yè)的成本結(jié)構(gòu)，10年前IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)投入線路設(shè)計(jì)與掩膜制程的費(fèi)用，僅占總體成本的13%，半導(dǎo)體生產(chǎn)制造成本約占87%。自2003年進(jìn)入深亞微米制程后，IC線路設(shè)計(jì)及掩膜成本便大幅提升到62%。當(dāng)芯片結(jié)構(gòu)體尺寸小于100納米時(shí)，光學(xué)光刻技術(shù)便面臨技術(shù)關(guān)鍵：硅晶制程
關(guān)鍵字： 0704_A 半導(dǎo)體單片機(jī) 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 消費(fèi)電子雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊 IC 制造制程消費(fèi)電子

東芝今年開始生產(chǎn)閃存芯片采用43納米制程

據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞4月21日?qǐng)?bào)道，東芝最快將在本會(huì)計(jì)年度開始采用43納米制程生產(chǎn)閃存芯片，以降低生產(chǎn)成本。東芝為全球第二大閃存芯片制造商，僅次于韓國(guó)三星電子。報(bào)道指出，由于芯片價(jià)格料在2007/08年度挫跌50%，因此該公司急于提高晶片生產(chǎn)效率。日經(jīng)新聞稱，使用43納米制程，將可使東芝生產(chǎn)成本降低40%。報(bào)道稱，三星電子計(jì)劃今年開始采用50納米制程。
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PCB前處理導(dǎo)致之制程問題發(fā)生原因討論

1. PCB制程上發(fā)生的問題千奇百怪, 而制程工程師往往擔(dān)任起法醫(yī)-驗(yàn)尸責(zé)任(不良成因分析與解決對(duì)策). 故發(fā)起此討論題, 主要目的為以設(shè)備區(qū)逐一討論分上包含人, 機(jī), 物, 料, 條件上可能會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生的問題, 希望大家一起參與提出自己意見及看法.　　　　2. 會(huì)使用到前處理設(shè)備的制程, 例如:內(nèi)層前處理線, 電鍍一銅前處理線, D/F, 防焊(阻焊)...等等.　　　　3. 以硬板PCB 防焊(阻焊)前處理線為例(各廠商不同而有差異): 刷磨*2組->水洗->酸洗->水洗->冷風(fēng)
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印刷技術(shù)制程加速燃料電池時(shí)代來臨

總部位于瑞士的DEK公司日前宣布推出適用于精密電化學(xué)燃料電池組件的高速生產(chǎn)制程，可讓各種主要的燃料電池技術(shù)大幅節(jié)省每千瓦的耗電成本。該公司利用精密的批量擠壓印刷技術(shù)，可以非常高的分辨率為電子厚膜、表面黏著和半導(dǎo)體裝配應(yīng)用提供高精度、高重復(fù)性和高良率的生產(chǎn)特性。　　DEK指出，燃料電池技術(shù)無疑會(huì)在未來的能源應(yīng)用中扮演更重要的角色。以高精度批量擠壓印刷技術(shù)來生產(chǎn)燃料電池材料，將會(huì)加速此一新時(shí)代的來臨。更重要的是，這些制程和設(shè)備都已相當(dāng)成熟穩(wěn)健，而且將從我們?yōu)樘岣呱虡I(yè)應(yīng)用
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模擬IC制程技術(shù)挑戰(zhàn)

隨著終端產(chǎn)品朝向輕薄短小、低耗電和多功能整合三大趨勢(shì)發(fā)展，無論對(duì)影像、聲音、省電和體積小的質(zhì)量要求愈來愈高，模擬制程技術(shù)主要推動(dòng)力量在于分別就設(shè)計(jì)端和制程端來達(dá)成芯片的功能整合趨勢(shì)－這包含了模擬效能、成本以及Time-to-Market的完美平衡。使得系統(tǒng)在快速可靠的功能（數(shù)字與模擬）執(zhí)行下，同時(shí)滿足社會(huì)對(duì)于系統(tǒng)變得更小、更快、更省電和價(jià)格更低的期望。綜觀模擬IC對(duì)質(zhì)量要求不外乎速度(Speed)、精準(zhǔn)(Precision)、功
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ST最新20款微控制器復(fù)位IC創(chuàng)新制程

　意法半導(dǎo)體(ST)日前推出了20款3引腳微控制器復(fù)位IC STM18xx系列，這些電源監(jiān)控器芯片是為大批量生產(chǎn)的成本敏感的微控制器應(yīng)用專門設(shè)計(jì)，可直接插入取代工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的DS18xx系列產(chǎn)品以及類似的組件。　　據(jù)介紹，該系列產(chǎn)品由8個(gè)基本復(fù)位電路組成：4個(gè)5V組件，每個(gè)組件有4.62V和4.37V (額定)閾壓選項(xiàng)；4個(gè)3V組件，每個(gè)組件有3.06V、2.88V和2.55V(額定)閾壓選項(xiàng)，總計(jì)20個(gè)產(chǎn)品。復(fù)位電路是電源電壓監(jiān)控制組件，被廣泛用于監(jiān)視微控制器電源電壓，并在低于容許電壓
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聯(lián)電攜IMEC擴(kuò)大提供90納米制程服務(wù)客戶

　　聯(lián)華電子與歐洲最大的獨(dú)立納米電子研究中心IMEC今天宣布，將共同把IMEC旗下的Europractice IC服務(wù)擴(kuò)展至聯(lián)電90納米制程技術(shù)上，Europractice客戶將能輕易取得包含0.25、0.18、0.13微米與90納米等來自聯(lián)電的最先進(jìn)技術(shù)，進(jìn)行產(chǎn)品原型產(chǎn)出與小量生產(chǎn)?！?nbsp; 　　聯(lián)電表示，IMEC的Europractice IC服務(wù)，可提供客戶ASIC服務(wù)，并協(xié)助其產(chǎn)品快速上市。聯(lián)電多年以來一直與Europractice致力將聯(lián)電硅梭計(jì)劃--多重晶圓測(cè)試方案&
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NVIDIA 90nm芯片量產(chǎn)雙雄制程戰(zhàn)開打

NVIDIA首批90nm制程繪圖芯片已進(jìn)入緊鑼密鼓的量產(chǎn)階段，面對(duì)ATI率先導(dǎo)入90nm制程的動(dòng)作，并將在2006年1月底發(fā)表新旗艦產(chǎn)品R580，由于NVIDIA之前領(lǐng)先進(jìn)入130nm制程、但吃到不少苦頭，因而強(qiáng)調(diào)繪圖芯片產(chǎn)品設(shè)計(jì)及結(jié)構(gòu)比制程更為重要。　　目前包括NVIDIA及ATI繪圖芯片市場(chǎng)主力產(chǎn)品，皆采用110nm制程生產(chǎn)，在新一世代90奈米制程轉(zhuǎn)換動(dòng)作方面，ATI搶先一步在2005年第三季（3Q）宣布推出全線桌上型計(jì)算機(jī)（DT）繪圖卡專用Radeon&nbs
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英特爾公司開發(fā)超低功耗制程

　　2005 年 9 月 21 日，北京訊――當(dāng)前，英特爾公司正致力開發(fā)其高性能65 納米（nm）邏輯制程的超低功耗版，以支持面向移動(dòng)平臺(tái)和小型設(shè)備的超低功耗芯片的生產(chǎn)。這種超低功耗制程將會(huì)是英特爾第二代基于65 納米制造技術(shù)的芯片制程。　　英特爾65 納米（1 納米是 1 米的十億分之一）高性能制程較英特爾當(dāng)前行業(yè)領(lǐng)先的 90 納米制程在功耗和性能方面雙雙勝出。英特爾此種超低功耗65納米的工藝制程為英特爾芯片設(shè)計(jì)人員提供了更多選擇，以滿足電控設(shè)備用戶對(duì)于電路密度、性能及功耗的各種需求。　　英特爾
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德州儀器在小區(qū)網(wǎng)關(guān)市場(chǎng)上頻傳捷報(bào)，碩果累累

TI 業(yè)界領(lǐng)先的 AR7 堪稱全球最受好評(píng)的 DSL CPE 解決方案日前，德州儀器 (TI) 宣布其近期在不斷增長(zhǎng)的小區(qū)網(wǎng)關(guān) (RG) 市場(chǎng)上取得了輝煌業(yè)績(jī)。截至第三季度末，TI 預(yù)計(jì)向市場(chǎng)提供的 DSL CPE 及 CO 端口數(shù)量將超過 1 億，而且自其旗艦 RG 平臺(tái) AR7 片上調(diào)制解調(diào)器于 2003 年部署以來，其端口發(fā)貨量已達(dá) 3 千萬件。諸如 AVM、Actiontec、Arcadyan、Aztech Systems Ltd.、NETGEAR、Ne
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