制造工藝 文章 進入制造工藝技術社區(qū)
RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)
- 摘 要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結構和制造工藝特點。文中結合6寸芯片生產(chǎn)線，設計了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點，并提出了解決方案。關鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結構；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
- 關鍵字： LDMOSFET MOSFET RF RF專題 電源技術 功率 模擬技術 器件結構 制造工藝
ST的TCG 1.2可信平臺模塊進軍0.15微米制造工藝
- 極具成本效益的TPM解決方案，專門為PC制造商和OEM廠商設計， 達到可信計算組最新標準 全球第一個推出完全符合TCG(可信計算組)TPM1.2規(guī)范的可信平臺模塊(TPM)的芯片制造商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM)，又推出了一個采用該公司先進的0.15微米CMOS EEPROM制造工藝的新模塊。新產(chǎn)品ST19NP18是在取得巨大成功的上一代ST19WP18 TPM的基礎上改進而成的，制造技術采用了能夠給PC制造商帶來更多成本效益的0.15微米制造工藝。 安全芯片T
- 關鍵字： 0.15微米 1.2可信平臺模塊 ST TCG 單片機 嵌入式系統(tǒng) 意法半導體 制造工藝 模塊
制造工藝介紹
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