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刻蝕終點(diǎn)探測(cè)
刻蝕終點(diǎn)探測(cè) 文章 進(jìn)入刻蝕終點(diǎn)探測(cè)技術(shù)社區(qū)
為刻蝕終點(diǎn)探測(cè)進(jìn)行原位測(cè)量
- 介紹?半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和技術(shù)來實(shí)現(xiàn)圖形的微縮與先進(jìn)技術(shù)的開發(fā)。隨著半導(dǎo)體器件尺寸縮減、工藝復(fù)雜程度提升,制造工藝中刻蝕工藝波動(dòng)的影響將變得明顯。刻蝕終點(diǎn)探測(cè)用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒有剩余材料可供刻蝕。這類終點(diǎn)探測(cè)有助于最大限度地減少刻蝕速率波動(dòng)的影響??涛g終點(diǎn)探測(cè)需要在刻蝕工藝中進(jìn)行傳感器和計(jì)量學(xué)測(cè)量。當(dāng)出現(xiàn)特定的傳感器測(cè)量結(jié)果或閾值時(shí),可指示刻蝕設(shè)備停止刻蝕操作。如果已無材料可供刻蝕,底層材料(甚至整個(gè)器件或晶圓)就會(huì)遭受損壞,從而極大影響良率[1],因此可靠的終點(diǎn)
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刻蝕終點(diǎn)探測(cè)介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)刻蝕終點(diǎn)探測(cè)的理解,并與今后在此搜索刻蝕終點(diǎn)探測(cè)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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