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          力晶將今年資本支出目標(biāo)定為新臺(tái)幣110億元

          •   力晶半導(dǎo)體股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., 5346.OT)發(fā)言人譚仲民(Eric Tang)周三表示,公司將今年的資本支出目標(biāo)定為新臺(tái)幣110億元。   譚仲民稱,其中大部分資本支出將用于把公司的晶片生產(chǎn)技術(shù)從65納米技術(shù)升級(jí)到40納米技術(shù)。 今年1月初,力晶半導(dǎo)體曾表示,將于2010年下半年開始對(duì)40納米制程進(jìn)行測(cè)試。 譚仲民稱,由于現(xiàn)金充裕,公司目前沒有融資計(jì)劃。他稱,力晶半導(dǎo)體2009年的資本支出規(guī)模“很小”。但他拒絕透露具體數(shù)據(jù)
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  

          力晶將重啟在徐州地區(qū)建造8英寸內(nèi)存芯片廠的計(jì)劃

          •   據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,臺(tái)系內(nèi)存廠商力晶公司決定重啟其在大陸徐州建造8英寸內(nèi)存芯片廠的計(jì)劃,報(bào)道稱力晶公司計(jì)劃向這間新廠房投資2.93億美元,并 將與當(dāng)?shù)卣块T和大陸當(dāng)?shù)仄髽I(yè)合作經(jīng)營(yíng)這間芯片廠。   與臺(tái)積電以及茂德公司類似,力晶公司目前已經(jīng)獲得了臺(tái)灣當(dāng)局的許可,可以在大陸地區(qū)建造8英寸0.18微米及以下級(jí)別制程的芯片廠,不過目前為止三家公司中僅有力晶仍未付諸實(shí)際行動(dòng)。
          • 關(guān)鍵字: 力晶  內(nèi)存芯片  

          力晶半導(dǎo)體稱第四財(cái)季實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)

          •   臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體表示,經(jīng)過連續(xù)十個(gè)季度的虧損后,受需求反彈和芯片價(jià)格穩(wěn)步上漲的推動(dòng),第四財(cái)政季度公司實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)。   力晶半導(dǎo)體在其網(wǎng)站上發(fā)布公告稱,已有大量現(xiàn)金流入公司,這將顯著改善公司的財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)。該公司并未提供截至去年12月31日財(cái)季的凈利潤(rùn)數(shù)據(jù)。   力晶半導(dǎo)體稱,公司將通過增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤(rùn)成果。公司預(yù)計(jì),到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達(dá)到75%。   分析師們表示,DDR3芯片將成為今年個(gè)人電腦應(yīng)用的主流內(nèi)存芯片。與DDR2芯片相比,DDR3的處理速度更快,
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DDR3  

          力晶半導(dǎo)體稱第四財(cái)季實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體近日表示,經(jīng)過連續(xù)十個(gè)季度的虧損后,受需求反彈和芯片價(jià)格穩(wěn)步上漲的推動(dòng),第四財(cái)政季度公司實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)。   力晶半導(dǎo)體在其網(wǎng)站上發(fā)布公告稱,已有大量現(xiàn)金流入公司,這將顯著改善公司的財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)。該公司并未提供截至去年12月31日財(cái)季的凈利潤(rùn)數(shù)據(jù)。   力晶半導(dǎo)體稱,公司將通過增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤(rùn)成果。公司預(yù)計(jì),到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達(dá)到75%。   分析師們表示,DDR3芯片將成為今年個(gè)人電腦應(yīng)用的主流內(nèi)存芯片。與DDR2芯片相比,DD
          • 關(guān)鍵字: 力晶  內(nèi)存芯片  DDR3  

          消息稱力晶董事會(huì)批準(zhǔn)從爾必達(dá)手中購(gòu)瑞晶股份

          •   12月23日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司管理人士周三表示,公司董事會(huì)批準(zhǔn)了從日本合作伙伴爾必達(dá)手中收購(gòu)合資企業(yè)瑞晶電子股份有限公司股份的計(jì)劃。   這位要求匿名的管理人士向道瓊斯通訊社透露,該計(jì)劃的細(xì)節(jié),如力晶將收購(gòu)的股份數(shù)以及收購(gòu)價(jià)格等,還沒有確定。   爾必達(dá)曾于10月份表示,正考慮在年底前將其在瑞晶電子的持股比例增加到70%以上。就在當(dāng)月,為了與全球最大的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)韓國(guó)三星電子展開競(jìng)爭(zhēng),爾必達(dá)曾將其在瑞晶電子的股權(quán)比例由52%增加至64%。   DRAM
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  

          中國(guó)臺(tái)灣芯片公司改變策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)下滑危機(jī)

          •   臺(tái)灣半導(dǎo)體生產(chǎn)商期望通過轉(zhuǎn)變策略來應(yīng)對(duì)電腦存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)占有率下降帶來的挑戰(zhàn),但此舉可能導(dǎo)致它們?nèi)P退出核心業(yè)務(wù)。   由于芯片行業(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴(yán)重的滑坡,南亞科技及臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司(簡(jiǎn)稱:力晶)等臺(tái)灣芯片行業(yè)的支柱公司已在虧損中掙扎了兩年多。盡管今年芯片價(jià)格出現(xiàn)反彈,但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍處于貸款違約的邊緣。   與此同時(shí),韓國(guó)和日本的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手憑藉更先進(jìn)、成本更低的生產(chǎn)技術(shù)持續(xù)發(fā)展壯大。   為應(yīng)對(duì)上述局面,臺(tái)資公司
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  存儲(chǔ)器  

          DRAM廠資本支出競(jìng)賽 三星更勝臺(tái)廠一籌

          •   臺(tái)系DRAM廠開始規(guī)劃2010年資本支出,估計(jì)包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺(tái)幣700億元,且主要支出集中在臺(tái)塑集團(tuán)身上,臺(tái)DRAM廠似乎又生龍活虎起來,開始擴(kuò)大投資規(guī)模,然相較于三星電子(Samsung Electronics)2010年在存儲(chǔ)器領(lǐng)域資本支出至少30億美元來看,臺(tái)系4家DRAM廠合計(jì)資本支出仍遠(yuǎn)落后三星,未來三星不僅將穩(wěn)坐龍頭,且恐將再度侵蝕臺(tái)DRAM廠既有市占率。   三星是這一波DRAM產(chǎn)業(yè)海嘯大贏家,這波巨浪吹倒臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè),亦讓美、日系
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  存儲(chǔ)器  

          力晶第4季DRAM產(chǎn)出大躍進(jìn) 季增率挑戰(zhàn)30~40%

          •   臺(tái)系DRAM廠為抓準(zhǔn)DRAM價(jià)格復(fù)蘇的時(shí)間點(diǎn),開始大量增加投片量,其中力晶增產(chǎn)的幅度將居冠,傳出第4季位元成長(zhǎng)率將較第3季明顯大增 30~40%,力晶11月出貨量大幅成長(zhǎng),也將反映在11月營(yíng)收上,出現(xiàn)大幅度成長(zhǎng);再者,除了DDR2芯片外,力晶也開始增加DDR3芯片產(chǎn)出,臺(tái)廠正緩慢步入DDR2和DDR3交接期。   臺(tái)廠2008年底開始進(jìn)入長(zhǎng)達(dá)3季的減產(chǎn),隨著DRAM價(jià)格在奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)退出市場(chǎng)后,由供過于求逐漸走向供給平衡,因此緩步開始增產(chǎn),尤其在營(yíng)運(yùn)開始產(chǎn)生現(xiàn)金流入后,增產(chǎn)的速度加快,現(xiàn)
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  

          對(duì)DRAM價(jià)格樂觀 力晶停止紓困

          •   力晶在DRAM價(jià)格強(qiáng)勁回文件下,將恢復(fù)財(cái)務(wù)自主能力,力晶董事會(huì)2日通過,從明年開始停止紓困,全力正常恢復(fù)營(yíng)運(yùn),可望從明年起針對(duì)銀行正常還款。力晶對(duì)第四季價(jià)格仍保持每顆2美元至2.5美元的樂觀預(yù)期,今年第四季將有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)虧為盈。   力晶昨日領(lǐng)先各大DRAM廠,率先公布10月營(yíng)收,由于產(chǎn)能滿載,加上DRAM價(jià)格回文件,該公司10月營(yíng)收達(dá)42.39億元(新臺(tái)幣,以下同)、較9月大增28%,創(chuàng)下今年以來新高,預(yù)估11月、12月營(yíng)收將會(huì)維持持續(xù)成長(zhǎng)的動(dòng)能。   力晶指出,在政府政策與銀行團(tuán)大力支持之下,透過
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  封測(cè)  

          臺(tái)系DRAM廠3Q虧損175億元 4Q可望飛越損平點(diǎn)

          •   受惠DRAM價(jià)格谷底翻身,臺(tái)系DRAM廠第3季虧損金額大幅縮小,合計(jì)力晶、茂德、南亞科和華亞科4家DRAM廠共虧新臺(tái)幣175億元,累計(jì)前3季虧損731億元,其中茂德虧損最多,華亞科虧損金額最小,展望第4季,DRAM價(jià)格持續(xù)走強(qiáng)越過2.5美元后,頗有朝3美元的實(shí)力,各廠全產(chǎn)能投片后,可望力拼單月?lián)p益兩平,其中力晶旗下瑞晶第3季已轉(zhuǎn)虧為盈,力晶董事長(zhǎng)黃崇仁也表示,若報(bào)價(jià)維持在2.5美元水平,第4季也有機(jī)會(huì)擠身獲利之林。   DRAM 產(chǎn)業(yè)在2008年此時(shí)受到供過于求嚴(yán)重失衡的影響,虧損嚴(yán)重到一度將存儲(chǔ)器
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  晶圓  

          TFC是政治正確產(chǎn)物 TIMC不能沉默是金

          •   力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息,對(duì)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)無(wú)疑是一枚深水炸彈,不論就技術(shù)自主、產(chǎn)能整合和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新等條件上,TFC都是力晶精心策劃下的「政治正確」產(chǎn)物,從條件論而言,“經(jīng)濟(jì)部"很難直接拒絕TFC計(jì)劃,尤其是現(xiàn)在臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存(TIMC)的技術(shù)來源爾必達(dá)(Elpida)在日本政府資金介入后,傳出不讓臺(tái)灣地區(qū)政府投資的謠言不絕于耳,力晶在此時(shí)拿出TFC計(jì)劃,就算不能獲得政府補(bǔ)助,也達(dá)到破壞TIMC的目的,臺(tái)灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合大戲未來要如何演下去,在各廠底
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  內(nèi)存  

          力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

          •   “經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫」20日最后截止日期,卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科宣布不送件,形同退出這次計(jì)畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company),并將這次臺(tái)灣存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局,反將了臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)一軍。力晶董事長(zhǎng)黃崇仁表示,2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash,且100%為自有技術(shù),比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟(jì)部”所要求技術(shù)扎根條件,未來力晶
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  存儲(chǔ)器  NAND   

          力晶半導(dǎo)體提交政府投資申請(qǐng)

          •   力晶半導(dǎo)體股份有限公司已遞交政府投資申請(qǐng)。   據(jù)境外媒體報(bào)道,力晶半導(dǎo)體公共關(guān)系部門一位拒絕透露姓名的管理人士稱,公司于周二下午遞交了尋求政府投資的申請(qǐng)。臺(tái)灣政府將周二設(shè)定為各公司提交申請(qǐng)的截止日期。   該管理人士拒絕透露其他細(xì)節(jié)。
          • 關(guān)鍵字: 力晶  半導(dǎo)體  

          4大DRAM廠現(xiàn)金正流入 華亞科、力晶、茂德飛越現(xiàn)金成本線

          •   DRAM價(jià)格漲不停,1Gb容量DDR2價(jià)格直逼2美元,苦熬多時(shí)的臺(tái)系DRAM廠終于進(jìn)入現(xiàn)金正流入的狀態(tài),包括華亞科、力晶和茂德營(yíng)運(yùn)都終止失血,南亞科在自己晶圓廠生產(chǎn)部分也開始有現(xiàn)金流入,但采購(gòu)自華亞科的部分,受到母子公司拆帳仍是Margin-Sharing模式,因此部分還是現(xiàn)金流出,但以整個(gè)臺(tái)塑集團(tuán)的DRAM事業(yè)來看,已進(jìn)入現(xiàn)金正流入狀態(tài),下一步臺(tái)系DRAM業(yè)者的目標(biāo)是轉(zhuǎn)虧為盈。   4 大DRAM廠2008年虧損金額超過新臺(tái)幣1,000億元,眼看龍頭廠三星電子(Samsung Electronic
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  DDR2  

          臺(tái)灣旺宏計(jì)劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠

          •   據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)灣旺宏計(jì)劃投資1600億新臺(tái)幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠,此舉將導(dǎo)致茂德、力晶等內(nèi)存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢(mèng)破碎,恐促使DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)廠雪上加霜。   旺宏是上半年臺(tái)灣唯一獲利的內(nèi)存芯片廠,積極擴(kuò)廠后,更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。   旺宏投資1600億新臺(tái)幣興建兩座12寸芯片廠的計(jì)劃,已向臺(tái)灣當(dāng)局遞交文件,申請(qǐng)進(jìn)駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預(yù)計(jì)年底前動(dòng)工,2011年初投產(chǎn),兩座新廠規(guī)劃產(chǎn)能約8萬(wàn)片,并導(dǎo)入60納米以下最新技術(shù)。   為配合旺宏建廠計(jì)
          • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  內(nèi)存芯片  
          共69條 3/5 « 1 2 3 4 5 »

          力晶介紹

          力晶于八十三年十二月創(chuàng)立于新竹科學(xué)園區(qū),業(yè)務(wù)范圍涵蓋動(dòng)記憶體制造及晶圓代工兩大類別。八十七年以科技類股票在臺(tái)灣正式掛牌上柜。八十八年發(fā)行全球存托憑證,成為我國(guó)第一家在盧森堡證券交易所上市的上柜公司。截至九十六年底,力晶擁有六千一百位員工,資本額達(dá)新臺(tái)幣七百八十二億元,年度營(yíng)收為新臺(tái)幣七百七十五億元。   為提升國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力及科技實(shí)力,力晶在設(shè)立之初即和日本三菱電機(jī)締結(jié)技術(shù)、生產(chǎn)與銷售的策略聯(lián)盟; [ 查看詳細(xì) ]

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