力積電 文章 進(jìn)入力積電技術(shù)社區(qū)
力積電多層晶圓堆疊技術(shù)獲AMD等大廠采用
- 自力積電官網(wǎng)獲悉，力積電Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術(shù)獲AMD等美、日大廠采用，將結(jié)合一線晶圓代工廠的先進(jìn)邏輯制程，開發(fā)高帶寬、高容量、低功耗的3D AI芯片，發(fā)揮3D晶圓堆疊的優(yōu)勢，為大型語言模型人工智能（LLM_AI）應(yīng)用及AI PC提供低成本、高效能的解決方案。同時針對GPU與HBM（高帶寬內(nèi)存）的高速傳輸需求，力積電推出的高密度電容IPD的2.5D Interposer（中間層），也通過國際大廠認(rèn)證，將在該公司銅鑼新廠導(dǎo)入量產(chǎn)。
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目標(biāo) 2029 年量產(chǎn) MRAM 內(nèi)存，力積電將與日企 Power Spin 合作
- IT之家 2 月 8 日消息，據(jù)日經(jīng)新聞近日報道，晶圓代工企業(yè)力積電計劃今年上半年與日企 Power Spin 達(dá)成合作，目標(biāo) 2029 年實現(xiàn) MRAM 內(nèi)存量產(chǎn)。雙方的合作中，Power Spin 將提供 MRAM 相關(guān) IP 授權(quán)，力積電進(jìn)行進(jìn)一步的量產(chǎn)化研發(fā)和試產(chǎn)，最終達(dá)到量產(chǎn)目標(biāo)?！?nbsp;力積電商標(biāo)據(jù)了解，Power Spin 由日本東北大學(xué)于 2019 年成立，持有 STT-MRAM 相關(guān)技術(shù)?！?nbsp;Power Spin 商標(biāo)MRAM 內(nèi)存是一種非易失性內(nèi)存，其在擁有高
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力積電投資55億美元在日本建廠推動汽車芯片業(yè)務(wù)發(fā)展
- 12月13日消息，力積電將借助日本新建工廠大幅發(fā)展期汽車半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。力積電首席執(zhí)行官黃崇仁在接受媒體采訪時表示：“日本有巨大的機會”，日本具有廣闊的市場前景和眾多車企聚集的地域優(yōu)勢。他補充表示，“目前汽車產(chǎn)品僅占我們銷售額的8%，通過進(jìn)軍日本市場，我們計劃在未來將這一比例提高到30%”。為了更好地進(jìn)入日本市場，力積電計劃與金融集團(tuán)SBI Holdings共同投資8000億日元（約合55億美元）建立合資企業(yè)，在日本宮城縣大平市建造新廠。第一階段，該公司將投資4200億日元，從2027年開始以每月1萬片的規(guī)模
- 關(guān)鍵字： 力積電 汽車半導(dǎo)體 晶圓
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力積電介紹
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