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          CAGR達(dá)49%,2030全球GaN功率元件市場規(guī)?;蛏?3.76億美元

          • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power Device市場分析》顯示,隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源,功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR(復(fù)合年增長率)高達(dá)49%。其中非消費類應(yīng)用比例預(yù)計會從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。AI應(yīng)用普及,GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術(shù)的演進(jìn),帶動算力需求持續(xù)攀升,C
          • 關(guān)鍵字: CAGR  GaN  功率元件  

          TrendForce:預(yù)計2030年全球GaN功率元件市場規(guī)模上升至43.76億美元

          • 8月15日消息,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告顯示,隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術(shù)傾注更多資源,功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR(復(fù)合年增長率)高達(dá)49%。報告顯示,非消費類應(yīng)用比例預(yù)計會從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  德州儀器  GaN  功率元件  

          2023年SiC功率元件營收排名,ST以32.6%市占率穩(wěn)居第一

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動汽車應(yīng)用的驅(qū)動下保持強勁成長,前五大SiC功率元件供應(yīng)商約占整體營收91.9%,其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先,onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢分析,2024年來自AI服務(wù)器等領(lǐng)域的需求則顯著大增,然而,純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應(yīng)鏈,預(yù)計2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。作為關(guān)鍵的車用SiC MOSFE
          • 關(guān)鍵字: SiC  功率元件  ST  

          ADI氮化鎵功率元件和工具為設(shè)計帶來了機會

          • 氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體在 20 世紀(jì) 90 年代初首次作為高亮度藍(lán)色發(fā)光二極管 (LED) 投入商業(yè)應(yīng)用,隨后成為藍(lán)光光盤播放器的核心技術(shù)。自此以后雖已取得長足進(jìn)步,但在將近二十年后,該技術(shù)才因其高能效特性而在場效應(yīng)晶體管 (FET) 上實現(xiàn)商業(yè)可行性。氮化鎵目前是半導(dǎo)體行業(yè)增長最快的細(xì)分市場之一,復(fù)合年增長率估計在 25% 至 50% 之間,其驅(qū)動力來自對能效更高設(shè)備的需求,以期實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展和電氣化目標(biāo)。與硅晶體管相比,氮化鎵晶體管可以設(shè)計出體積更小、效率更高的器件。氮化鎵最初
          • 關(guān)鍵字: ADI  氮化鎵  功率元件  

          集邦咨詢:新能源車需求助攻GaN功率元件

          • TrendForce集邦咨詢表示,2021年隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升,驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增,使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中,以GaN功率元件成長幅度最高,預(yù)估今年營收將達(dá)8,300萬美元,年增率高達(dá)73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究,GaN功率元件,其主要應(yīng)用大宗在于消費性產(chǎn)品,至2025年市場規(guī)模將達(dá)8.5億美元,年復(fù)合成長率高達(dá)78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費性電子60%、新能源車20
          • 關(guān)鍵字: 新能源車  GaN  功率元件  

          技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件

          • 與SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員,以論
          • 關(guān)鍵字: SiC  講座  功率元件  氧化鎵    

          使用燒結(jié)銅的功率元件封裝技術(shù) 可靠性提高10倍

          •   日立制作所在“PCIMEurope2016”并設(shè)的會議上發(fā)表了使用燒結(jié)銅的功率元件封裝技術(shù)。該技術(shù)的特點是,雖為無鉛封裝材料,但可降低材料成本并提高可靠性。   對作為可靠性指標(biāo)的“功率循環(huán)耐受量”實施測定的結(jié)果顯示,循環(huán)次數(shù)達(dá)到了以往含鉛焊錫的10倍以上。具體來說,在功率元件最大結(jié)溫(Tjmax)為175℃、ΔTj為125℃的條件下實施功率循環(huán)試驗時,以往的含鉛焊錫最高為5萬次,而使用燒結(jié)銅時達(dá)到55萬次。在實施-40℃至+200℃的熱循
          • 關(guān)鍵字: 功率元件  功率元件  

          電源系統(tǒng)設(shè)計的無風(fēng)險路徑(下)

          •   接上篇 ???? 步驟2——構(gòu)建   構(gòu)建系統(tǒng)的第一個步驟是創(chuàng)建一個電源系統(tǒng)的方框圖,從輸出開始,然后向輸入后向推進(jìn)。從最低功率級別開始它的運作更好,并從那里繼續(xù)工作,以便可以審查功率元件類別,并隨功率級別的增加在必要時做出改變。   根據(jù)適當(dāng)功率級別選擇正確的元件類別非常重要。例如,在低功耗條件下,系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品(SiP),如Vicor ZVS降壓穩(wěn)壓器是最好的解決方案。在較高功率級別,更好的方法可能是使用Vicor的ChiP
          • 關(guān)鍵字: Vicor  電源系統(tǒng)  功率元件  SELV  穩(wěn)壓器  

          電源系統(tǒng)設(shè)計的無風(fēng)險路徑(上)

          •   摘要:現(xiàn)在,高性能電源系統(tǒng)已經(jīng)有了長足進(jìn)展,設(shè)計人員正在使用多個輸入電壓,驅(qū)動種類繁多應(yīng)用的多路電壓軌。為了確保PoL穩(wěn)壓器盡可能靠近負(fù)載的需求,設(shè)計人員需要在一個非常小的范圍實現(xiàn)大量功率轉(zhuǎn)換功能。與此同時,企業(yè)資源正趨于擴展到工程師,常常是由多面手,而不是電源專家來負(fù)責(zé)設(shè)計電源系統(tǒng)。因此,當(dāng)今復(fù)雜的電源要求可能令設(shè)計人員非常頭痛:如何利用不同資源為多樣化的負(fù)載提供高性能電源,從而保證架構(gòu)的所有部分都在其功率和散熱范圍內(nèi)運行,同時還可優(yōu)化效率和成本目標(biāo)。   工程師如何充分利用現(xiàn)在可用的高性能構(gòu)建模
          • 關(guān)鍵字: Vicor  電源系統(tǒng)  功率元件  SELV  穩(wěn)壓器  201412  

          強化功率元件戰(zhàn)力 MCU廠猛攻直流變頻馬達(dá)

          •   微控制器(MCU)廠商正積極補強功率半導(dǎo)體元件戰(zhàn)力,強攻直流變頻馬達(dá)市場。無論是直流無刷馬達(dá)(BLDC)或永磁同步馬達(dá)(PMSM),其與交流感應(yīng)馬達(dá)最大的不同之處,就在于變頻電路的設(shè)計,因此MCU廠為了直攻變頻馬達(dá)市場,除了提升MCU的控制性能之外,亦戮力強化與MCU搭配的功率元件戰(zhàn)力。   德州儀器(TI)馬達(dá)事業(yè)部現(xiàn)場應(yīng)用工程師劉俊男表示,歐盟在2015年時預(yù)計將7.5千瓦(kW)以上之馬達(dá)最低能效標(biāo)準(zhǔn)(MEPS)提升至IE3,到2017年時,才將IE3管制范圍向下探至0.75kW以上,從這
          • 關(guān)鍵字: 功率元件  MCU  

          英飛凌:GaN功率元件前景雖好,但采用為時尚早

          • GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件,被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日,來自英飛凌的MarkMuenzer表示,其前景雖好,但是還沒到廣泛使用的時候,因它還有很多未被探索出來的部分。
          • 關(guān)鍵字: GaN.功率元件  

          車用功率元件新思路,滿足車規(guī)為首要任務(wù)

          • 隨著美國電動車大廠Tesla在電動車市場開始突破重圍后,全球電動車市場也開始彌漫著一股相當(dāng)樂觀的氣氛。不過, ...
          • 關(guān)鍵字: 功率元件  車規(guī)  

          PV逆變器應(yīng)用升溫,推動SiC功率元件發(fā)展

          • 碳化硅(SiC)功率元件正快速在太陽能(PV)逆變器應(yīng)用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳...
          • 關(guān)鍵字: PV  逆變器  SiC  功率元件  

          技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率

          • 與SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員,以論
          • 關(guān)鍵字: SiC  講座  功率元件  氧化鎵    

          技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(二)

          • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時,可使用“FZ(floatingzone)法”及“EFG(edge-definedfilm-fed...
          • 關(guān)鍵字: 氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED  
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