了解推挽式B類放大器的工作原理，如何計算其效率，以及其性能與電感性負載A類設計的比較。正如我們在上一篇文章中所討論的，單晶體管B類放大器（圖1）使用高Q諧振電路作為負載來抑制較高的諧波分量。通過使用高Q諧振電路，輸出電壓僅包含基波分量，使放大器能夠忠實地再現輸入信號。通過短接諧波分量，高Q諧振使輸出電壓成為基頻的正弦波，盡管集電極電流是半波整流的正弦波。 單晶體管B類RF放大器的電路圖。圖1：單晶體管B類RF放大器。除了使用高Q電容器，我們還可以通過迫使兩個半正弦波脈沖以相反方向通過負載來消除B
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推挽式 功率放大器
B類功率放大器是如何工作的？是什么讓它比A類功率放大器更高效？在這篇文章中了解答案。高效射頻功率放大器（PA）在許多應用中都至關重要，從手持通信設備到大型有源元件相控陣天線。例如，在上述手持設備中，更高的效率意味著更低的功耗，從而可以延長通話時間。我們在之前的文章中了解到，電感性負載的A類放大器提供的最大可獲得效率僅為50%。本文介紹了B類功率放大器，其理論最大效率為78.5%。在討論了B類放大器的基本特性后，我們將探討效率差異的原因。請注意，本文中使用的分析表達式是近似的，因為它們涉及大信號和強非線性，
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功率放大器
了解電感負載共射極級如何用作功率放大器。本系列的前一篇文章討論了使用電阻性負載共發射極電路作為功率放大器（PA）的挑戰和局限性。在最后一節中，我們了解到，通過使用大型電感器作為共發射極配置的負載，可以解決許多挑戰。在本文中，我們將更全面地研究電感性負載的A類放大器。讓我們從圖1中的基本電感性負載共射極配置開始我們的研究。電感負載共射極放大器的電路圖。 圖1：電感負載共射極放大器的簡單版本您可能已經注意到，圖1看起來與我們上次介紹的電感負載PA有些不同。與本文稍后將討論的放大器版本不同，該電路缺少
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電感負載共射極放大器 功率放大器
射頻放大器設計是一項具有挑戰性的任務，涉及線性度、效率、增益和輸出功率之間的權衡。在這里，我們研究共發射極電路如何能夠或不能用作功率放大器。本系列之前的文章討論了小信號放大器，它通常設計用于增益和線性，而不是功率傳輸。如果接下來的電路具有純電容輸入阻抗，則小信號放大器可能會提供特定的電壓或電流增益，而不會向實際負載傳輸任何明顯的功率。由于小信號放大器不處理高功率電平，因此功率處理能力和功率效率也不是其主要設計要求。在接下來的幾篇文章中，我們將討論一些截然不同的內容：射頻功率放大器。功率放大器（PA）出現在
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射頻放大器 功率放大器
車載功放輻射發射案例評論：此案例應該指出PCB板與金屬外殼的連接方式（是否連接，怎么連接）。以分析騷擾路徑。
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功率放大器 汽車電子
RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術，有時設計具有一定挑戰性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術需要柵極負電壓工作。這曾經被視為負面的——此處“負面”和“負極”并非雙關語——但今天，有一些技術使這種柵極負壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來更多其他優勢。我們將在下
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Qorvo GaN 功率放大器
假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應晶體管(FET)需要負柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。
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pHEMT 功率放大器 有源偏置
假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應晶體管(FET)需要負柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關斷的時序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。引言圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡
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ADI pHEMT 功率放大器
我們設計了一個使用 MOSFET 的功率放大電路，可產生 100W 的輸出功率，驅動約 8 歐姆的負載。 所設計的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優點。工作原理：該電路采用多級功率放大原理，包括前置放大器、驅動器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驅動級是帶有電流鏡負載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅動電路簡單、熱穩定性較低、輸入阻抗高等優點。前置放大器由兩級差分放大器電路組成，用于產生無噪聲放大信號
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功率放大器 MOSFET
功率放大電路是輸出阻抗最小的電路，用于驅動揚聲器等負載，這些負載需要低阻抗大功率。在這里，我們設計了一個使用推挽式 AB 類配置的功率放大器電路，以獲得 150W 的功率來驅動 8 歐姆的負載（揚聲器）。功率放大器電路的原理：該電路的基本原理是雙極結型晶體管的不同偏置方式。 麥克風輸出的電信號非常低。使用 CE 配置的雙極結型晶體管在 A 類模式下偏壓，可將該低壓信號放大至可持續電平。在這種模式下，輸出為反相放大信號。該信號為低功耗信號。 以 AB 類配置排列的兩個達林頓功率晶體管可放大該信號的功率電平。
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功率放大器
學習模擬電子技術基礎，和電子技術相關領域的朋友，在學習構建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯系和區別呢？在構建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？學習模擬電子技術基礎，和電子技術相關領域的朋友，在學習構建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯系和區別呢？在構建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？首先我們明確一下二者的概念三極管：全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控
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●? ?全新的迭代學習控制算法將功率放大器的數字預失真測試時間從幾小時縮短到幾分鐘●? ?測試方法助力功率放大器制造商縮短研發周期并加快上市時間●? ?漢威光電（Hexawave） 是 富采控股（Ennostar Group ）的子公司，率先采用全新的測試方法來表征高效寬帶砷化鎵功率放大器是德科技公司近日宣布，推出全新的迭代學習控制（ILC）測試方法極大縮短功率放大器的數字預失真 (DPD) 測試時間。是德科技提供先進的設計和驗證解決方案，旨在加
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多射頻設計人員都對 Franklin Douglass 的名言深有同感：“沒有斗爭就沒有進步?！痹跒?5G 進行設計時，尤其如此?？萍加型淖儫o線通信，但也會帶來設計難題。利用功率放大器模塊 (PAM) 來化解。以下是你需要知道的一切。這篇博文首次發布在 Mouser Electronics 網站https://www.mouser.com/blog/power-amplifier-modules-role-5g-design 上。5G 是無線通信市場領域有史以來十分重要的強大技術之一。與 4G 相比，5
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Qorvo 功率放大器 5G
摘要：針對WIFI 6E頻段的設備需求，設計了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質結雙極型晶體
管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級放大拓撲結構，采用自適應偏置電路結構解決HBT晶體管在
大功率輸入下偏置點變化及自熱效應引起增益及線性度惡化的問題。測試結果表明，在5.9?GHz~7.2?GHz頻段
內，功率放大器增益＞27?dB，輸出飽和功率＞1?W，附加效率＞24 %，芯片面積：1.24?mm×1.27?mm。關鍵詞：功率放大器；WIFI 6E；GaAs HBT近
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202206 功率放大器 WIFI 6E GaAs HBT
功率放大器原理利用三極管的電流控制作用或場效應管的電壓控制作用將電源的功率轉換為按照輸入信號變化的電流。因為聲音是不同振幅和不同頻率的波，即交流信號電流，三極管的集電極電流永遠是基極電流的β倍，β是三極管的交流放大倍數，應用這一點，若將小信號注入基極，則集電極流過的電流會等于基極電流的β倍，然后將這個信號用隔直電容隔離出來，就得到了電流（或電壓）是原先的β倍的大信號，這現象成為三極管的放大作用。經過不斷的電流放大，就完成了功率放大。功率放大器基本組成功率放大器通常由3部分組成：前置放大器、驅動放大器、末級
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功率放大器 PA
功率放大器介紹
功率放大器簡介 利用三極管的電流控制作用或場效應管的電壓控制作用將電源的功率轉換為按照輸入信號變化的電流。因為聲音是不同振幅和不同頻率的波，即交流信號電流，三極管的集電極電流永遠是基極電流的β倍，β是三極管的交流放大倍數，應用這一點，若將小信號注入基極，則集電極流過的電流會等于基極電流的β倍，然后將這個信號用隔直電容隔離出來，就得到了電流(或電壓)是原先的β倍的大信號，這現象成為三極管的放大作用 [
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