功率放大器 文章 進(jìn)入功率放大器技術(shù)社區(qū)
如何測量功率放大器性能？為什么EVM和ACPR很重要？一篇文章帶你了解功率放大器測量
- G應(yīng)用帶來了通信技術(shù)的革命性變革，在無線通信系統(tǒng)中，功率放大器(Power Amplifier, 簡稱PA)占據(jù)傳輸鏈的最后一級，為天線提供所需的射頻功率，是通信系統(tǒng)中射頻鏈路質(zhì)量的重要貢獻(xiàn)者。如圖1所示。功率放大器(PA)是5G發(fā)射機(jī)傳輸質(zhì)量和電池壽命的關(guān)鍵決定因素。? 圖1 典型通信射頻傳輸鏈路在很多表征功率放大器性能的指標(biāo)中，誤差矢量幅度（EVM）和鄰道功率比（ACPR）是最為關(guān)鍵的，EVM和ACPR指標(biāo)可以量化功率放大器的非線性性能。通常使用EVM作為帶內(nèi)失真的考量，而ACPR則用來衡量帶外特性。
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預(yù)補(bǔ)償方法以減少Class D功率放大器的爆裂噪聲
- 1 ?摘要如今，Class D功率放大器在音頻系統(tǒng)中被廣泛使用。?然而，在放大器啟動(dòng)或關(guān)閉時(shí)，以及在靜音 / 取消靜音??切換期間，揚(yáng)聲器中經(jīng)常會出現(xiàn)爆裂聲或點(diǎn)擊聲。這些 ?噪音可能會被聽到，并使用戶感到不適。在音頻系統(tǒng)中???靜音功率放大器是避免在啟動(dòng)或關(guān)閉期間出現(xiàn)爆裂聲的??有效方法。此外，音頻系統(tǒng)有時(shí)播放音樂，有時(shí)停止播 ?放，這需要頻繁地靜音或取消靜音放大器。因此，爆裂 ?聲是頻
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推挽式B類功率放大器的基本原理
- 了解推挽式B類放大器的工作原理，如何計(jì)算其效率，以及其性能與電感性負(fù)載A類設(shè)計(jì)的比較。正如我們在上一篇文章中所討論的，單晶體管B類放大器（圖1）使用高Q諧振電路作為負(fù)載來抑制較高的諧波分量。通過使用高Q諧振電路，輸出電壓僅包含基波分量，使放大器能夠忠實(shí)地再現(xiàn)輸入信號。通過短接諧波分量，高Q諧振使輸出電壓成為基頻的正弦波，盡管集電極電流是半波整流的正弦波。 單晶體管B類RF放大器的電路圖。圖1：單晶體管B類RF放大器。除了使用高Q電容器，我們還可以通過迫使兩個(gè)半正弦波脈沖以相反方向通過負(fù)載來消除B
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B類功率放大器介紹
- B類功率放大器是如何工作的？是什么讓它比A類功率放大器更高效？在這篇文章中了解答案。高效射頻功率放大器（PA）在許多應(yīng)用中都至關(guān)重要，從手持通信設(shè)備到大型有源元件相控陣天線。例如，在上述手持設(shè)備中，更高的效率意味著更低的功耗，從而可以延長通話時(shí)間。我們在之前的文章中了解到，電感性負(fù)載的A類放大器提供的最大可獲得效率僅為50%。本文介紹了B類功率放大器，其理論最大效率為78.5%。在討論了B類放大器的基本特性后，我們將探討效率差異的原因。請注意，本文中使用的分析表達(dá)式是近似的，因?yàn)樗鼈兩婕按笮盘柡蛷?qiáng)非線性，
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電感負(fù)載A類功率放大器簡介
- 了解電感負(fù)載共射極級如何用作功率放大器。本系列的前一篇文章討論了使用電阻性負(fù)載共發(fā)射極電路作為功率放大器（PA）的挑戰(zhàn)和局限性。在最后一節(jié)中，我們了解到，通過使用大型電感器作為共發(fā)射極配置的負(fù)載，可以解決許多挑戰(zhàn)。在本文中，我們將更全面地研究電感性負(fù)載的A類放大器。讓我們從圖1中的基本電感性負(fù)載共射極配置開始我們的研究。電感負(fù)載共射極放大器的電路圖。 圖1：電感負(fù)載共射極放大器的簡單版本您可能已經(jīng)注意到，圖1看起來與我們上次介紹的電感負(fù)載PA有些不同。與本文稍后將討論的放大器版本不同，該電路缺少
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A類功率放大器簡介：共發(fā)射極PA
- 射頻放大器設(shè)計(jì)是一項(xiàng)具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)，涉及線性度、效率、增益和輸出功率之間的權(quán)衡。在這里，我們研究共發(fā)射極電路如何能夠或不能用作功率放大器。本系列之前的文章討論了小信號放大器，它通常設(shè)計(jì)用于增益和線性，而不是功率傳輸。如果接下來的電路具有純電容輸入阻抗，則小信號放大器可能會提供特定的電壓或電流增益，而不會向?qū)嶋H負(fù)載傳輸任何明顯的功率。由于小信號放大器不處理高功率電平，因此功率處理能力和功率效率也不是其主要設(shè)計(jì)要求。在接下來的幾篇文章中，我們將討論一些截然不同的內(nèi)容：射頻功率放大器。功率放大器（PA）出現(xiàn)在
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面向GaN功率放大器的電源解決方案
- RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負(fù)壓偏置使其在設(shè)計(jì)上有別于其它技術(shù)，有時(shí)設(shè)計(jì)具有一定挑戰(zhàn)性；但它的性能在許多應(yīng)用中是獨(dú)特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負(fù)電壓工作。這曾經(jīng)被視為負(fù)面的——此處“負(fù)面”和“負(fù)極”并非雙關(guān)語——但今天，有一些技術(shù)使這種柵極負(fù)壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來更多其他優(yōu)勢。我們將在下
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pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案
- 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。
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pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案
- 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。引言圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡
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100W MOSFET功率放大器電路
- 我們設(shè)計(jì)了一個(gè)使用 MOSFET 的功率放大電路，可產(chǎn)生 100W 的輸出功率，驅(qū)動(dòng)約 8 歐姆的負(fù)載。 所設(shè)計(jì)的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點(diǎn)。工作原理：該電路采用多級功率放大原理，包括前置放大器、驅(qū)動(dòng)器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驅(qū)動(dòng)級是帶有電流鏡負(fù)載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅(qū)動(dòng)電路簡單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點(diǎn)。前置放大器由兩級差分放大器電路組成，用于產(chǎn)生無噪聲放大信號
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150W功率放大器電路
- 功率放大電路是輸出阻抗最小的電路，用于驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器等負(fù)載，這些負(fù)載需要低阻抗大功率。在這里，我們設(shè)計(jì)了一個(gè)使用推挽式 AB 類配置的功率放大器電路，以獲得 150W 的功率來驅(qū)動(dòng) 8 歐姆的負(fù)載（揚(yáng)聲器）。功率放大器電路的原理：該電路的基本原理是雙極結(jié)型晶體管的不同偏置方式。 麥克風(fēng)輸出的電信號非常低。使用 CE 配置的雙極結(jié)型晶體管在 A 類模式下偏壓，可將該低壓信號放大至可持續(xù)電平。在這種模式下，輸出為反相放大信號。該信號為低功耗信號。 以 AB 類配置排列的兩個(gè)達(dá)林頓功率晶體管可放大該信號的功率電平。
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功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？
- 學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？首先我們明確一下二者的概念三極管：全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控
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是德科技推出全新解決方案加速功率放大器數(shù)字預(yù)失真測試
- ●? ?全新的迭代學(xué)習(xí)控制算法將功率放大器的數(shù)字預(yù)失真測試時(shí)間從幾小時(shí)縮短到幾分鐘●? ?測試方法助力功率放大器制造商縮短研發(fā)周期并加快上市時(shí)間●? ?漢威光電（Hexawave） 是 富采控股（Ennostar Group ）的子公司，率先采用全新的測試方法來表征高效寬帶砷化鎵功率放大器是德科技公司近日宣布，推出全新的迭代學(xué)習(xí)控制（ILC）測試方法極大縮短功率放大器的數(shù)字預(yù)失真 (DPD) 測試時(shí)間。是德科技提供先進(jìn)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證解決方案，旨在加
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功率放大器模塊及其在5G設(shè)計(jì)中的作用
- 多射頻設(shè)計(jì)人員都對 Franklin Douglass 的名言深有同感：“沒有斗爭就沒有進(jìn)步?！痹跒?5G 進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，尤其如此?？萍加型淖儫o線通信，但也會帶來設(shè)計(jì)難題。利用功率放大器模塊 (PAM) 來化解。以下是你需要知道的一切。這篇博文首次發(fā)布在 Mouser Electronics 網(wǎng)站https://www.mouser.com/blog/power-amplifier-modules-role-5g-design 上。5G 是無線通信市場領(lǐng)域有史以來十分重要的強(qiáng)大技術(shù)之一。與 4G 相比，5
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功率放大器介紹
功率放大器簡介 利用三極管的電流控制作用或場效應(yīng)管的電壓控制作用將電源的功率轉(zhuǎn)換為按照輸入信號變化的電流。因?yàn)槁曇羰遣煌穹筒煌l率的波，即交流信號電流，三極管的集電極電流永遠(yuǎn)是基極電流的β倍，β是三極管的交流放大倍數(shù)，應(yīng)用這一點(diǎn)，若將小信號注入基極，則集電極流過的電流會等于基極電流的β倍，然后將這個(gè)信號用隔直電容隔離出來，就得到了電流(或電壓)是原先的β倍的大信號，這現(xiàn)象成為三極管的放大作用 [ 查看詳細(xì) ]
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