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	功率晶體管
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率
          
                                                            
            
                    	
          • 　　恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應(yīng)用其業(yè)界領(lǐng)先的第七代橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）技術(shù)的首款產(chǎn)品，專為高功耗和Doherty放大器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。恩智浦的第七代LDMOS技術(shù)可以實現(xiàn)目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產(chǎn)品相比，功率密度提高了20%，功率效率增長了兩個百分點，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會期間進(jìn)行展示。
　　恩智浦R
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          • 關(guān)鍵字：
                        恩智浦  LDMOS  基站  功率晶體管                          
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          功率晶體管介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	耗散功率在 1瓦以上的晶體管。在電力電子器件中為一大類，包括雙極型功率晶體管、功率場效應(yīng)晶體管、功率靜電感應(yīng)晶體管、隔離柵晶體管、復(fù)合晶體管等。通常，功率晶體管是雙極型功率晶體管的簡稱。
　　制造功率晶體管用的半導(dǎo)體材料多為單晶硅（也有用鍺或砷化鎵的）。器件的心片通常裝在散熱良好的金屬塊上。功率晶體管往往做成功率集成器件，其一個器件的心片上就含有數(shù)十個乃至上萬個并聯(lián)的晶體管單元。
　　功率晶體		      	[ 查看詳細(xì) ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		  		
  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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