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          一種基于LDMOS器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化提升功率放大器功率附加效率 的方法

          •   吳錦帆(電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院??四川??成都??610054)  摘?要:本文介紹了一種通過(guò)改進(jìn)LDMOS的器件結(jié)構(gòu),提升以LDMOS搭建的功率放大器的功率附加效率大信號(hào)指標(biāo)的方法。在器件仿真環(huán)境中,通過(guò)對(duì)LDMOS的漂移區(qū)進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化,提升器件的小信號(hào)增益,然后利用器件等效建模技術(shù),在電路仿真環(huán)境中,搭建出功率放大器進(jìn)行大信號(hào)仿真,在相同的工作條件下功率附加效率提升了約5%左右。  關(guān)鍵詞:LDMOS;功率放大器;功率附加效率  0 引言  橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(RFLDMO
          • 關(guān)鍵字: 202006  LDMOS  功率放大器  功率附加效率  
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          功率附加效率介紹

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