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MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算介紹
- 我們先來看看MOS關(guān)模型：
Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容 - 關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 功耗計(jì)算
MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法
- 我們先來看看MOS關(guān)模型：
Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容 - 關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 功耗計(jì)算 方法
MOSFET驅(qū)動(dòng)器介紹及功耗計(jì)算
- 我們先來看看MOS關(guān)模型：
Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
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功耗計(jì)算介紹
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