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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 化合物半導(dǎo)體

          布局海外市場,兩家半導(dǎo)體企業(yè)開展合作

          • 根據(jù)合肥安賽思半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱:安賽思)官方消息,5月18日,安賽思與新加坡三福半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱:三福半導(dǎo)體)簽署戰(zhàn)略合作備忘錄儀式暨安徽大學(xué)與三福半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室揭牌儀式正式舉行。據(jù)介紹,安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導(dǎo)體功率器件智能驅(qū)動技術(shù)及衍生產(chǎn)品的高新技術(shù)企業(yè),目前已成功開發(fā)了IGBT和SiC智能驅(qū)動模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產(chǎn)品,應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋電動汽車、智能制造、機(jī)電設(shè)備和航空航天等。三福半導(dǎo)體聚焦集成電路設(shè)計(jì)、制造和封裝測試,致力于先進(jìn)技術(shù)研發(fā)、成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  化合物半導(dǎo)體  

          這家GaN外延工廠開業(yè)!

          • 作為第三代半導(dǎo)體兩大代表材料,SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展,頻頻傳出各類利好消息;GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中,圍繞新品新技術(shù)、融資并購合作、項(xiàng)目建設(shè)等動作,不時(shí)有新動態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目方面,上個(gè)月,能華半導(dǎo)體張家港制造中心(二期)項(xiàng)目在張家港經(jīng)開區(qū)再制造基地正式開工建設(shè)。據(jù)悉,能華半導(dǎo)體張家港制造中心(二期)項(xiàng)目總投資6000萬元,總建筑面積約10000平方米,將新建GaN外延片產(chǎn)線。項(xiàng)目投產(chǎn)后,將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日,又有一個(gè)GaN外延片項(xiàng)目取得新進(jìn)展。5
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  氮化鎵  化合物半導(dǎo)體  

          新一代化合物半導(dǎo)體有望在2027年大規(guī)模生產(chǎn)?

          • 2月20日,據(jù)日刊工業(yè)新聞報(bào)道,電子元器件廠商Qualtec將于2027年開始大規(guī)模生產(chǎn)超寬帶隙半導(dǎo)體材料二氧化鍺 (GeO2) 晶圓。據(jù)了解,GeO2被認(rèn)為是下一代功率半導(dǎo)體,并且是使用即將普及的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的下一代化合物半導(dǎo)體的候選者。與SiC相比,GeO2制成的功率半導(dǎo)體在高電壓和高輸出范圍內(nèi)表現(xiàn)出良好性能的潛力。目前,該公司正在與主要開發(fā)商Patentix合作,以盡快將其推向市場。Qualtec計(jì)劃在2027年之前提供用于設(shè)備原型開發(fā)的2英寸外延晶圓樣品。與此同時(shí),該公司還將
          • 關(guān)鍵字: 化合物半導(dǎo)體  

          筑波科技與美商泰瑞達(dá)攜手ETS 開創(chuàng)化合物半導(dǎo)體IC的動態(tài)測試新紀(jì)元

          • 圖 筑波科技華南區(qū)銷售總監(jiān)黃博彥Fred Huang、ETS動態(tài)測試方案筑波科技(ACE Solution)與美商泰瑞達(dá)(Teradyne)攜手合作,推出ETS GaN Mos、Power Module、IGBT測試整合方案,為半導(dǎo)體行業(yè)市場帶來突破性的競爭優(yōu)勢。半導(dǎo)體功能測試(FT)向來需要克服各種挑戰(zhàn),包括復(fù)雜的案例設(shè)計(jì)、執(zhí)行和系統(tǒng)維護(hù)、數(shù)據(jù)分析管理,以及對測試環(huán)境穩(wěn)定性的高度要求。如何以單一機(jī)臺實(shí)現(xiàn)CP與FT測試的一機(jī)多用,實(shí)現(xiàn)DUT批次特性驗(yàn)證,產(chǎn)線大批量生產(chǎn)並兼顧「動態(tài)和靜態(tài)」測試,成為了業(yè)界關(guān)
          • 關(guān)鍵字: 筑波  泰瑞達(dá)  ETS  化合物半導(dǎo)體  動態(tài)測試  

          在SEMICON China 2020上探討功率及化合物半導(dǎo)體技術(shù)及發(fā)展前景

          • 6月28-29日,“功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇2020”于SEMICON China 2020同期在上海浦東嘉里酒店成功舉辦。此次論壇重點(diǎn)討論的主題包括:寬頻帶隙功率電子學(xué)、光電子學(xué)、通信中的復(fù)合半導(dǎo)體和新興功率器件技術(shù)。SEMI中國區(qū)總裁居龍先生出席會議致辭。他表示歡迎來參加SEMICON China,這屆展會舉辦著實(shí)不易,這是一個(gè)堅(jiān)持,舉辦過程中排除萬難曲曲折折。功率化合物半導(dǎo)體這個(gè)市場成長非??焖伲梢灶A(yù)見今后幾年市場將繼續(xù)爆發(fā),尤其5G時(shí)代來臨,還有汽車電子對于功率方面的需求,“我想這是一個(gè)重大的
          • 關(guān)鍵字: SEMICON China  化合物半導(dǎo)體  
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          化合物半導(dǎo)體介紹

            compound semiconductor   通常所說的化合物半導(dǎo)體多指晶態(tài)無機(jī)化合物半導(dǎo)體,即是指由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物,并具有確定的禁帶寬度和能帶結(jié)構(gòu)等半導(dǎo)體性質(zhì)。包括晶態(tài)無機(jī)化合物(如III-V族、II-VI族化合物半導(dǎo)體)及其固溶體、非晶態(tài)無機(jī)化合物(如玻璃半導(dǎo)體)、有機(jī)化合物(如有機(jī)半導(dǎo)體)和氧化物半導(dǎo)體等。通常所說的化合物半導(dǎo)體多指晶態(tài)無機(jī)化合物半 [ 查看詳細(xì) ]

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