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半導(dǎo)體制程
半導(dǎo)體制程 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體制程技術(shù)社區(qū)
資騰科技在Semicon China 2024展示ESG創(chuàng)新力,推出優(yōu)化半導(dǎo)體制程產(chǎn)品
- 佳世達(dá)集團(tuán)羅升企業(yè)旗下資騰科技(Standard Technology Corporation)參加Semicon China 2024展覽,展示多項(xiàng)協(xié)助優(yōu)化半導(dǎo)體制程的創(chuàng)新產(chǎn)品,如超潔凈金屬氣體過(guò)濾器、超高精度光阻涂布泵等。該展覽于3月20日至22日在上海新國(guó)際博覽中心舉行,資騰科技的展位位于N3館3145號(hào)。資騰科技總經(jīng)理陳國(guó)榮表示,因應(yīng)全球ESG、第三代半導(dǎo)體等趨勢(shì)需求,今年資騰科技將展示一系列針對(duì)半導(dǎo)體制造行業(yè)的創(chuàng)新產(chǎn)品,旨在提高制程效率、減少環(huán)境負(fù)荷,并支持產(chǎn)業(yè)的永續(xù)發(fā)展。以下是其中幾項(xiàng)亮點(diǎn)產(chǎn)品
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美日荷芯片協(xié)議后ASML透露兩點(diǎn)信息,外媒:目標(biāo)鎖死芯片發(fā)展空間
- 在美日荷三方芯片協(xié)議曝光之后,作為和芯片產(chǎn)業(yè)息息相關(guān)的ASML也正面表態(tài),透露出芯片三方協(xié)議中的兩個(gè)關(guān)鍵s內(nèi)容。第一點(diǎn)是ASML現(xiàn)任CEO溫彼得(Peter Wennink)公開(kāi)表態(tài)“三方芯片協(xié)議將擴(kuò)大限制范圍,不再局限于EUV光刻機(jī)等最先進(jìn)的設(shè)備”(We understand that steps have been taken that would cover advanced lithography tools as well as other types of equipment)。第二點(diǎn)則是芯片
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韓國(guó)SKC有望下半年量產(chǎn)半導(dǎo)體關(guān)鍵材料
- 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道,韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部20日宣布,韓國(guó)化學(xué)大廠SKC目前正對(duì)用于半導(dǎo)體制程的光罩基板(Mask Blank)的試作樣品展開(kāi)測(cè)試,預(yù)計(jì)2020年下半年正式展開(kāi)量產(chǎn)。
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系統(tǒng)層級(jí)靜電放電與芯片層級(jí)靜電放電之差異性
- 隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的不斷演進(jìn),以及集成電路大量的運(yùn)用在電子產(chǎn)品中,靜電放電已經(jīng)成為影響電子產(chǎn)品良率的主要因素。美國(guó)最近公布因?yàn)殪o電放電而造 成的國(guó)家損失,一年就高達(dá)兩百多億美金,而光是電子產(chǎn)品部份就達(dá)到一百多億美金之多。
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半導(dǎo)體制程技術(shù)邁入3D 2013年可視為量產(chǎn)元年
- 時(shí)序即將進(jìn)入2012年,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進(jìn)行變革,其中3D IC便為未來(lái)芯片發(fā)展趨勢(shì),將促使供應(yīng)鏈加速投入3D IC研發(fā),其中英特爾(Intel)在認(rèn)為制程技術(shù)將邁入3D下,勢(shì)必激勵(lì)其本身的制程創(chuàng)新。另外在半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期3D IC有機(jī)會(huì)于2013年出現(xiàn)大量生產(chǎn)的情況下,預(yù)估2013年也可視為是3D IC量產(chǎn)元年。 3D IC為未來(lái)芯片發(fā)展趨勢(shì),其全新架構(gòu)帶來(lái)極大改變,英特爾即認(rèn)為,制程技術(shù)將邁入3D,未來(lái)勢(shì)必激勵(lì)技術(shù)創(chuàng)新。英特爾實(shí)驗(yàn)室日前便宣布與工研院合作,共同合作開(kāi)發(fā)3D IC架構(gòu)且具低功耗
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十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)
- 晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國(guó)舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的,可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn),但在 7納米節(jié)點(diǎn)以下,半導(dǎo)體制程微縮的最大挑戰(zhàn)來(lái)自于經(jīng)濟(jì),并非技術(shù)。
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日本災(zāi)難給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)前所未有的破壞
- 據(jù)Computer world報(bào)道,分析師表示,日本地震對(duì)全球計(jì)算機(jī)芯片業(yè)產(chǎn)生了前所未有的破壞。 日本的這次災(zāi)難包括一次高強(qiáng)度的地震、海嘯和持續(xù)的由核泄漏引發(fā)的危機(jī),這一系列的災(zāi)難不僅損害了半導(dǎo)體制程工程,而且還影響了日本電子業(yè)相關(guān)的攻擊,還摧毀了交通基礎(chǔ)設(shè)施。這導(dǎo)致很多公司不能及時(shí)得到原材料,而且也不能把生產(chǎn)出來(lái)的產(chǎn)品運(yùn)送出去?!?/li>
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阮華德:未來(lái)半導(dǎo)體發(fā)展已無(wú)法依循摩爾定律
- 近來(lái)在半導(dǎo)體制程微縮的進(jìn)展速度逐漸趨緩下,觀察未來(lái)的產(chǎn)業(yè)走勢(shì),明導(dǎo)國(guó)際(Mentor Graphics)董事兼執(zhí)行總裁阮華德(Walden C. Rhines)表示,未來(lái)10年內(nèi),制程微縮將遇到經(jīng)濟(jì)效益上的考慮,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將不再完全依循摩爾定律(Moore’s Law)發(fā)展。他并指出,投入3D IC發(fā)展是延續(xù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)動(dòng)能。 阮華德認(rèn)為,摩爾定律是一個(gè)從觀察中并歸納成的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì),并非不變的法則,而摩爾定律提出者的Gordon Moore近年來(lái)也已修正此定律。阮華德表示,摩爾定律
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臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)如火如荼 砸60億新臺(tái)幣添購(gòu)設(shè)備
- 臺(tái)積電農(nóng)歷春節(jié)年前加緊耗資新臺(tái)幣數(shù)10億元添購(gòu)機(jī)器設(shè)備,光是2日便一口氣公告約近60億元添購(gòu)設(shè)備,同時(shí)對(duì)象包括無(wú)塵室等廠務(wù)工程以及前段半導(dǎo)體制程微顯影設(shè)備,代表臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作才剛要開(kāi)始,大筆資本支出可望一直延續(xù)讓設(shè)備商2010年過(guò)個(gè)好年冬。臺(tái)積電對(duì)于擴(kuò)產(chǎn)也形容,南科Fab 14第4期正如火如荼進(jìn)行,工程進(jìn)度將飛快進(jìn)行。 臺(tái)積電2日公告采購(gòu)機(jī)器設(shè)備總金額將近60億元,其中包括廠房建設(shè)的達(dá)欣工程與無(wú)塵室管路建設(shè)業(yè)者漢唐,以及微顯影設(shè)備包括艾斯摩爾(ASML)與尼康(Nikon)。半導(dǎo)體業(yè)者分析,這代
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半導(dǎo)體制程介紹
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