半導(dǎo)體器件 文章 進入半導(dǎo)體器件技術(shù)社區(qū)
10月半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造業(yè)增加值同比增長33.9%
- 近日，國新辦就2023年10月份國民經(jīng)濟運行情況舉行發(fā)布會。會上，有記者提出“從高頻數(shù)據(jù)看，發(fā)現(xiàn)10月份部分高耗能產(chǎn)業(yè)的開工率同比增速有所下降，請問工業(yè)生產(chǎn)整體有哪些特點？原因有哪些？后續(xù)政策發(fā)力作用下，四季度整體形勢如何？”的問題。國家統(tǒng)計局新聞發(fā)言人、總經(jīng)濟師、國民經(jīng)濟綜合統(tǒng)計司司長劉愛華表示，10月份，隨著市場需求逐步恢復(fù)，新舊動能加快轉(zhuǎn)換，工業(yè)生產(chǎn)總體上呈現(xiàn)穩(wěn)中有升的態(tài)勢。10月份，規(guī)模以上工業(yè)增加值同比增長4.6%，累計增長4.1%，當(dāng)月和累計同比增速都比上期加快0.1個百分點。今年以來，累計增
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針對高壓應(yīng)用優(yōu)化寬帶隙半導(dǎo)體器件
- 自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導(dǎo)體器件就可以實現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù)，可以使用特定的導(dǎo)通電阻來控制系統(tǒng)中的大部分功率器件。對于功率 MOSFET，導(dǎo)通電阻仍然是優(yōu)化和摻雜其單元設(shè)計的關(guān)鍵參數(shù)。電導(dǎo)率的主要行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是材料技術(shù)中的特定導(dǎo)通電阻與擊穿電壓（R sp與 V BD ）。自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導(dǎo)體器件就可以實現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù)，可以使用特定的導(dǎo)通電阻來控制系統(tǒng)中的大部
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高可靠性人工突觸半導(dǎo)體器件問世
- 科技日報北京9月21日電 （記者張夢然）韓國科學(xué)技術(shù)研究院（KIST）神經(jīng)形態(tài)工程中心研究團隊宣布開發(fā)出一種能進行高度可靠神經(jīng)形態(tài)計算的人工突觸半導(dǎo)體器件，解決了神經(jīng)形態(tài)半導(dǎo)體器件憶阻器長期存在的模擬突觸特性、可塑性和信息保存方面的局限。研究成果近日發(fā)表在《自然·通訊》雜志上。模仿人腦的神經(jīng)擬態(tài)計算系統(tǒng)技術(shù)應(yīng)運而生，克服了現(xiàn)有馮諾依曼計算方法功耗過大的局限。實現(xiàn)使用大腦信息傳輸方法的半導(dǎo)體器件需要一種能表達各種突觸連接強度的高性能模擬人工突觸裝置。當(dāng)神經(jīng)元產(chǎn)生尖峰信號時，這種方法使用神經(jīng)元之間傳輸?shù)男盘枴?/li>
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華為再投資半導(dǎo)體公司
- 工商信息顯示，華為旗下哈勃科技投資有限公司近日再新增一家對外投資——蘇州東微半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“東微半導(dǎo)體”）。東微半導(dǎo)體成立于2008年，注冊資本4578.22萬元，經(jīng)營范圍包括半導(dǎo)體器件、集成電路、芯片、半導(dǎo)體耗材、電子產(chǎn)品的設(shè)計、開發(fā)、銷售、進出口業(yè)務(wù)及相關(guān)技術(shù)咨詢和技術(shù)服務(wù)等，擁有多項功率半導(dǎo)體核心專利，核心產(chǎn)品為中低高壓功率器件。其官網(wǎng)顯示，2013年下半年，東微半導(dǎo)體原創(chuàng)的半浮柵器件的技術(shù)論文在美國《科學(xué)》期刊上發(fā)表，標(biāo)志著首次國內(nèi)科學(xué)家在半導(dǎo)體核心技術(shù)方向獲得的重大突破。2016年東微
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英國科學(xué)家發(fā)現(xiàn)砷化鎵存不穩(wěn)定性 或可為汽車等研發(fā)更好的電子產(chǎn)品
- 據(jù)外媒報道，英國卡迪夫大學(xué)（Cardiff University）的研究人員首次發(fā)現(xiàn)，一種普通半導(dǎo)體材料的表面具有以前從未被發(fā)現(xiàn)的“不穩(wěn)定性”。該發(fā)現(xiàn)可能對為日常生活提供能量的電子設(shè)備材料的未來發(fā)展產(chǎn)生深遠影響。從智能手機、GPS到衛(wèi)星和筆記本電腦，復(fù)合半導(dǎo)體是此類電子設(shè)備不可或缺的一部分。
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美國ITC對半導(dǎo)體器件啟動337調(diào)查，涉案企業(yè)包括OV、聯(lián)發(fā)科、高通和臺積電等
- 來自美國國際貿(mào)易委員會官網(wǎng)的消息稱，2019年3月21日，美國國際貿(mào)易委員會(ITC)投票決定對特定半導(dǎo)體器件、集成電路和包含該器件的消費產(chǎn)品啟動337調(diào)查(調(diào)查編碼：337-TA-1149)。值得一提的是，涉案的中國企業(yè)包括OPPO、vivo、一加、步步高、TCL、海信、聯(lián)發(fā)科和晨星等，同時美國高通和臺積電在美分公司也被列為被告之一。 2019年2月15日，美國Innovative Foundry Technologies LLC向美國ITC提出337立案調(diào)查申請，主張對美出口、在美進口和在美
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各類二極管的檢測方法介紹
- 普通二極管的檢測 （包括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開關(guān)二極管、續(xù)流二極管）是由一個PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，具有單向?qū)щ娞匦?。通過用萬用
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半導(dǎo)體器件的電氣過應(yīng)力和靜電放電故障
- 靜電可被定義為物質(zhì)表面累積的靜態(tài)電荷或靜態(tài)電荷之間交互作用累積的電荷。電氣過應(yīng)力(EOS)和靜電放電(ESD)是電子行業(yè)面臨的重大挑戰(zhàn)之一。通常來說，半導(dǎo)體行業(yè)中超過三分之一的現(xiàn)場故障都是由ESD引起的。ESD導(dǎo)致的
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半導(dǎo)體器件及集成電路損壞的特點小結(jié)
- (1)二、三極管的損壞一般是PN結(jié)擊穿或開路。其中以擊穿短路居多。此外，還有兩種損壞表現(xiàn)一是熱穩(wěn)定性變差，表現(xiàn)為開機時正常、工作一段時間后。發(fā)生軟擊穿另一種是PN結(jié)的特性變差，用萬用表Rx1K測，各PN結(jié)均正常，但上機后不能正常工作如果用RX10或RX1低量程擋測就會發(fā)現(xiàn)其NN結(jié)正向阻值比正常值大。測量二、三極管可以用指針萬用表在路測量，較準(zhǔn)確的方法是將萬用表置RX10或Rx1擋(一般用RX10擋，不明顯時再用Rx1擋〕在線測二、三極管的PN結(jié)正、反向電阻。如果正向電阻不太大《相對正常值〕反向電阻足夠
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新一代功率半導(dǎo)體掌握多個領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵
- 最近幾年，在半導(dǎo)體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點。 功率半導(dǎo)體的作用是轉(zhuǎn)換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達。如今，這種半導(dǎo)體已配備于家電、汽車、工業(yè)機械、鐵路車輛、輸配電裝置、光伏和風(fēng)電系統(tǒng)等，掌握著節(jié)能的關(guān)鍵。 三菱電機半導(dǎo)體器件第一事業(yè)部營業(yè)戰(zhàn)略課長山田正典說“用人體打比方的話，個人店的CPU(中央運算處理裝置)和存儲器是控制運算和記憶的大腦，而功率半導(dǎo)體則相當(dāng)于肌肉。”
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國產(chǎn)IGBT前景光明 突破之路曲折
- 隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展，IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴展到消費電子應(yīng)用，成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件;而在中國市場，軌道交通、家電節(jié)能、風(fēng)力發(fā)電、太陽能光伏和電力電子等應(yīng)用更是引爆了IGBT應(yīng)用市場。 據(jù)IHS iSuppli公司中國研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴(yán)格的能源政策，2011-2015年中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場銷售額的復(fù)合年度增長率將達13%。2011年IGBT銷售額將達到8.59億美元，2015年有望達到13億美
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高鐵有了“中國芯”
- 中國北車集團日前在西安對外發(fā)布：大功率IGBT芯片(絕緣柵雙極型晶體管)通過專家鑒定并投入批量生產(chǎn)。中國自此有了完全自主產(chǎn)權(quán)的大功率IGBT“中國芯”。 據(jù)介紹，作為新一代半導(dǎo)體器件，IGBT是自動控制和功率變換的關(guān)鍵核心部件，被廣泛應(yīng)用在軌道交通裝備行業(yè)、電力系統(tǒng)、工業(yè)變頻、風(fēng)電、太陽能、電動汽車和家電產(chǎn)業(yè)中。此前，國內(nèi)高端IGBT芯片基本依賴進口。此次大功率IGBT芯片的研制成功，不僅可以為我國高鐵、動車組等軌道交通裝備及其他相關(guān)行業(yè)提供強勁的“中國芯
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led電路知識
- led電路知識,LED是英文單詞Light Emitting Diode的縮寫，意思為發(fā)光二極管，是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見光的固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光，它改變了白熾燈鎢絲發(fā)光與節(jié)能燈
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開關(guān)電源功率半導(dǎo)體器件
- 在過去的20多年，出現(xiàn)了一些新功率半導(dǎo)體開關(guān)器件和功率模塊，在如功率MOS-FET，絕緣柵雙極晶體管IGBT，碳化硅（S...
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保護電路板上電子元件的半導(dǎo)體器件
- 除了用傳統(tǒng)的氣體放電管、金屬氧化物變阻器（MOV）以及保險絲來保護電路板上的電子元件免受外界的侵襲以外，...
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半導(dǎo)體器件介紹
用半導(dǎo)體材料制成的具有一定功能的器件，統(tǒng)稱半導(dǎo)體器件。為了與集成電路相區(qū)另，有時也稱為分立器件。半導(dǎo)體器件主要有二端器件和三端器件兩大類。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個PN結(jié)。利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波 [ 查看詳細 ]
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