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半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體器件技術(shù)社區(qū)
10月半導(dǎo)體器件專(zhuān)用設(shè)備制造業(yè)增加值同比增長(zhǎng)33.9%
- 近日，國(guó)新辦就2023年10月份國(guó)民經(jīng)濟(jì)運(yùn)行情況舉行發(fā)布會(huì)。會(huì)上，有記者提出“從高頻數(shù)據(jù)看，發(fā)現(xiàn)10月份部分高耗能產(chǎn)業(yè)的開(kāi)工率同比增速有所下降，請(qǐng)問(wèn)工業(yè)生產(chǎn)整體有哪些特點(diǎn)？原因有哪些？后續(xù)政策發(fā)力作用下，四季度整體形勢(shì)如何？”的問(wèn)題。國(guó)家統(tǒng)計(jì)局新聞發(fā)言人、總經(jīng)濟(jì)師、國(guó)民經(jīng)濟(jì)綜合統(tǒng)計(jì)司司長(zhǎng)劉愛(ài)華表示，10月份，隨著市場(chǎng)需求逐步恢復(fù)，新舊動(dòng)能加快轉(zhuǎn)換，工業(yè)生產(chǎn)總體上呈現(xiàn)穩(wěn)中有升的態(tài)勢(shì)。10月份，規(guī)模以上工業(yè)增加值同比增長(zhǎng)4.6%，累計(jì)增長(zhǎng)4.1%，當(dāng)月和累計(jì)同比增速都比上期加快0.1個(gè)百分點(diǎn)。今年以來(lái)，累計(jì)增
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針對(duì)高壓應(yīng)用優(yōu)化寬帶隙半導(dǎo)體器件
- 自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來(lái)，通過(guò)使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導(dǎo)體器件就可以實(shí)現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù)，可以使用特定的導(dǎo)通電阻來(lái)控制系統(tǒng)中的大部分功率器件。對(duì)于功率 MOSFET，導(dǎo)通電阻仍然是優(yōu)化和摻雜其單元設(shè)計(jì)的關(guān)鍵參數(shù)。電導(dǎo)率的主要行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是材料技術(shù)中的特定導(dǎo)通電阻與擊穿電壓（R sp與 V BD ）。自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來(lái)，通過(guò)使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導(dǎo)體器件就可以實(shí)現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù)，可以使用特定的導(dǎo)通電阻來(lái)控制系統(tǒng)中的大部
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高可靠性人工突觸半導(dǎo)體器件問(wèn)世
- 科技日?qǐng)?bào)北京9月21日電 （記者張夢(mèng)然）韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院（KIST）神經(jīng)形態(tài)工程中心研究團(tuán)隊(duì)宣布開(kāi)發(fā)出一種能進(jìn)行高度可靠神經(jīng)形態(tài)計(jì)算的人工突觸半導(dǎo)體器件，解決了神經(jīng)形態(tài)半導(dǎo)體器件憶阻器長(zhǎng)期存在的模擬突觸特性、可塑性和信息保存方面的局限。研究成果近日發(fā)表在《自然·通訊》雜志上。模仿人腦的神經(jīng)擬態(tài)計(jì)算系統(tǒng)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，克服了現(xiàn)有馮諾依曼計(jì)算方法功耗過(guò)大的局限。實(shí)現(xiàn)使用大腦信息傳輸方法的半導(dǎo)體器件需要一種能表達(dá)各種突觸連接強(qiáng)度的高性能模擬人工突觸裝置。當(dāng)神經(jīng)元產(chǎn)生尖峰信號(hào)時(shí)，這種方法使用神經(jīng)元之間傳輸?shù)男盘?hào)。
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華為再投資半導(dǎo)體公司
- 工商信息顯示，華為旗下哈勃科技投資有限公司近日再新增一家對(duì)外投資——蘇州東微半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“東微半導(dǎo)體”）。東微半導(dǎo)體成立于2008年，注冊(cè)資本4578.22萬(wàn)元，經(jīng)營(yíng)范圍包括半導(dǎo)體器件、集成電路、芯片、半導(dǎo)體耗材、電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、銷(xiāo)售、進(jìn)出口業(yè)務(wù)及相關(guān)技術(shù)咨詢和技術(shù)服務(wù)等，擁有多項(xiàng)功率半導(dǎo)體核心專(zhuān)利，核心產(chǎn)品為中低高壓功率器件。其官網(wǎng)顯示，2013年下半年，東微半導(dǎo)體原創(chuàng)的半浮柵器件的技術(shù)論文在美國(guó)《科學(xué)》期刊上發(fā)表，標(biāo)志著首次國(guó)內(nèi)科學(xué)家在半導(dǎo)體核心技術(shù)方向獲得的重大突破。2016年?yáng)|微
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英國(guó)科學(xué)家發(fā)現(xiàn)砷化鎵存不穩(wěn)定性 或可為汽車(chē)等研發(fā)更好的電子產(chǎn)品
- 據(jù)外媒報(bào)道，英國(guó)卡迪夫大學(xué)（Cardiff University）的研究人員首次發(fā)現(xiàn)，一種普通半導(dǎo)體材料的表面具有以前從未被發(fā)現(xiàn)的“不穩(wěn)定性”。該發(fā)現(xiàn)可能對(duì)為日常生活提供能量的電子設(shè)備材料的未來(lái)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。從智能手機(jī)、GPS到衛(wèi)星和筆記本電腦，復(fù)合半導(dǎo)體是此類(lèi)電子設(shè)備不可或缺的一部分。
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美國(guó)ITC對(duì)半導(dǎo)體器件啟動(dòng)337調(diào)查，涉案企業(yè)包括OV、聯(lián)發(fā)科、高通和臺(tái)積電等
- 來(lái)自美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)官網(wǎng)的消息稱(chēng)，2019年3月21日，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)投票決定對(duì)特定半導(dǎo)體器件、集成電路和包含該器件的消費(fèi)產(chǎn)品啟動(dòng)337調(diào)查(調(diào)查編碼：337-TA-1149)。值得一提的是，涉案的中國(guó)企業(yè)包括OPPO、vivo、一加、步步高、TCL、海信、聯(lián)發(fā)科和晨星等，同時(shí)美國(guó)高通和臺(tái)積電在美分公司也被列為被告之一?！ ?019年2月15日，美國(guó)Innovative Foundry Technologies LLC向美國(guó)ITC提出337立案調(diào)查申請(qǐng)，主張對(duì)美出口、在美進(jìn)口和在美
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各類(lèi)二極管的檢測(cè)方法介紹
- 普通二極管的檢測(cè) （包括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開(kāi)關(guān)二極管、續(xù)流二極管）是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，具有單向?qū)щ娞匦浴Ｍㄟ^(guò)用萬(wàn)用
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半導(dǎo)體器件的電氣過(guò)應(yīng)力和靜電放電故障
- 靜電可被定義為物質(zhì)表面累積的靜態(tài)電荷或靜態(tài)電荷之間交互作用累積的電荷。電氣過(guò)應(yīng)力(EOS)和靜電放電(ESD)是電子行業(yè)面臨的重大挑戰(zhàn)之一。通常來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體行業(yè)中超過(guò)三分之一的現(xiàn)場(chǎng)故障都是由ESD引起的。ESD導(dǎo)致的
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半導(dǎo)體器件及集成電路損壞的特點(diǎn)小結(jié)
- (1)二、三極管的損壞一般是PN結(jié)擊穿或開(kāi)路。其中以擊穿短路居多。此外，還有兩種損壞表現(xiàn)一是熱穩(wěn)定性變差，表現(xiàn)為開(kāi)機(jī)時(shí)正常、工作一段時(shí)間后。發(fā)生軟擊穿另一種是PN結(jié)的特性變差，用萬(wàn)用表Rx1K測(cè)，各PN結(jié)均正常，但上機(jī)后不能正常工作如果用RX10或RX1低量程擋測(cè)就會(huì)發(fā)現(xiàn)其N(xiāo)N結(jié)正向阻值比正常值大。測(cè)量二、三極管可以用指針萬(wàn)用表在路測(cè)量，較準(zhǔn)確的方法是將萬(wàn)用表置RX10或Rx1擋(一般用RX10擋，不明顯時(shí)再用Rx1擋〕在線測(cè)二、三極管的PN結(jié)正、反向電阻。如果正向電阻不太大《相對(duì)正常值〕反向電阻足夠
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新一代功率半導(dǎo)體掌握多個(gè)領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵
- 最近幾年，在半導(dǎo)體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點(diǎn)。 功率半導(dǎo)體的作用是轉(zhuǎn)換直流與交流、通過(guò)變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達(dá)。如今，這種半導(dǎo)體已配備于家電、汽車(chē)、工業(yè)機(jī)械、鐵路車(chē)輛、輸配電裝置、光伏和風(fēng)電系統(tǒng)等，掌握著節(jié)能的關(guān)鍵。 三菱電機(jī)半導(dǎo)體器件第一事業(yè)部營(yíng)業(yè)戰(zhàn)略課長(zhǎng)山田正典說(shuō)“用人體打比方的話，個(gè)人店的CPU(中央運(yùn)算處理裝置)和存儲(chǔ)器是控制運(yùn)算和記憶的大腦，而功率半導(dǎo)體則相當(dāng)于肌肉?！?
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國(guó)產(chǎn)IGBT前景光明 突破之路曲折
- 隨著IGBT技術(shù)的發(fā)展，IGBT已經(jīng)從工業(yè)擴(kuò)展到消費(fèi)電子應(yīng)用，成為未來(lái)10年發(fā)展最迅速的功率半導(dǎo)體器件;而在中國(guó)市場(chǎng)，軌道交通、家電節(jié)能、風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)能光伏和電力電子等應(yīng)用更是引爆了IGBT應(yīng)用市場(chǎng)。 據(jù)IHS iSuppli公司中國(guó)研究服務(wù)即將發(fā)表的一份報(bào)告，由于綠色能源與能源效率得到更多的重視，以及政府投資支持和嚴(yán)格的能源政策，2011-2015年中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)銷(xiāo)售額的復(fù)合年度增長(zhǎng)率將達(dá)13%。2011年IGBT銷(xiāo)售額將達(dá)到8.59億美元，2015年有望達(dá)到13億美
- 關(guān)鍵字： IGBT 半導(dǎo)體器件 太陽(yáng)能
高鐵有了“中國(guó)芯”
- 中國(guó)北車(chē)集團(tuán)日前在西安對(duì)外發(fā)布：大功率IGBT芯片(絕緣柵雙極型晶體管)通過(guò)專(zhuān)家鑒定并投入批量生產(chǎn)。中國(guó)自此有了完全自主產(chǎn)權(quán)的大功率IGBT“中國(guó)芯”。 據(jù)介紹，作為新一代半導(dǎo)體器件，IGBT是自動(dòng)控制和功率變換的關(guān)鍵核心部件，被廣泛應(yīng)用在軌道交通裝備行業(yè)、電力系統(tǒng)、工業(yè)變頻、風(fēng)電、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)和家電產(chǎn)業(yè)中。此前，國(guó)內(nèi)高端IGBT芯片基本依賴進(jìn)口。此次大功率IGBT芯片的研制成功，不僅可以為我國(guó)高鐵、動(dòng)車(chē)組等軌道交通裝備及其他相關(guān)行業(yè)提供強(qiáng)勁的“中國(guó)芯
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體器件 IGBT
led電路知識(shí)
- led電路知識(shí),LED是英文單詞Light Emitting Diode的縮寫(xiě)，意思為發(fā)光二極管，是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化為可見(jiàn)光的固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光，它改變了白熾燈鎢絲發(fā)光與節(jié)能燈
- 關(guān)鍵字： led 發(fā)光二極管 半導(dǎo)體器件
開(kāi)關(guān)電源功率半導(dǎo)體器件
- 在過(guò)去的20多年，出現(xiàn)了一些新功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件和功率模塊，在如功率MOS-FET，絕緣柵雙極晶體管IGBT，碳化硅（S...
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保護(hù)電路板上電子元件的半導(dǎo)體器件
- 除了用傳統(tǒng)的氣體放電管、金屬氧化物變阻器（MOV）以及保險(xiǎn)絲來(lái)保護(hù)電路板上的電子元件免受外界的侵襲以外，...
- 關(guān)鍵字： 電路板 電子元件 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件介紹
用半導(dǎo)體材料制成的具有一定功能的器件，統(tǒng)稱(chēng)半導(dǎo)體器件。為了與集成電路相區(qū)另，有時(shí)也稱(chēng)為分立器件。半導(dǎo)體器件主要有二端器件和三端器件兩大類(lèi)。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)。利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類(lèi)繁多、功能用途各異的多種晶體二極，可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波 [ 查看詳細(xì) ]
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