半導(dǎo)體晶體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體晶體技術(shù)社區(qū)

新技術(shù)揭密載流子在半導(dǎo)體晶體中的運(yùn)動(dòng)

• 　　芯片做的越小，理解內(nèi)部原子結(jié)構(gòu)就越重要。最近物理學(xué)家描述了一種納米成像技術(shù)，該技術(shù)能夠直接揭示載流子怎樣在半導(dǎo)體晶體中運(yùn)動(dòng)。雖然所得到的第一個(gè)結(jié)論與標(biāo)準(zhǔn)理論一致，但是這種方法仍然可以證明在微型芯片中有用。 　　在n型半導(dǎo)體中，加入了摻雜物，增加了可以自由電子。在p型半導(dǎo)體中，加入了不同的摻雜物，促使許多電子從晶體結(jié)構(gòu)中溢出，留下正電荷的“洞穴”可以形成電流。當(dāng)n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體彼此接觸，邊界的電子和空穴彼此擴(kuò)散到相反的材料中，相互抵制并形成了絕緣的“耗損層
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