半導(dǎo)體電子束檢測 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體電子束檢測技術(shù)社區(qū)

瞄準(zhǔn)16/14nm檢測需求 漢微科明年產(chǎn)能翻三倍

• 　　半導(dǎo)體電子束檢測(E-beam Inspection)設(shè)備龍頭漢微科正全速擴(kuò)產(chǎn)。繼28和20奈米(nm)之后，2015年晶圓代工廠紛紛跨入16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)世代，對高解析度的電子束檢測設(shè)備需求將更加強(qiáng)勁，因而帶動(dòng)漢微科提早展開布局，將于2013～2014年投入新臺(tái)幣10億元擴(kuò)建新廠房，并于2014下半年正式投產(chǎn)，挹注三倍設(shè)備產(chǎn)能。 　　漢微科財(cái)務(wù)長李學(xué)寒表示，自2012年開始，晶圓代工業(yè)者已逐步在28奈米先進(jìn)制程中導(dǎo)入高階電子束晶圓缺陷檢測設(shè)備，以克服電晶體密度大幅微縮后，傳統(tǒng)
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