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半導(dǎo)體電子束檢測(cè)
半導(dǎo)體電子束檢測(cè) 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體電子束檢測(cè)技術(shù)社區(qū)
瞄準(zhǔn)16/14nm檢測(cè)需求 漢微科明年產(chǎn)能翻三倍
- 半導(dǎo)體電子束檢測(cè)(E-beam Inspection)設(shè)備龍頭漢微科正全速擴(kuò)產(chǎn)。繼28和20奈米(nm)之后,2015年晶圓代工廠紛紛跨入16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)世代,對(duì)高解析度的電子束檢測(cè)設(shè)備需求將更加強(qiáng)勁,因而帶動(dòng)漢微科提早展開(kāi)布局,將于2013~2014年投入新臺(tái)幣10億元擴(kuò)建新廠房,并于2014下半年正式投產(chǎn),挹注三倍設(shè)備產(chǎn)能。 漢微科財(cái)務(wù)長(zhǎng)李學(xué)寒表示,自2012年開(kāi)始,晶圓代工業(yè)者已逐步在28奈米先進(jìn)制程中導(dǎo)入高階電子束晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備,以克服電晶體密度大幅微縮后,傳統(tǒng)
- 關(guān)鍵字: 漢微科 半導(dǎo)體電子束檢測(cè)
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半導(dǎo)體電子束檢測(cè)介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條半導(dǎo)體電子束檢測(cè)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)半導(dǎo)體電子束檢測(cè)的理解,并與今后在此搜索半導(dǎo)體電子束檢測(cè)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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