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	半導體的性能
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          線邊緣粗糙度(LER)如何影響先進節(jié)點上半導體的性能
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • l  介紹 由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進節(jié)點芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關(guān)鍵尺寸(CD)和線間隔，這會導致更高的金屬線電阻和線間電容。圖1對此進行了示意，模擬了不同后段制程金屬的線電阻和線關(guān)鍵尺寸之間的關(guān)系。即使沒有線邊緣粗糙度(LER)，該圖也顯示電阻會隨著線寬縮小呈指數(shù)級增長[2]。為緩解此問題，需要在更小的節(jié)點上對金屬線關(guān)鍵尺寸進行優(yōu)化并選擇合適的金屬材料。除此之外，線邊緣粗糙度也是影響電子表面散射和金屬線電阻率
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        線邊緣粗糙度  LER  先進節(jié)點  半導體的性能                          
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          半導體的性能介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條半導體的性能!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對半導體的性能的理解，并與今后在此搜索半導體的性能的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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