雙運(yùn)放電流源 文章 進(jìn)入雙運(yùn)放電流源技術(shù)社區(qū)

雙運(yùn)放電流源的基本操作

• 合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。圖 1：必須與 SiC MOSFET 的性能指標(biāo)（左）進(jìn)行平衡的所選參數(shù)（右）重要的驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)之一是設(shè)備在其目標(biāo)應(yīng)用的操作條件下的可靠性。與現(xiàn)有硅器件世界的主要區(qū)別在于，SiC 元件在更高的內(nèi)部電場(chǎng)下工作。相關(guān)機(jī)制需要仔細(xì)分析。它們的共同點(diǎn)是，器件的總電阻由漏極和源極接觸電阻的
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