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變?nèi)荻O管
變?nèi)荻O管 文章 進(jìn)入變?nèi)荻O管技術(shù)社區(qū)
關(guān)于變?nèi)荻O管在調(diào)諧電路中的作用
- 變?nèi)荻O管是電子可變電容。換句話說(shuō)，變?nèi)荻O管表現(xiàn)出來(lái)的電容是反偏電勢(shì)的函數(shù)。這種現(xiàn)象導(dǎo)致了變?nèi)荻O管在一些需要考慮電容因素的場(chǎng)合的幾種常見(jiàn)應(yīng)用。圖1為一個(gè)典型的變?nèi)荻O管調(diào)諧的lc振蕩電路。電路耦合電感l(wèi)2，的作用是當(dāng)振蕩電路被當(dāng)作射頻放大器使用時(shí)，將射頻信號(hào)輸人到振蕩電路。主要的?lc振蕩電路包括主電感l(wèi)1，和電容c1與cr1的串聯(lián)電容。除此之外，還要考慮廣泛存在于電子線路的雜散電容cs。隔直電容和串聯(lián)電阻的功能前面已經(jīng)介紹過(guò)了。電容c2的作用是對(duì)調(diào)諧電壓vin，進(jìn)行濾波?！ ?
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變?nèi)荻O管在調(diào)諧電路中的作用
- 變?nèi)荻O管是電子可變電容。換句話說(shuō)，變?nèi)荻O管表現(xiàn)出來(lái)的電容是反偏電勢(shì)的函數(shù)。這種現(xiàn)象導(dǎo)致了變?nèi)荻O管在一些需要考慮電容因素的場(chǎng)合的幾種常見(jiàn)應(yīng)用。圖1為一個(gè)典型的變?nèi)荻O管調(diào)諧的lc振蕩電路。電路耦合電感l(wèi)2，的作用是當(dāng)振蕩電路被當(dāng)作射頻放大器使用時(shí)，將射頻信號(hào)輸人到振蕩電路。主要的 lc振蕩電路包括主電感l(wèi)1，和電容c1與cr1的串聯(lián)電容。除此之外，還要考慮廣泛存在于電子線路的雜散電容cs。隔直電容和串聯(lián)電阻的功能前面已經(jīng)介紹過(guò)了。電容c2的作用是對(duì)調(diào)諧電壓vin，進(jìn)行濾波。 &nbs
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變?nèi)荻O管驅(qū)動(dòng)技巧
- 變?nèi)荻O管主要用于射頻電路中，通過(guò)調(diào)節(jié)電壓提供可變的電容。這種二極管通常用于電路調(diào)節(jié)，例如無(wú)線應(yīng)用中，無(wú)線麥克風(fēng)和收音機(jī)中使用的射頻振蕩器和濾波器。電路設(shè)計(jì)師應(yīng)當(dāng)了解使用非易失數(shù)模轉(zhuǎn)換器為變?nèi)荻O管(作
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用RF-MEMS實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧天線
- 針對(duì)移動(dòng)應(yīng)用的天線設(shè)計(jì)正變得越來(lái)越復(fù)雜，需要靈活的MEMS技術(shù)來(lái)滿足集成新特性和新應(yīng)用的要求。天線調(diào)諧器件...
- 關(guān)鍵字： 天線設(shè)計(jì) 變?nèi)荻O管 調(diào)諧 RF-MEMS 線性度 直接耦合 可調(diào)濾波器 MEMS器件 路徑隔離 電容元件
CMOS技術(shù)緩解了RF電路在SoC中的集成挑戰(zhàn)
- 隨著半導(dǎo)體制造能力允許在單塊芯片上集成數(shù)千門(mén)邏輯電路，系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)開(kāi)始占據(jù)未來(lái)IC技術(shù)的中心。數(shù)字RF...
- 關(guān)鍵字： 集成 SoC 數(shù)字RF CMOS工藝 自校準(zhǔn) 閉環(huán)測(cè)試 物理實(shí)現(xiàn) 變?nèi)荻O管 缺陷密度 去耦電容
變?nèi)荻O管的介紹
- 變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部 “PN結(jié)” 的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)出來(lái)的一種特殊二極管。變?nèi)荻O管在無(wú)繩電話機(jī)中主要用在手機(jī)或座機(jī)的高頻調(diào)制電路上，實(shí)現(xiàn)低頻信號(hào)調(diào)制到高頻信號(hào)上，并發(fā)射出去。在工作狀態(tài)，變?nèi)荻O管調(diào)制電壓一般加到負(fù)極上，使變?nèi)荻O管的內(nèi)部結(jié)電容容量隨調(diào)制電壓的變化而變化。 變?nèi)荻O管發(fā)生故障，主要表現(xiàn)為漏電或性能變差： ?。?）發(fā)生漏電現(xiàn)象時(shí)，高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。 （2）變?nèi)菪阅茏儾顣r(shí)，高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)定，使調(diào)制后的高頻
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變?nèi)荻O管介紹
又稱(chēng)"可變電抗二極管"。是一種利用PN結(jié)電容（勢(shì)壘電容)與其反向偏置電壓Vr的依賴(lài)關(guān)系及原理制成的二極管。所用材料多為硅或砷化鎵單晶，并采用外延工藝技術(shù)。反偏電壓愈大，則結(jié)電容愈小。變?nèi)荻O管具有與襯底材料電阻率有關(guān)的串聯(lián)電阻。主要參量是：零偏結(jié)電容、零偏壓優(yōu)值、反向擊穿電壓、中心反向偏壓、標(biāo)稱(chēng)電容、電容變化范圍（以皮法為單位）以及截止頻率等，對(duì)于不同用途，應(yīng)選用不同C和Vr特性的變?nèi)荻O管， [ 查看詳細(xì) ]
變?nèi)荻O管電路
變?nèi)荻O管資料下載
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