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可靠性測(cè)試
可靠性測(cè)試 文章 進(jìn)入可靠性測(cè)試技術(shù)社區(qū)
WLR測(cè)試中所面臨的新挑戰(zhàn)
- 就像摩爾定律驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體幾何尺寸的縮小一樣,有關(guān)解決半導(dǎo)體可靠性問題的活動(dòng)也遵循一個(gè)似乎有點(diǎn)可以預(yù)測(cè)的周期。例如,技術(shù)演進(jìn)到VLSI時(shí),為了保持導(dǎo)線的電路速度,引入了鋁線連接。此時(shí),很快就發(fā)現(xiàn)了電子遷移這類的可靠性問題。一旦發(fā)現(xiàn)了問題所在,就會(huì)通過實(shí)驗(yàn)來對(duì)退化機(jī)制進(jìn)行建模。利用這些模型,工藝工程師努力使新技術(shù)的可靠性指標(biāo)達(dá)到最佳。隨著技術(shù)的進(jìn)一步成熟,焦點(diǎn)轉(zhuǎn)移到缺陷的降低上面。而隨著ULSI的引入,由于使用了應(yīng)力硅、銅和低K介電材料等,又開始一輪新周期。 隨著引入的化合物材料的增加,可靠性方面的挑
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 VLS 可靠性測(cè)試 晶體管
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可靠性測(cè)試介紹
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