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          固態(tài)繼電器結(jié)構(gòu)可靠性研究與應(yīng)用

          •   李?帥,張秀鳳 ?。ǜ窳﹄娖鳎ê戏剩┯邢薰荆不?合肥 230088)  摘?要:針對空調(diào)用固態(tài)繼電器因結(jié)構(gòu)不良導(dǎo)致金線彎曲現(xiàn)象,本文從固態(tài)繼電器失效機理、器件結(jié)構(gòu)工藝設(shè)計可靠性等方面進行分析。通過器件失效機理、結(jié)構(gòu)對比、X-RAY等對器件進行全方位分析論斷,分析結(jié)果表明:固態(tài)繼電器結(jié)構(gòu)設(shè)計存在質(zhì)量缺陷,在生產(chǎn)過程中因樹脂注入黏度,造成金線彎曲現(xiàn)象。本次從器件本身可靠性設(shè)計、內(nèi)部結(jié)構(gòu)布局設(shè)計整改,提升器件產(chǎn)品質(zhì)量?! £P(guān)鍵詞:固態(tài)繼電器;金線;彎曲;器件結(jié)構(gòu)  0 引言  固態(tài)繼電器(Solidst
          • 關(guān)鍵字: 201908  固態(tài)繼電器  金線  彎曲  器件結(jié)構(gòu)  

          變頻空調(diào)IPM可靠性研究與應(yīng)用

          •   黎長源,李帥,項永金(格力電器(合肥)有限公司,安徽 合肥 230088)  摘要:針對空調(diào)用IPM模塊生產(chǎn)過程及運輸周轉(zhuǎn)過程中出現(xiàn)IPM本體開裂問題,本文從IPM失效機理、器件結(jié)構(gòu)工藝設(shè)計、器件應(yīng)用環(huán)境設(shè)計質(zhì)量可靠性等方面進行分析。通過器件失效機理、結(jié)構(gòu)對比、X光、機械應(yīng)力測試等對IPM器件本體全方位分析論斷,分析結(jié)果表明:IPM整體結(jié)構(gòu)設(shè)計存在質(zhì)量缺陷,IPM抗機械應(yīng)力強度水平低,在實際應(yīng)用環(huán)境中以較高的可靠性工作,本次IPM物理機械失效與器件本身設(shè)計質(zhì)量缺陷存在較大關(guān)聯(lián);從器件本身可靠性設(shè)計、本
          • 關(guān)鍵字: 變頻空調(diào)  IPM  開裂  器件結(jié)構(gòu)  機械應(yīng)力  201907  

          鐵電存儲器工作原理和器件結(jié)構(gòu)

          • 鐵電存儲器工作原理和器件結(jié)構(gòu)1 鐵電存儲器簡介隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展,對于非易失性存儲器的需求越來越大 ...
          • 關(guān)鍵字: 鐵電  存儲器  工作原理  器件結(jié)構(gòu)  

          RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)

          • 摘    要:本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用,分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線,設(shè)計了產(chǎn)品的制造工藝流程,分析了制造工藝的難點,并提出了解決方案。關(guān)鍵詞:RF 功率 MOSFET;LDMOSFET;器件結(jié)構(gòu);制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期,RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
          • 關(guān)鍵字: LDMOSFET  MOSFET  RF  RF專題  電源技術(shù)  功率  模擬技術(shù)  器件結(jié)構(gòu)  制造工藝  
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          器件結(jié)構(gòu)介紹

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