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          AM-OLED顯示器件制程解析

          • OLED顯示技術(shù)被稱(chēng)為是第三代顯示技術(shù),正是基于這種說(shuō)法,中國(guó)大陸的OLED產(chǎn)業(yè)才得以蓬勃發(fā)展,不少公司都在爭(zhēng)先恐后的投入巨資建設(shè)OLED顯示器件生產(chǎn)線(xiàn),原因很簡(jiǎn)單,那就是我們?cè)贑RT和LCD時(shí)代均落后于人,希望能在OL
          • 關(guān)鍵字: 解析  器件  顯示  AM-OLED  

          新型DDS器件產(chǎn)生正弦波信號(hào)和各種調(diào)制信號(hào)的設(shè)

          • 1 引言  為了精確地輸出正弦波、調(diào)幅波、調(diào)頻波、PSK及ASK等信號(hào),并依據(jù)直接數(shù)字頻率合成(Direct Digital ...
          • 關(guān)鍵字: DDS  器件  正弦波  信號(hào)  調(diào)制信號(hào)  

          運(yùn)用PSD系列器件進(jìn)行單片機(jī)外圍電路擴(kuò)展

          • 1 引言典型的微控制器(MCS51系列,MCS98系列,M68000系列,PIC系列等)片的內(nèi)部都集成了少量的RAM、ROM及計(jì)數(shù)器,具有有限的 I/O能力,這在構(gòu)成一般小型應(yīng)用系統(tǒng)時(shí),或許可以滿(mǎn)足開(kāi)發(fā)者的需求。但對(duì)于大型的單片機(jī)
          • 關(guān)鍵字: 外圍  電路  擴(kuò)展  單片機(jī)  進(jìn)行  PSD  系列  器件  運(yùn)用  

          信號(hào)完整性和器件的特性阻抗

          • 在您努力想要穩(wěn)定板上的各種信號(hào)時(shí),信號(hào)完整性問(wèn)題會(huì)帶來(lái)一些麻煩。IBIS 模型是解決這些問(wèn)題的一種簡(jiǎn)單方法。您可以利用 IBIS 模型提取出一些重要的變量,用于進(jìn)行信號(hào)完整性計(jì)算和尋找 PCB 設(shè)計(jì)的解決方案。您從 I
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          常用過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)溫保護(hù)器件之選型技巧

          • 中心議題: 過(guò)壓保護(hù)器件的選型要點(diǎn) 過(guò)流保護(hù)器件的選型技巧 過(guò)溫保護(hù)器件的選型考慮
            隨著電子系統(tǒng)的復(fù)雜性和集成度越來(lái)越高,而工作電壓越來(lái)越低,電子系統(tǒng)對(duì)可靠性、穩(wěn)定性和安全性的要求也越來(lái)越高,電
          • 關(guān)鍵字: 選型  技巧  器件  保護(hù)  過(guò)流  常用  

          PPTC器件保護(hù)汽車(chē)電子設(shè)備免受電源極性反接的損害

          • 中心議題: 汽車(chē)電子設(shè)備電源極性接反的傳統(tǒng)二極管保護(hù)方式 汽車(chē)電子設(shè)備電源極性接反的聚合物正溫度系數(shù)保護(hù)方式解決方案: 大功率MOSFET電路的保護(hù) 電機(jī)保護(hù)
            汽車(chē)電子設(shè)備必須具備應(yīng)對(duì)電源極性接反故
          • 關(guān)鍵字: PPTC  器件  保護(hù)  電源極性    

          新型DDS器件產(chǎn)生正弦波信號(hào)和各種調(diào)制信號(hào)的設(shè)計(jì)

          • 1 引言
            為了精確地輸出正弦波、調(diào)幅波、調(diào)頻波、PSK及ASK等信號(hào),并依據(jù)直接數(shù)字頻率合成(Direct Digital FrequencySvnthesizer,簡(jiǎn)稱(chēng)DDFS)技術(shù)及各種調(diào)制信號(hào)相關(guān)原理,設(shè)計(jì)了一種采用新型DDS器件產(chǎn)生正弦波信
          • 關(guān)鍵字: DDS  器件  調(diào)制信號(hào)  正弦波信號(hào)    

          賽靈思演示ships Zynq-7000器件

          •   近日在AETC(歐洲的ARM技術(shù)會(huì)議),賽靈思公司宣布,該公司現(xiàn)已開(kāi)始發(fā)售其Zynq-7000 EPP(擴(kuò)展式處理平臺(tái))設(shè)備,并運(yùn)行一個(gè)基于Linux的應(yīng)用程序的設(shè)備,提供了第一個(gè)公開(kāi)演示。   Zynq-7020 EPP最初的樣品目前正在出貨為早期試用計(jì)劃的參與者,跟蹤生產(chǎn)合格的零件使其走向正規(guī),在2012年下半年開(kāi)始出貨。   “自從我們?cè)?010年4月首次推出的可擴(kuò)展處理平臺(tái)程序以來(lái),我們很高興的看到早期客戶(hù)充分利用他們所完成并運(yùn)用他們的系統(tǒng)對(duì)這些設(shè)備”Lawrenc
          • 關(guān)鍵字: 賽靈思  器件  ships Zynq-7000  

          多個(gè)AD9779TxDAC器件的同步

          • 簡(jiǎn)介

              AD9779 TxDAC的DAC輸出采樣速率最高可達(dá)1 GSPS.在某些應(yīng)用中,例如需要波束導(dǎo)引的應(yīng)用,用戶(hù)可以同步多個(gè)AD9779.因此,當(dāng)AD9779以接近最高速度工作時(shí),TxDAC時(shí)序特性變得至關(guān)重要。

              本應(yīng)用筆記不
          • 關(guān)鍵字: TxDAC  9779  AD  器件    

          2011年未來(lái)電子技術(shù)發(fā)展與專(zhuān)業(yè)人才培養(yǎng)高峰論壇

          •   作為一年一度大學(xué)生人才培養(yǎng)與創(chuàng)業(yè)指導(dǎo)的重要活動(dòng),“2011年未來(lái)電子技術(shù)發(fā)展與專(zhuān)業(yè)人才培養(yǎng)高峰論壇”秉承前一屆的成功經(jīng)驗(yàn),于2011年12月9日在北京會(huì)議中心如期舉行。   本次論壇是由中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦,由賽迪顧問(wèn)股份有限公司承辦,日本村田制作所贊助。以“成長(zhǎng)于信息時(shí)代 奮斗于電子夢(mèng)想”為主題,圍繞“電子技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)展望”、“下一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域解析”與“大學(xué)生學(xué)習(xí)與
          • 關(guān)鍵字: 村田制作所  器件  

          功率器件IGBT在不間斷電源(UPS)中的應(yīng)用

          • 1. 引言
              
            在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為
          • 關(guān)鍵字: UPS  應(yīng)用  電源  間斷  器件  IGBT  功率  

          PLD器件的應(yīng)用

          • 10.4 PLD器件的應(yīng)用10.4.1 可編程器件的開(kāi)發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文件的結(jié)構(gòu)二、ABEL的基本語(yǔ)法10.4.3 應(yīng)用舉例10.4 PLD器件的應(yīng)用10.4.1 可編程器件的開(kāi)發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文
          • 關(guān)鍵字: PLD  器件    

          半導(dǎo)體制程簡(jiǎn)史

          • 當(dāng)線(xiàn)寬遠(yuǎn)高于10微米時(shí),純凈度還不像今天的器件生產(chǎn)中那樣至關(guān)緊要。旦隨著器件變得越來(lái)越集成, 超凈間也變得越來(lái)越干凈。今天,工廠(chǎng)內(nèi)是加壓過(guò)濾空氣,來(lái)去除哪怕那些可能留在芯片上并形成缺陷的最小的粒子。半導(dǎo)體制造車(chē)間里的工人被要求著超凈服來(lái)保護(hù)器件不被人類(lèi)污染。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  器件  芯片  

          基于IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)研究

          • 中心議題: 大功率直流電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 大功率直流電源的控制方案 電源的數(shù)據(jù)傳輸拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
            本文基于IGBT器件,利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設(shè)計(jì)大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快
          • 關(guān)鍵字: 電源  技術(shù)  研究  DC/DC  大功率  IGBT  器件  基于  

          IGBT及其子器件的四種失效模式比較

          • 摘要:本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn),概述了四種IGBT及其子器件的失效模式:MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

            關(guān)鍵詞:柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

          • 關(guān)鍵字: 模式  比較  失效  器件  及其  IGBT  
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          器件介紹

          您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條器件!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)器件的理解,并與今后在此搜索器件的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
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