高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級尺寸 65 x 4
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TI GaN 圖騰柱 PFC TIDA-00961 FAQ
幾乎所有現代工業系統都涉及交流/直流電源，這些系統從交流電網獲得能量，并將經過妥善調節的直流電壓輸送到電氣設備。隨著全球功耗增加，交流/直流電源轉換過程中的相關能量損耗，成為電源設計人員整體能源成本考慮的重要部份，特別是高耗電電信和服務器應用的設計人員。 氮化鎵有助于提高能效并減少交流/直流電源的損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，透過最低 0.8% 的效率增益，采用氮化鎵的圖騰柱功率因子校正（PFC）有助于100 MW數據中心在10年內節省多達700萬美元的能源成本。 選擇正確的 PFC 級拓
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氮化鎵 圖騰柱 PFC 電源設計
幾乎所有現代工業系統都會用到 AC/DC 電源，它從交流電網中獲取電能，并將其轉化為調節良好的直流電壓傳輸到電氣設備。隨著全球范圍內功耗的增加，AC/DC 電源轉換過程中的相關能源損耗成為電源設計人員整體能源成本計算的重要一環，對于電信和服務器等“耗電大戶”領域的設計人員來說更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個 100MW 數據
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ti GaN 圖騰柱 PFC 電源
行動通訊電腦發展至今已近40年，第五代行動通訊技術(簡稱5G)是最新一代行動通訊技術，5G的效能目標是高資料速率、減少延遲、節省能源、降低成本、提高系統容量和大規模裝置連接。為因應5G基地臺應用普及節省電源需求，安森美半導體提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結合全橋整流器之PFC IC NCP1680設計方案，相較傳統PFC之轉換效率可以提升3%~4%，符合5G通訊訴求之節省能源，降低成本，提高系統容量之訴求，加上NCP1680快速的負載暫態補償響應，以及高規格安規等級各式保護功能，特別是具有
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onsemi NCP1680 Totem Pole PFC 圖騰柱
隨著半導體工藝的發展，計算速度的不斷提升，時鐘頻率和供電電流需要相應加快和增大，供電電壓則要求不斷降低。因此低電壓、大電流對電源轉換效率提出了更高要求。此外，電子產品的小型化、薄型化、輕型化，電源產品的功率密度越來越成為衡量電源產品技術水平的關鍵指標，也促使高效率高功率密度成為客戶選擇電源產品的關鍵指標。在此趨勢下，可在高頻率工作的GaN越來越多的被采用。安森美半導體提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結合全橋整流器之PFC IC NCP1681搭配GaN NCP58921方案，相較傳統PFC之
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安森美 PFC 圖騰柱 NCP1681 NCP58921
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi)，將在大中華區舉辦普通話網上研討會直播，闡述公司專用于無橋圖騰柱功率因數校正 (TP PFC) 拓撲結構的先進混合信號控制器。該技術網上研討會主題為“圖騰柱PFC技術賦能更高能效的電源?”，將于中國時間6月23日上午10:00直播，介紹TP PFC技術如何不復雜地提高電源能效。安森美將講述針對超高密度離線電源的NCP1681。該新的控制器以適用于達350 W設計的 NCP1680的成功為基礎，將功率能力擴展到千瓦范圍。在過去，TP PFC設計需
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圖騰柱 功率因數校正
無橋式圖騰柱功率因數校正（PFC） 級可用于滿足嚴格的效率標準，但使用硅 MOSFET 時出現的較高損耗是不可接受的，而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅（SiC）器件。本文將討論能夠實現這些改進的 SiC器件性能參數。
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碳化硅 圖騰柱 PFC 體二極管 恢復 電荷 效率 損耗 輸出電容
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