場效應(yīng) 文章 進(jìn)入場效應(yīng)技術(shù)社區(qū)
一文詳解場效應(yīng)管電流源
- FET電流源是一種有源電路,它使用場效應(yīng)晶體管為電路提供恒定量的電流。但是,為什么還要恒定電流呢?恒流源和吸電流(吸電流與電流源相反)是一種非常簡單的方法,只需使用單個FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準(zhǔn)電壓源,例如100uA、1mA或20mA。FET電流源是一種有源電路,它使用場效應(yīng)晶體管為電路提供恒定量的電流。但是,為什么還要恒定電流呢?恒流源和吸電流(吸電流與電流源相反)是一種非常簡單的方法,只需使用單個FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準(zhǔn)電壓源,例如100uA、1mA或
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EPC新推最小型化的100 V、2.2 m?氮化鎵場效應(yīng)晶體管
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(EPC2071),為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司為業(yè)界提供增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)功率場效應(yīng)晶體管和集成電路,最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場效應(yīng)晶體管,為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。?EPC2071是面向要求高功率密度的應(yīng)用的理想器件,包括用于新型服務(wù)器和人工智能的
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HVVi推出首個高頻高電壓垂直場效應(yīng)三極管
- HVVi推出首個高頻高電壓垂直場效應(yīng)三極管 HVVi半導(dǎo)體推出首個高頻高電壓垂直場效應(yīng)三極管(HVVFET?),HVVi的新構(gòu)架為雷達(dá)和航空電子應(yīng)用提供頻帶、電壓以及功率級,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了目前的雙極性和LDMOS技術(shù)的性能。這一具有革命性新的正在申請專利的技術(shù)使得HVVi達(dá)到了可與非硅芯片技術(shù)的性能級別,而其成本水平卻極具吸引力。 作為初始發(fā)布的一部分,HVVi還推出基于這一新穎HVVFET構(gòu)架的最早三款產(chǎn)品。用于L-波段高功率脈沖RF應(yīng)用,如IFF,TCAS,TACAN以及Mode-S,三個新產(chǎn)品
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場效應(yīng)介紹
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