場(chǎng)效應(yīng) 文章 進(jìn)入場(chǎng)效應(yīng)技術(shù)社區(qū)
一文詳解場(chǎng)效應(yīng)管電流源
- FET電流源是一種有源電路，它使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡(jiǎn)單的方法，只需使用單個(gè)FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準(zhǔn)電壓源，例如100uA、1mA或20mA。FET電流源是一種有源電路，它使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡(jiǎn)單的方法，只需使用單個(gè)FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準(zhǔn)電壓源，例如100uA、1mA或
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EPC新推最小型化的100 V、2.2 m?氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（EPC2071）,為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司為業(yè)界提供增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。?EPC2071是面向要求高功率密度的應(yīng)用的理想器件，包括用于新型服務(wù)器和人工智能的
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逆變器也瘋狂！場(chǎng)效應(yīng)電源制作過程及電路分析
- 本文介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場(chǎng)效應(yīng)管和電源變壓...
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器
- 場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電子電路中，特別是具有上述要求 ...
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HVVi推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應(yīng)三極管
- HVVi推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應(yīng)三極管 HVVi半導(dǎo)體推出首個(gè)高頻高電壓垂直場(chǎng)效應(yīng)三極管（HVVFET?），HVVi的新構(gòu)架為雷達(dá)和航空電子應(yīng)用提供頻帶、電壓以及功率級(jí)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了目前的雙極性和LDMOS技術(shù)的性能。這一具有革命性新的正在申請(qǐng)專利的技術(shù)使得HVVi達(dá)到了可與非硅芯片技術(shù)的性能級(jí)別，而其成本水平卻極具吸引力。 作為初始發(fā)布的一部分，HVVi還推出基于這一新穎HVVFET構(gòu)架的最早三款產(chǎn)品。用于L-波段高功率脈沖RF應(yīng)用，如IFF，TCAS，TACAN以及Mode-S，三個(gè)新產(chǎn)品
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