埃米 文章 進(jìn)入埃米技術(shù)社區(qū)
探索埃米世代導(dǎo)線材料 金屬化合物會(huì)擊敗銅嗎?
- 自1990年代中期,銅(Cu)一直用于后段制程,作為內(nèi)連導(dǎo)線(interconnect)與通孔(via)的主流金屬材料。這些年來,銅材在雙鑲嵌整合制程上展現(xiàn)了長(zhǎng)年不敗的優(yōu)良導(dǎo)電性與可靠度,因此過去認(rèn)為在芯片導(dǎo)線應(yīng)用上無需替換這位常勝軍。但隨著技術(shù)世代演進(jìn),局部導(dǎo)線層持續(xù)微縮,關(guān)鍵組件層的線寬降至10nm以下。偏偏在這樣的小尺寸下,銅材的電阻會(huì)急遽增加,進(jìn)而影響電路的整體性能。銅世代告終?此外,銅材需要阻障層(barrier)、襯墊層(liner)與覆蓋層(cap layer)才能維持良好的可靠度;這些外加
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埃米時(shí)代 半導(dǎo)體先進(jìn)工藝藍(lán)圖將更新
- 隨著半導(dǎo)體發(fā)展腳步接近未來的14埃米,工程師們可能得開始在相同的芯片上混合FinFET和納米線或穿隧FET或自旋波晶體管,他們還必須嘗試更多類型的內(nèi)存;另一方面,14埃米節(jié)點(diǎn)也暗示著原子極限不遠(yuǎn)了… 在今年的Imec技術(shù)論壇(ITF2017)上,Imec半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)執(zhí)行副總裁An Steegen展示最新的半導(dǎo)體開發(fā)藍(lán)圖,預(yù)計(jì)在2025年后將出現(xiàn)新工藝節(jié)點(diǎn)——14埃米(14A;14-angstrom)。這一工藝相當(dāng)于從2025年的2nm再微縮0.7倍;
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埃米時(shí)代不遠(yuǎn)了?Imec擘劃先進(jìn)制程藍(lán)圖
- 隨著半導(dǎo)體發(fā)展腳步接近未來的14埃米,工程師們可能得開始在相同的芯片上混合FinFET和奈米線或穿隧FET或自旋波電晶體,他們還必須嘗試更多類型的存儲(chǔ)器;另一方面,14埃米節(jié)點(diǎn)也暗示著原子極限不遠(yuǎn)了… 在今年的Imec技術(shù)論壇(ITF2017)上,Imec半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)執(zhí)行副總裁An Steegen展示最新的半導(dǎo)體開發(fā)藍(lán)圖,預(yù)計(jì)在2025年后將出現(xiàn)新制程節(jié)點(diǎn)——14埃米(14A;14-angstrom)。這一制程相當(dāng)于從2025年的2nm再微縮0.7倍;此
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