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結(jié)合超寬帶測(cè)距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級(jí)IoT應(yīng)用 11.14珠海｜與泰克共探半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>> 來學(xué)習(xí)NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 基準(zhǔn)

基準(zhǔn) 文章進(jìn)入基準(zhǔn)技術(shù)社區(qū)

2.5~10V基準(zhǔn)電壓發(fā)生電路功能及原理介紹

電路的功能穩(wěn)定度好的基準(zhǔn)電壓應(yīng)用范圍很廣，它涉及到所有的模擬電路。本電路采用了產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓。當(dāng)然也可用普通齊納二極管代替專用IC?？梢哉f這是具有通用性的基準(zhǔn)電壓發(fā)生器。電路工作原理OP放大器采用單一電源，
關(guān)鍵字：功能原理介紹電路發(fā)生 10V 基準(zhǔn) 電壓 2.5

溫度補(bǔ)償式齊納二極管+10V基準(zhǔn)電壓發(fā)生電路功能及原理

電路的功能產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓用的二極管，如果采用溫度補(bǔ)償式，就須加大偏流，如NEC公司的IS2190系列產(chǎn)品，必須有10MA的偏流，該偏流不是由電源供給的，而是由輸出端供給的，這樣即使電源變動(dòng)，也能保證穩(wěn)定工作，另外因?yàn)?/li>
關(guān)鍵字：發(fā)生電路功能原理電壓基準(zhǔn) 補(bǔ)償齊納二極管 10V

步進(jìn)電壓準(zhǔn)確的PWM基準(zhǔn)電壓發(fā)生電路功能及原理分析

電路的功能這種PWM式的D-A轉(zhuǎn)換器，數(shù)據(jù)范圍為0~255（8位二進(jìn)制），因此能以10MV為一步，產(chǎn)生0~2.55V的電壓另外通過改變電阻R2可使?jié)M量程電壓在10V以內(nèi)隨意設(shè)定。電壓變化取決于脈沖占空比，因此，只要基準(zhǔn)電壓穩(wěn)定，
關(guān)鍵字：電壓功能原理分析電路基準(zhǔn) 準(zhǔn)確 PWM 步進(jìn) 發(fā)生

14位Pipeline ADC設(shè)計(jì)的帶隙電壓基準(zhǔn)源技術(shù)介紹

目前，基準(zhǔn)電壓源被廣泛應(yīng)用與高精度比較器，A/D，D/A轉(zhuǎn)換器，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器等集成電路中?；鶞?zhǔn)電壓源是集成電路中一個(gè)重要的單元模塊。它產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓精度，溫度穩(wěn)定性和抗噪聲干擾能力直接影響到芯片，甚至整個(gè)
關(guān)鍵字：基準(zhǔn) 技術(shù) 介紹電壓設(shè)計(jì) Pipeline ADC 14位

低電壓供電時(shí)的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路的設(shè)計(jì)方法

本文采用一種低電壓帶隙基準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。在TSMC0．13mu;m CMOS工藝條件下完成，包括核心電路、運(yùn)算放大器、偏置及啟動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，并用Cadence Spectre對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證?；鶞?zhǔn)電壓是數(shù)?；旌想娐吩O(shè)計(jì)中一個(gè)不可缺少的
關(guān)鍵字：電壓方法設(shè)計(jì) 基準(zhǔn) 供電電路

一種負(fù)精密基準(zhǔn)電壓設(shè)計(jì)

在要求絕對(duì)測(cè)量的應(yīng)用場(chǎng)合，其準(zhǔn)確度受使用基準(zhǔn)值的準(zhǔn)確度的限制。但是在許多系統(tǒng)中穩(wěn)定性和重復(fù)性比絕對(duì)精度更重要;而在有些數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中電壓基準(zhǔn)的長(zhǎng)期準(zhǔn)確度幾乎完全不重要，但是如果從有噪聲的系統(tǒng)電源中派生基
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 電壓基準(zhǔn) 精密

一種低溫漂的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的研究

摘要：為了滿足深亞微米級(jí)集成電路對(duì)低溫漂、低功耗電源電壓的需求，提出了一種在0．25mu;m N阱CMOS工藝下，采用一階溫度補(bǔ)償技術(shù)設(shè)計(jì)的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。電路核心部分由雙極晶體管構(gòu)成，實(shí)現(xiàn)了VBE和VT的線性
關(guān)鍵字：研究電壓基準(zhǔn) CMOS 低溫

基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)及選用介紹

通常我們選用穩(wěn)壓二極管作為基準(zhǔn)電壓源，這是最簡(jiǎn)單、也是最傳統(tǒng)的方法，按照所需電壓值選一個(gè)對(duì)應(yīng)型號(hào)的穩(wěn)壓管當(dāng)然可以，但選得是否合適、是否最佳，卻大有講究?！　∽罨镜碾妷夯鶞?zhǔn)源電路如圖1(a)、穩(wěn)壓管的擊穿
關(guān)鍵字：介紹選用設(shè)計(jì) 電壓基準(zhǔn)

一種高PSR帶隙基準(zhǔn)源的實(shí)現(xiàn)

摘要：本文針對(duì)傳統(tǒng)基準(zhǔn)電壓的低PSR以及低輸出電壓的問題，通過采用LDO與帶隙基準(zhǔn)的混合設(shè)計(jì)，并且采用BCD工藝，得到了一種可以輸出較高參考電壓的高PSR(電源抑制)帶隙基準(zhǔn)。此帶隙基準(zhǔn)的1.186 V輸出電壓在低頻時(shí)PSR
關(guān)鍵字：實(shí)現(xiàn) 基準(zhǔn) PSR

最大消耗380nA電流的電壓基準(zhǔn)源設(shè)計(jì)

1 引言　　隨著各種便攜式移動(dòng)通信和計(jì)算產(chǎn)品的普及，對(duì)電池的需求大大加強(qiáng)，但是電池技術(shù)發(fā)展相對(duì)落后，降低電路的功耗成為IC設(shè)計(jì)關(guān)注的一個(gè)焦點(diǎn);電路的功耗會(huì)全部轉(zhuǎn)換成熱能，過多的熱量會(huì)產(chǎn)生焦耳熱效應(yīng)，加劇硅
關(guān)鍵字：基準(zhǔn) 設(shè)計(jì) 電壓電流消耗 380nA 最大

一種帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)與仿真

摘要設(shè)計(jì)了一款帶隙基準(zhǔn)電壓源，基于0．18mu;m的CMOS工藝，在Hspice下仿真，仿真結(jié)果表明，溫度在-25～80℃內(nèi)變化時(shí)，溫度系數(shù)為9．14times;10-6℃；電源電壓在3～5 V之間變化時(shí)，基準(zhǔn)電壓在1 250plusmn;43 mV內(nèi)
關(guān)鍵字：仿真設(shè)計(jì) 電壓基準(zhǔn)

全CMOS基準(zhǔn)電壓源的分析與仿真

摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對(duì)四利PMOS管基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時(shí)的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
關(guān)鍵詞：基準(zhǔn)電壓；CMOS集成電路；Hspice

0 引言
模擬電路廣泛
關(guān)鍵字：仿真分析電壓基準(zhǔn) CMOS

高電源抑制的基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)方案

但是，由于本設(shè)計(jì)采用LDO供電，而LDO的參考電壓是bg，存在死循環(huán)，即bg低，則LDO低，所以基準(zhǔn)核心的VQC5無法給VQCS2提供電流，也就無法提高VQC2的電壓即bg，因此需要外界提供大電流bias-start，使得當(dāng)LDO無法啟動(dòng)基
關(guān)鍵字：方案設(shè)計(jì) 基準(zhǔn) 抑制電源

一種高電源抑制的基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

摘要：本文針對(duì)傳統(tǒng)基準(zhǔn)電壓的低PSR以及低輸出電壓的問題，通過采用LDO與帶隙基準(zhǔn)的混合設(shè)計(jì)，并且采用BCD工藝，得到了一種可以輸出較高參考電壓的高PSR(電源抑制)帶隙基準(zhǔn)。此帶隙基準(zhǔn)的1．186 V輸出電壓在低頻時(shí)PS
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 基準(zhǔn) 抑制電源

0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)

基準(zhǔn)電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機(jī)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準(zhǔn)電壓源。
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 電壓基準(zhǔn) CMOS 0.18

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基準(zhǔn)介紹

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基準(zhǔn)電路

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