基本半導體 文章 進入基本半導體技術(shù)社區(qū)
基本半導體承辦中日韓第三代半導體技術(shù)研討會
- 11月5日，在第二屆國際電力電子技術(shù)與應用會議暨博覽會期間，來自中國、日本和韓國的第三代半導體專家齊聚基本半導體，參加第三代半導體功率器件先進應用技術(shù)研討會?！ 〕鱿瘯h的嘉賓包括清華大學孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學馬柯博士、華中科技大學蔣棟教授、長岡技術(shù)科學大學伊東淳一教授、東京都立大學和田圭二副教授、韓國亞洲大學Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學者和基本半導體研發(fā)團隊。與會嘉賓分享了各自在第三代半導體功率器件領(lǐng)域的最新研究主題和方向，
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基本半導體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂獎”
- 近日，從深圳市人力資源和社會保障局傳來喜訊，基本半導體憑借在人才引進方面的突出成果，獲評“2018年度深圳市人才伯樂獎”?！ ∩钲谑腥瞬挪畼藩勈怯缮钲谑姓O立，旨在鼓勵企事業(yè)單位、人才中介組織等引進和舉薦人才，以增強企業(yè)科技創(chuàng)新能力，提升城市核心競爭力。每年市政府通過評選伯樂獎對在本市人才培養(yǎng)、引進過程中作出貢獻的單位及個人給予表彰和獎勵?！ 』景雽w是第三代半導體領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，從創(chuàng)立之初就非常重視人才的引進和培養(yǎng)。作為一家由海歸博士創(chuàng)立的公司，基本半導體依托廣泛的海外資源，成功引進了來自英
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基本半導體成功主辦第二屆中歐第三代半導體高峰論壇
- 10月24日，由青銅劍科技、基本半導體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行?！ ”緦酶叻逭搲偷谌雽w產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達成戰(zhàn)略合作，與第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇同期舉行，來自中國、歐洲及其他國家的專家學者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺論劍，給現(xiàn)場觀眾帶來了一場第三代半導體產(chǎn)業(yè)的盛宴?！ ×⒆銍H產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，從全球視角全面探討第三代半導體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰(zhàn)，以及面向未來的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導體高峰論壇舉辦的宗旨。目
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基本半導體推出高性能碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）
- 碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導體器件的性能，對電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為最先實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動態(tài)性能，基本半導體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優(yōu)越性能廣受市場追捧?！ iC JBS產(chǎn)品優(yōu)勢 作為單極型器件，SiC JBS在工作過程中沒有少數(shù)載流子儲存，其反向恢復電流主要取決于耗盡層結(jié)電容，反向恢復電荷以及反向恢復損耗比Si超快恢復二極管要低一到兩個數(shù)量級。更重
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3D SiC技術(shù)閃耀全場，基本半導體參展PCIM Asia引關(guān)注
- 6月26日-28日，基本半導體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會?！ 』景雽w展臺以充滿科技感和未來感的藍白為主色調(diào)，獨有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內(nèi)外參展觀眾的眼球?！ ∪颡殑?chuàng)3D SiC?技術(shù) 展會期間，基本半導體技術(shù)團隊詳細介紹了公司獨創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù)，該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過外延生長結(jié)構(gòu)取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設計靈活性也有利于實現(xiàn)高電流密度的
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國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行調(diào)研基本半導體
- 4月9日上午，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導體考察調(diào)研。 基本半導體董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品，包括性能達到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?！ ‰S后丁文武一行聽取了基本半導體總經(jīng)理和巍巍博士對公司發(fā)展情況的匯報。丁文武對基本半導體的技術(shù)創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定，并鼓勵公司團隊再接再厲，立足創(chuàng)新驅(qū)動，不斷發(fā)展壯大，成為中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)?！ 壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)投資基金是為促進集
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砥礪奮進逐夢前行，基本半導體總經(jīng)理和巍巍博士當選中國半導體行業(yè)協(xié)會理事
- 12月19日，中國半導體行業(yè)協(xié)會換屆大會暨第七屆會員大會、第七屆理事會第一次會議在上海召開?；景雽w總經(jīng)理和巍巍博士受邀出席并當選新一屆中國半導體行業(yè)協(xié)會理事，以碳化硅為代表的第三代半導體受到行業(yè)廣泛關(guān)注?！ ?017年全球半導體產(chǎn)業(yè)重新進入加速發(fā)展通道，預計全年市場規(guī)模將增長至3465億美元，中國市場成全球半導體產(chǎn)業(yè)引擎，近三年來市場規(guī)模都以超過全球20%的速度快速增長。與此同時，發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)上升到國家戰(zhàn)略，在政策和市場的雙重驅(qū)動下，第三代半導體行業(yè)將迎來增長爆發(fā)期。 工業(yè)和信息化部
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基本半導體介紹
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