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	外延生長
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助
          
                                                            
            
                    	
          • 第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。2024年9月3日，信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應(yīng)樣品。圖片來源：信越化學(xué)從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN器件制造商可以使用現(xiàn)有的Si生產(chǎn)線來生產(chǎn)GaN，但由于缺乏適合GaN生長的大直徑基板，因此無法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數(shù)，可實現(xiàn)大直徑的高質(zhì)量厚GaN外延生長，并抑制SEMI標準厚度的QS
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          • 關(guān)鍵字：
                        信越化學(xué)  氮化鎵  外延生長                          
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          外延生長介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	外延生長　　外延生長【epitaxial growth】【】 在單晶襯底（基片）上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層的方法。外延生長技術(shù)發(fā)展于20世紀50年代末60年代初，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯(lián)電阻。生長外延層有多種方法，但采用最多的是氣相外延工藝，常使用高頻感應(yīng)爐加熱，襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體上，然后放進石英反應(yīng)器中，也可采用紅外輻		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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