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          多層芯片實(shí)現(xiàn)新突破

          • 近日,美國(guó)麻省理工學(xué)院團(tuán)隊(duì)在最新一期《自然》雜志上介紹了一種創(chuàng)新的電子堆疊技術(shù)。該技術(shù)能顯著增加芯片上的晶體管數(shù)量,從而推動(dòng)人工智能(AI)硬件發(fā)展更加高效。通過(guò)這種新方法,團(tuán)隊(duì)成功制造出了多層芯片,其中高質(zhì)量半導(dǎo)體材料層交替生長(zhǎng),直接疊加在一起。隨著計(jì)算機(jī)芯片表面容納晶體管數(shù)量接近物理極限,業(yè)界正在探索垂直擴(kuò)展——即通過(guò)堆疊晶體管和半導(dǎo)體元件到多個(gè)層次上來(lái)增加其數(shù)量,而非繼續(xù)縮小單個(gè)晶體管尺寸。這一策略被形象地比喻為“從建造平房轉(zhuǎn)向構(gòu)建高樓大廈”,旨在處理更多數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)比現(xiàn)有電子產(chǎn)品更加復(fù)雜的功能。然而
          • 關(guān)鍵字: 多層芯片  
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          多層芯片介紹

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