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聯(lián)發(fā)科最強5G Soc！臺積電3nm天璣芯片成功流片：2024年量產(chǎn)

• 9月7日消息，今日，聯(lián)發(fā)科官方宣布，聯(lián)發(fā)科首款采用臺積電3nm工藝的天璣旗艦芯片開發(fā)順利，日前已成功流片，預計2024年下半年上市，將成為聯(lián)發(fā)科最強5G Soc。據(jù)悉，臺積電3nm擁有更強性能、功耗、良率，相較5nm工藝，3nm工藝的邏輯密度增加約60%，在相同功耗下速度提升18%，或在相同速度下功耗降低32%。在今年7月的季度財務會議上，臺積電CEO魏哲家透露，去年底開始量產(chǎn)的N3 3nm工藝，已完全通過驗證，性能、良品率都達到了預期目標。臺積電3nm工藝第一代為N3B，技術上很先進很復雜，應用多達25
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