所謂選擇性發(fā)射極(SE-selectiveemiter)晶體硅太陽電池,即在金屬柵線(電極)與硅片接觸部位進(jìn)行重?fù)诫s,在電極之間位置進(jìn)行輕摻雜。這樣的結(jié)構(gòu)可降低擴散層復(fù)合,由此可提高光線的短波響應(yīng),同時減少前金屬電極與硅的
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實現(xiàn) 方法 分析 電池 太陽 發(fā)射 晶體 選擇性
基于ARM嵌入式圖像處理平臺的太陽跟蹤系統(tǒng),摘要:基于計算機視覺原理,以ARM微控制器為核心構(gòu)建嵌入式圖像處理平臺,實現(xiàn)了對太陽的實時跟蹤。系統(tǒng)采用CMOS圖像傳感器采集太陽圖像,通過微控制器計算太陽角度,通過串口控制轉(zhuǎn)臺,實現(xiàn)對太陽的高精度跟蹤。同時
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太陽 跟蹤 系統(tǒng) 平臺 圖像處理 ARM 嵌入式 基于
硅太陽電池的應(yīng)用日趨廣泛, 但昂貴的原材料成為發(fā)展的瓶頸. 薄膜太陽電池由于只需使用一層極薄的光電材料,材料使用非常少。并可使用軟性襯底,應(yīng)用彈性大,如果技術(shù)發(fā)展成熟,其市場面將相當(dāng)寬闊。本文就迄今被人們
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薄膜 電池 太陽 太陽能電池 太陽能 利用
為了進(jìn)一步降低多晶硅太陽電池的成本,研究了硅片厚度對多晶硅太陽電池的短路電流密度、開路電壓和效率的影響??梢钥闯?,在保證多晶硅太陽電池性能不變或者提高的前提下,硅片厚度可以減小到200um,如果繼續(xù)減小厚度
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電池 硅片 太陽 太陽能 影響 性能 厚度 多晶硅
常規(guī)晶體硅太陽電池使用壽命一般承諾20或25年(一般組件出廠有質(zhì)保書,保證什么時候衰減到多少),晶體硅太陽電池片由于晶體生長過程中引入雜質(zhì),對電池片的初期光照會導(dǎo)致其中的摻雜劑和氧、鐵等雜質(zhì)形成復(fù)合中心,
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衰減 趨勢 壽命 使用 太陽 電池 晶體
1.準(zhǔn)單晶技術(shù)簡介1.1傳統(tǒng)的單晶硅和多晶硅技術(shù)我們知道,單晶硅一般是采用直拉法(CZ法)制得,用特定晶向的單晶籽晶進(jìn)行引晶,經(jīng)過旋轉(zhuǎn)提拉得到目標(biāo)晶向的單晶硅棒,所得產(chǎn)品僅含一個晶粒,具有低缺陷、高轉(zhuǎn)換效率等
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概況 技術(shù) 電池 太陽 單晶
0 引 言聚光式太陽集熱器盡管必須精確地跟蹤太陽,以確保好的效果,但仍然比普通的平面太陽集熱裝置有著明顯的優(yōu)勢,特別是中溫和高溫應(yīng)用。 各種型式的裝置,從簡單到復(fù)雜,應(yīng)用于太陽跟蹤,主要可以分成兩大類,
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跟蹤 太陽 實現(xiàn) 單片機 80C196KC
摘要:在太陽電池表面形成一層減反射薄膜是提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率比較可行且降低成本的方法。應(yīng)用PECVD(等離子體增強化學(xué)氣相沉積)系統(tǒng),采用SiH4和NH3氣源以制備氮化硅薄膜。研究探索了PECVD生長氮化硅薄膜的基
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研究 反射 電池 太陽 晶體
在過去的幾十年中,人類經(jīng)濟活動的持續(xù)高速發(fā)展使得電力需求迅速增加。太陽電池是一種利用光生伏特效應(yīng)將太陽能能直接轉(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件,很容易實現(xiàn)并網(wǎng)發(fā)電或作為獨立能源。眾所周知,太陽電池發(fā)電具有許多優(yōu)
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電池 技術(shù) 太陽 薄膜 非晶 柔性
摘要:大面積單結(jié)集成型a-Si:H太陽電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計技術(shù),并分析了制備工藝對其性能的影響。關(guān)鍵詞:太陽電池設(shè)計分析Structural Device and Preparation Analysis of Large AreaSingle Junction Integrated a- Si:H
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結(jié)構(gòu)設(shè)計 制備 分析 電池 太陽 結(jié)集 成型 Si:H 大面積
設(shè)計一種基于COMS圖像傳感器的太陽自動跟蹤控制器,上位機通過MCC實現(xiàn)VC++與Matlab聯(lián)合編程,實時控制圖像傳感器獲取太陽光斑圖像。經(jīng)Matlab計算,得到太陽光寬質(zhì)心坐標(biāo)與圖像中心坐標(biāo)的偏差,轉(zhuǎn)化為水平和俯仰的步進(jìn)電機需調(diào)整的步數(shù),進(jìn)而實時調(diào)整平面鏡跟蹤裝置,使太陽光斑始終在圖像中心位置。實驗結(jié)果表明,該裝置實現(xiàn)了太陽自動跟蹤的目的,具有較高的跟蹤精度。
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跟蹤 控制器 設(shè)計 實現(xiàn) 自動 太陽 COMS 圖像 傳感器 基于
引言 近年來,光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,提高效率和降低成本成為整個行業(yè)的目標(biāo)。在晶體Si太陽電池的薄片化發(fā)展過程中,出現(xiàn)了許多嚴(yán)重的問題,如碎片、電池片隱裂、表面污染、電極不良等,正是這些缺陷限制了電池的光電
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電池 缺陷 應(yīng)用 太陽 Si 技術(shù) 檢測 晶體 發(fā)光
摘要:由于太陽位置隨時間而變化,使光伏發(fā)電系統(tǒng)的太陽能電池陣列受光照強度不穩(wěn)定,從而降低了光伏電池的效率,因此,設(shè)計太陽自動跟蹤器是提高光伏發(fā)電系統(tǒng)工作效率的有效措施。本文采用單片機EM78247為控制核心,
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太陽 自動 跟蹤 系統(tǒng) 發(fā)電 單片機 EM78247 基于
為提高太陽能的利用率,以ATmega8單片機為控制核心,設(shè)計了一套光電跟蹤與視日運動軌跡跟蹤互補控制的雙軸太陽跟蹤器。該跟蹤器在晴天時,利用光敏電阻采集光強判斷太陽位置,控制步進(jìn)電機實現(xiàn)光電跟蹤;在陰天時,采集時鐘器件PCF8583的時間信息,計算當(dāng)前太陽位置來實現(xiàn)視日運動軌跡跟蹤。實驗表明:該太陽跟蹤器能在不同天氣狀況下對太陽進(jìn)行較準(zhǔn)確地跟蹤,能量接收效率提高了30%,達(dá)到充分利用太陽能的目的。
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跟蹤 設(shè)計 太陽 雙軸 ATmega8 基于
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