奇夢達 文章 進入奇夢達技術(shù)社區(qū)
奇夢達在蘇州設(shè)立新存儲產(chǎn)品研發(fā)中心
- 2007年8月7日，中國蘇州——全球領(lǐng)先的存儲產(chǎn)品供應(yīng)商奇夢達公司（NYSE:QI）今日宣布，該公司計劃在中國蘇州設(shè)立一家新的專門開發(fā)存儲產(chǎn)品的研發(fā)中心。這家新的研發(fā)中心將幫助奇夢達實現(xiàn)擴大和多樣化產(chǎn)品組合的目標。新研發(fā)中心位于奇夢達設(shè)在蘇州工業(yè)園區(qū)負責(zé)組裝和測試內(nèi)存IC（后端）的奇夢達工廠內(nèi)，距上海80公里。 蘇州研發(fā)中心是由奇夢達全資所有的獨立實體，預(yù)計總投資額將達到2,000萬美元。該研發(fā)中心計劃于2007年10月1日開始運營，同時從中國的大專院校聘請相關(guān)領(lǐng)域的工程師。奇夢達計劃在五年內(nèi)聘用200名
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奇夢達推出節(jié)能型FB-DIMM
- 奇夢達公司近日宣布推出業(yè)界首款四列8GB DDR2全緩沖雙線內(nèi)存模組（FB-DIMM），該模組技術(shù)是推動下一代多核服務(wù)器性能的重要技術(shù)，同時還可降低服務(wù)器的功耗。這些領(lǐng)先的FB-DIMM模組進一步壯大了奇夢達本已非常廣博的產(chǎn)品陣容，可更好地滿足服務(wù)器和高性能計算機工作站應(yīng)用日益增長的要求。 奇夢達的新款FB-DIMM模組的速率最快可達800 MHz。800 MHz模組將提高今年晚些時候面市的下一代服務(wù)器的性能。在800 MHz模組中，每條高速通道的帶寬為4.8&nb
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奇夢達DDR3內(nèi)存組件和模組經(jīng)過英特爾認證
- 奇夢達近日宣布，作為首批DRAM供應(yīng)商之一 ，已開始向重要的主板廠商和超頻內(nèi)存模組制造商提供全新的DDR3組件和模組。此外，奇夢達新一代DDR3 DRAM產(chǎn)品已通過英特爾平臺的認證。 奇夢達目前可提供512 MB DDR3 SDRAM組件和具備512MB和1GB存儲密度的 DDR3非緩沖DIMM。當(dāng)前提供的這些器件支持800MHz、1066MHz 和 1333MHz的工作速度，甚至可超頻到1600MHz及以上，使它們成為迄今為止行業(yè)速度最快的器件。超頻是提高高端應(yīng)用PC系統(tǒng)性能的常用技術(shù)，例如3
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奇夢達擬于新加坡設(shè)300mm晶圓廠 增強亞洲前端產(chǎn)能
- 奇夢達公司近日宣布，公司計劃通過在亞洲建造一個全資所有的300mm晶圓廠來增強其在亞洲市場的地位。根據(jù)全球半導(dǎo)體市場的增長和發(fā)展情況，奇夢達計劃在今后五年內(nèi)對該晶圓廠投資大約20億歐元。新的晶圓廠擬設(shè)在新加坡，將擁有20,000平方米的清潔室，預(yù)計全面投量產(chǎn)后，將使奇夢達的前端產(chǎn)能每月增加60,000片。 “我們在新加坡的投資，是增強亞洲市場業(yè)務(wù)的重要一步。我們也會由此制定幾項重要的戰(zhàn)略目標。”奇夢達總裁兼首席執(zhí)行官羅建華說，“這項投資能夠讓我們對快速增長的DRAM市場做出響應(yīng)，并且更加靠近我們
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奇夢達攜手Advantest共同開發(fā)GDDR5測試解決方案
- 奇夢達攜手Advantest開發(fā)GDDR5（顯示雙數(shù)據(jù)速率5）測試硬件。此次合作旨在開發(fā)適用于GDDR5圖形DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的經(jīng)濟有效的大容量測試解決方案。 GDDR5將成為繼GDDR3之后的下一個主要顯示DRAM標準。GDDR5存儲器性能將超過現(xiàn)有的顯示標準。全新特性和性能將使GDDR5成為適用于未來高性能顯示應(yīng)用（如PC顯卡或游戲控制臺）的理想產(chǎn)品。GDDR5標準目前正在由JEDEC制定。新的I/O標準要成功地進入市場需要可制造性的支持，而內(nèi)存測試正是制造的一個主要部分。
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Spansion與奇夢達提供多重芯片封裝存儲系統(tǒng)
- 全球最大的閃存解決方案供應(yīng)商Spansion 公司（NASDAQ：SPSN）與領(lǐng)先的DRAM制造商奇夢達公司今日宣布, 雙方已簽署策略供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議規(guī)定，奇夢達低功耗專用DRAM和Spansion® MirrorBit® NOR和 ORNAND™ 閃存將被集成至面向移動設(shè)備的多重芯片封裝（MCP）存儲系統(tǒng)中。除此之外，兩家公司計劃協(xié)調(diào)彼此的產(chǎn)品發(fā)展藍圖， 特別是針對特定Spansion 閃存的奇夢達PSRAM（Pseudo SRAM），從而取得更高的經(jīng)濟效益和成品率，為移動
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Spansion與奇夢達簽署策略供應(yīng)協(xié)議
- Spansion與DRAM制造商奇夢達公司今日宣布, 雙方已簽署策略供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議規(guī)定，奇夢達低功耗專用DRAM和Spansion® MirrorBit® NOR和 ORNAND™ 閃存將被集成至面向移動設(shè)備的多重芯片封裝（MCP）存儲系統(tǒng)中。除此之外，兩家公司計劃協(xié)調(diào)彼此的產(chǎn)品發(fā)展藍圖， 特別是針對特定Spansion 閃存的奇夢達PSRAM（Pseudo SRAM），從而取得更高的經(jīng)濟效益和成品率，為移動設(shè)備OEM廠商提供更高效率。 根據(jù)協(xié)議規(guī)定，奇夢達將以提
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美光奇夢達趕在三星前推出DDR3內(nèi)存
- 內(nèi)存生產(chǎn)商奇夢達和美光先于三星電子，推出了DDR3 DRAM內(nèi)存的樣品。該公司的營銷副總裁簡尼-馬凱（Jenn Markey）稱，長期以來市場一直期待，速度有希望比DDR2高一倍、能耗卻不會顯著增加的DDR3的出現(xiàn)，只是奇怪美光和奇夢達能在DRAM市場傳統(tǒng)領(lǐng)先者三星之前推出。 DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速率可達到1600Mb/s（1600兆位/秒），電源電壓卻從1.8伏特下降到1.5伏特，這可降低能耗和延長移動設(shè)備的電池壽命。美光內(nèi)存部門高級營銷主管比
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奇夢達投資2.5億歐元在中國擴建后端工廠
- 奇夢達公司宣布，公司將對位于中國蘇州，距離上海西部80公里的蘇州工業(yè)園的存儲IC組裝和測試后道工廠進行擴建。在擴建過程中，奇夢達將建造第二座工廠，以使其產(chǎn)能翻番。在接下來的三年中，公司將在新工廠的基礎(chǔ)設(shè)施、生產(chǎn)設(shè)備和 IT方面投資約2.5億歐元。這次擴建是對從2003年開始在蘇州工業(yè)園建造的現(xiàn)有生產(chǎn)基地的繼續(xù)投資。 奇夢達計劃在2007年3月開始新工廠的建造，準備于2007年底在新工廠進行設(shè)備安裝。在現(xiàn)有的10,000平方米清潔室的基礎(chǔ)上，將繼續(xù)建設(shè)一個新的面積達10,000平方米的清潔室。此次
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奇夢達2007財年第一季度收入強勁增長
- 奇夢達近日公布了2007財年第一季度（截止到2006年12月31日）的財務(wù)數(shù)據(jù)。2007財年第一季度，奇夢達的凈銷售額為11.7億歐元，比去年同期增長73%，比上個季度輕微下滑5%。2007財年第一季度的息稅前收益 (EBIT) 為2.5億歐元，與2006財年第四季度的2.15億歐元相比，增長16%，而2006財年第一季度公司虧損1.23億歐元。本季度的凈收入增至1.77億歐元（每股收益 （基本的和稀釋的） 0.52歐元），相比之下，上一季度的凈收入為1.56億歐元
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Ovonyx與奇夢達簽訂相變內(nèi)存技術(shù)許可協(xié)議
- Ovonyx公司與奇夢達股份公司（NYSE：QI）宣布，雙方就采用Ovonyx和奇夢達的相變隨機存取存儲器（PCRAM）相關(guān)技術(shù)專利及知識產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存產(chǎn)品，簽訂長期交叉許可協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議規(guī)定，Ovonyx公司將大力支持奇夢達相變內(nèi)存產(chǎn)品開發(fā)項目。 Ovonyx與其最大的股東Energy Conversion Devices發(fā)明并率先開發(fā)了PCRAM技術(shù)，對PCRAM的情況非常了解，包括相變內(nèi)存設(shè)備、材料、加工、設(shè)計、模型制造和性能優(yōu)化。Ovonyx PCRAM技術(shù)采用可逆相變
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IBM、旺宏和奇夢達共同推出新型存儲芯片技術(shù)
- 尺寸非常小的新型“相變”內(nèi)存速度遠遠快于閃存 來自IBM、旺宏和奇夢達的科學(xué)家今天聯(lián)合發(fā)布他們的共同研究成果，這種新型計算機存儲器技術(shù)將有望取代已被廣泛用于計算機和消費類電子產(chǎn)品（如數(shù)碼相機和便攜式音樂播放器）的閃存芯片。 新研究成果預(yù)示“相變”內(nèi)存的前景一片光明，該內(nèi)存的處理速度遠遠快于閃存，并且尺寸也比閃存小得多，從而使未來高密度“非易失性”存儲器以及功能更強大的電子設(shè)備的出現(xiàn)成為可能。非易失性存儲器無需利用電力來保存信息。通過將非易失性與優(yōu)異性能以及可靠性完美結(jié)合起來，相變技術(shù)還為面向移
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奇夢達推出DDR366移動RAM
- 奇夢達推出DDR366移動RAM——業(yè)界首款性能高達183兆赫的移動RAM，滿足移動應(yīng)用不斷增長的帶寬需求，同時實現(xiàn)最低功耗 奇夢達股份公司（NYSE：QI）宣布推出全球首款183兆赫雙數(shù)據(jù)速率同步移動RAM（DDR366）。這款全新的存儲器件采用60球細密球型網(wǎng)數(shù)組封裝（FBGA封裝），存儲容量為512Mb, 工作電壓為1.8V，符合JEDEC DDR標準。為提高系統(tǒng)制造商對高帶寬市場需求的回應(yīng)，奇夢達率先推出的183赫茲移動RAM將以其低功耗滿足具有多種應(yīng)用的消費類手持終端不斷增長
- 關(guān)鍵字： 183兆赫 單片機 奇夢達 嵌入式系統(tǒng) 雙數(shù)據(jù)速率同步 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無線 存儲器
奇夢達與赫克松科技成合作伙伴
- 奇夢達與赫克松科技成合作伙伴 億能內(nèi)存在大陸擴展銷售版圖 德國半導(dǎo)體大廠奇夢達公司(Qimonda AG, NYSE:QI)宣布，已授權(quán)赫克松科技有限公司正式成為其分銷代理合作伙伴，負責(zé)奇夢達「億能內(nèi)存」(Aeneon)產(chǎn)品在中國大陸市場的零售服務(wù)。這項宣布除了顯示奇夢達已擴展了億能內(nèi)存在大陸的銷售版圖，其中包括了赫克松科技在大陸主要城市如上海和深圳等駐點外，更進一步提升億能內(nèi)存產(chǎn)品今后在大中國區(qū)市場的品牌形象與定位。 億能內(nèi)存全球渠道通路副總裁林英杰先生表示：「正如我們把A
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奇夢達與南亞科技獲75納米DRAM技術(shù)驗證
- 奇夢達公司和南亞科技公司宣布已成功獲得75納米 DRAM 溝槽式(Trench)技術(shù)之驗證，最小之制程尺寸為70納米, 第一個75納米之產(chǎn)品將為512Mb DDR2 內(nèi)存芯片。此項新的技術(shù)平臺和產(chǎn)品是雙方共同在德國德累斯頓(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇夢達開發(fā)中心所開發(fā)的。目前已經(jīng)在奇夢達的德累斯頓十二吋廠生產(chǎn)線開始此項新一代 DRAM技術(shù)之試產(chǎn)。 負責(zé)奇夢達的市場和運作，也是管理委員會的委員之一的賽佛(Thomas&
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奇夢達介紹
英飛凌科技公司（InfineonTechnologies）總部位于德國慕尼黑，德國最大的半導(dǎo)體產(chǎn)品制造商，是國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)富有創(chuàng)造性的領(lǐng)導(dǎo)者法蘭克福上市代碼：IFX。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。為特定領(lǐng)域設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售廣泛的半導(dǎo)體及完整的系統(tǒng)解決方案。產(chǎn)品廣泛使用在有線、無線通信領(lǐng)域、汽車及工業(yè)電 [ 查看詳細 ]
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