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子單元文章進入子單元技術(shù)社區(qū)

子單元長期存放對焊接質(zhì)量的影響*

長期進行IGBT器件焊接封裝發(fā)現(xiàn)，IGBT器件封裝所用關(guān)鍵部件子單元的存放時間長短對焊接空洞影響較大，本文分別對兩批存放時間差別較大的子單元進行封裝，通過實驗對比兩批產(chǎn)品的空洞率，結(jié)果表明存放時間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小，從而提高了IGBT器件的可靠性。
關(guān)鍵字： IGBT 焊接封裝空洞率子單元 202201

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