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	存儲單元
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          SDRAM電路設計詳解
          
                                                            
            
                    	
          • 介紹SDRAM電路設計之前先了解下SDRAM的尋址原理。SDRAM內部是一個存儲陣列，可以把它想象成一個表格，和表格的檢索原理一樣，先指定行，再指定列，就可
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        SDRAM  電路設計  尋址原理  存儲單元                          
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          抗故障攻擊的專用芯片存儲單元設計
          
                                                            
            
                    	
          • 在復用檢測和線性校驗碼檢測的基礎上，提出互補存儲、奇偶校驗和漢明碼校驗三種存儲單元的抗故障攻擊防護方案。應用這三種方案，用硬件描述語言Verilog設計了三種抗故障攻擊雙端口RAM存儲器，在Altera 公司的器件EP1C12Q240C8上予以實現(xiàn)。
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        漢明碼校驗  存儲單元  Verilog                          
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          RISC結構微處理器專用存儲單元的研究與實現(xiàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 分析了RISC微處理器結構的特點，針對分組密碼的操作特征在RISC結構密碼專用微處理器中增加專用存儲單元，用來專門存儲密碼運算的相關數(shù)據(jù)，同時擴展了指令集，極大地減少了執(zhí)行密碼算法時的指令條數(shù),提高了密碼運算效率，增強了其處理性能。 
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        RISC微處理器  分組密碼  存儲單元                          
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          分離柵極閃存循環(huán)擦寫引起退化分量剖析
          
                                                            
            
                    	
          • SuperFlash®技術基于分離柵極概念，廣泛用于獨立和嵌入式NOR閃存產(chǎn)品。與其他競爭解決方案相比，SuperFlash的主要優(yōu)勢包括：因采用較厚的隧道電介質
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        分離柵極  存儲單元  嵌入式                          
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          E2PROM的存儲單元
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          E2PROM存儲單元的三種工作狀態(tài)
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          基于MCS-8051單片機的片外數(shù)據(jù)存儲器擴展設計研究
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          世界上最小的靜態(tài)存儲單元問世
          
                                                            
            
                    	
          • 　　8月18日，美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院（CNSE）等機構共同宣布，世界上首個22納米節(jié)點有效靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設備環(huán)境下，制造出有效存儲單元。

　　SRAM芯片是更復雜的設備，比如微處理器的“先驅”。SRAM單元的尺寸更是半導體產(chǎn)業(yè)中的關鍵技術指標。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設計，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。

　　新的研究工作是在
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          • 關鍵字：
                        AMD  SRAM  IBM  存儲單元                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          一種低電壓開關電流甲乙類存儲單元的設計
          
                                                            
            
                    	
          • 本文設計了一種低電壓甲乙類開關電流存儲單元，電源電壓±1 V，其最大采樣信號頻率12.9 MHz，并且具有結構簡單、容易設計的優(yōu)點。
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        低電壓  存儲單元  開關電流                            
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	共9條
	1/1															1								
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          存儲單元介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	存儲單元一般應具有存儲數(shù)據(jù)和讀寫數(shù)據(jù)的功能，一般以8字節(jié)作為一個存儲單元。每個單元有一個地址，是一個整數(shù)編碼，可以表示為二進制整數(shù)。程序中的變量和主存儲器的存儲單元相對應。變量的名字對應著存儲單元的地址，變量內容對應著單元所存儲的數(shù)據(jù)。指針的內容是存儲地址在存儲器中有大量的存儲元，把它們按相同的位劃分為組，組內所有的存儲元同時進行讀出或寫入操作，這樣的一組存儲元稱為一個存儲單元。一個存儲單元通?？?	      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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