存儲 文章 進(jìn)入存儲技術(shù)社區(qū)
DDR6內(nèi)存新標(biāo)準(zhǔn)將上線
- 據(jù)JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會）消息，DDR6（包括LPDDR6）已明確會以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。DDR6內(nèi)存最低頻率8800MHz，可提高至17.6GHz，理論最高可以推進(jìn)至21GHz，遠(yuǎn)超DDR4和DDR5內(nèi)存。CAMM2是一種全新內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，同樣支持DDR6標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存，也就是適用于臺式PC等大型PC設(shè)備。JEDEC預(yù)計，將在今年內(nèi)完成DDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的初步草稿，1.0正式版最快也要到明年二季度，具體產(chǎn)品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。從LPDDR6來看，該內(nèi)存產(chǎn)
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新型存儲技術(shù)迎制程突破
- 近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計劃逐步推進(jìn)制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術(shù)，屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù)，同時寫入速度是NAND的1000倍數(shù)。基于上述特性，業(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一，致力于推動eMRAM在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。三
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再添一家存儲廠商IPO過會！探究AI PC/手機(jī)存儲帶來的新變革
- 在AI加持下，存儲市場今年起勢明顯，存儲芯片價格上升、技術(shù)迭代步伐加速。近期，科創(chuàng)板再添一家存儲企業(yè)過會，近半年以來，我國已有三家存儲相關(guān)廠商成功上會，另有一家武漢新芯正啟動上市輔導(dǎo)，四家廠商科創(chuàng)板IPO中止。從終端市場看，面對未來，AI技術(shù)對手機(jī)及PC應(yīng)用市場提出了新的存儲要求，以下將關(guān)注到AI給手機(jī)、PC端的最新變化。新“國九條”后聯(lián)蕓科技科創(chuàng)板IPO成功過會5月31日，上交所發(fā)布公告稱，通過了科創(chuàng)板擬IPO企業(yè)聯(lián)蕓科技（杭州）股份有限公司（以下簡稱“聯(lián)蕓科技”）的發(fā)行上市申請。公開資料顯示，聯(lián)蕓科技
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三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料
- 據(jù)外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現(xiàn)pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預(yù)測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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存儲龍頭計劃興建新工廠！
- 近期，日媒報道美光科技計劃在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片，美光計劃投入約51億美元。上述新廠有望于2026年動工，并安裝EUV設(shè)備，最快2027年投入運(yùn)營。據(jù)悉，美光曾計劃該工廠能在2024年投入使用，然而由于當(dāng)前市場環(huán)境的挑戰(zhàn)和不確定性，美光調(diào)整了原定的時間表。近年日本積極出臺補(bǔ)貼政策吸引半導(dǎo)體大廠赴日建廠，美光同樣可以獲得補(bǔ)貼。2023年10月，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省正式宣布，將為美光科技在廣島工廠的存儲芯片項目提供高達(dá)1920億日元的補(bǔ)貼，以支持在日研發(fā)下一代芯片。
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三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試
- 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達(dá)測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過程”，同時強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
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組臺電腦成本越來越高：除 CPU / GPU 之外，內(nèi)存和固態(tài)硬盤價格也瘋漲
- IT之家 5 月 20 日消息，各位網(wǎng)友，你有發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在組裝一臺電腦越來越貴了嗎？除了 CPU 和 GPU 兩個大件之外，內(nèi)存和固態(tài)硬盤的價格也水漲船高，基本上所有零件都處于漲價狀態(tài)。固態(tài)硬盤的價格到去年第 4 季度一直處于歷史最低點，甚至連 DDR5 內(nèi)存的價格似乎也已觸底。然而，這一切都將在 2024 年下半年發(fā)生改變。IT之家基于 XDA 媒體觀點，簡要介紹如下：固態(tài)硬盤科技媒體 xda-developers 追蹤觀測過去 6-7 個月亞馬遜平臺固態(tài)硬盤價格，從 2023 年 10 月左右開
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國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)再起飛！
- 在經(jīng)歷下行周期后，2023年第四季度開始，存儲價格開始止跌回暖，且從各大廠商公布的最新營收來看，存儲芯片市場回溫信號正逐漸凸顯。一）廠商業(yè)績釋放回溫信號從國際大廠來看，此前鎧俠、SK海力士、三星、美光、西部數(shù)據(jù)等公布的最新財報數(shù)據(jù)顯示，在AI需求加持下，各大廠商營收和利潤均表現(xiàn)亮眼。其中，鎧俠、美光和西部數(shù)據(jù)均實現(xiàn)扭虧為盈，鎧俠2023財年第四季度財報實現(xiàn)營業(yè)利潤439億日元、凈利潤103億日元；美光2024財年二財季GAAP凈利潤為7.93億美元；西數(shù)今年一季度在Non-GAAP會計準(zhǔn)則下，凈利潤為2.
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)
- IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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華邦電子安全閃存新動態(tài) 引領(lǐng)安全閃存市場新風(fēng)向
- 在數(shù)字化浪潮席卷全球的今天，數(shù)據(jù)存儲與保護(hù)的重要性愈發(fā)凸顯。尤其在物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、汽車電子等領(lǐng)域，對安全閃存產(chǎn)品的需求日益增長。華邦電子，作為業(yè)界知名的半導(dǎo)體存儲解決方案提供商，近日在線上舉辦了W77Q產(chǎn)品更新媒體會，會上華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪和華邦電子技術(shù)經(jīng)理李亞玲，展示了其在安全閃存領(lǐng)域的最新成果與戰(zhàn)略布局。W77Q與W75F：安全存儲的雙子星華邦電子在安全閃存領(lǐng)域擁有兩大核心產(chǎn)品：W77Q和W75F。這兩款產(chǎn)品針對不同應(yīng)用場景和安全需求，展現(xiàn)了華邦電子在安全閃存技術(shù)方面的深厚實力。據(jù)華邦電子技術(shù)經(jīng)理
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美光曝存儲器新進(jìn)度
- 研調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢17日舉辦AI服務(wù)器論壇，美光透露目前DDR5醞釀許久，而HBM產(chǎn)能在2025年前已滿載，美光在各種存儲器產(chǎn)品有多種布局，也為AI數(shù)據(jù)中心提供強(qiáng)大支持。美光在全球布局超過54,000項專利，存儲器和存儲技術(shù)領(lǐng)先業(yè)界，目前已經(jīng)醞釀很久DDR5，下一代會做到1γ制程，采用EUV制程技術(shù)，計劃2025年率先在中國臺灣量產(chǎn)。美光表示，公司擁有廣泛的產(chǎn)品群組、長周期生命產(chǎn)品，以及完整的系統(tǒng)規(guī)劃。隨著AI改變數(shù)據(jù)中心生態(tài)，讀取方式已經(jīng)不同，必須跟著AI神經(jīng)網(wǎng)路模式運(yùn)作，因此深度學(xué)習(xí)
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江波龍應(yīng)用于AI領(lǐng)域的存儲AQUILA系列企業(yè)級DDR4 RDIMM
- 江波龍應(yīng)用于AI領(lǐng)域的存儲AQUILA系列企業(yè)級DDR4 RDIMM可靠性和穩(wěn)定性達(dá)到數(shù)據(jù)中心級別產(chǎn)品的要求產(chǎn)品優(yōu)勢以JEDEC Raw Card為基礎(chǔ)，經(jīng)過精心優(yōu)化和仿真測算，設(shè)計具有自主知識產(chǎn)權(quán)的電路板，硬件選用具有優(yōu)異高頻性能的材料，以及高耐溫、高可靠性元器件，搭配原廠成熟制程的DDR4 顆粒，產(chǎn)品支持72bit位寬及 ECC 糾錯，可靠性和穩(wěn)定性達(dá)到數(shù)據(jù)中心級別產(chǎn)品的要求其產(chǎn)品具有以下特性：（1）自主研發(fā)PCB 線路板，提升信號質(zhì)量，減小電源噪聲（2）采用耐高溫元器件，保證產(chǎn)品可靠性和穩(wěn)定性（3）
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存儲介紹
存儲
cún chǔ ?。ù娲鎯Γ? 1.把錢或物等積存起來?！肚鍟涫吕舨俊觳亍罚骸皯舨孔嗖繋炜仗?，應(yīng)行存儲款項。”《清會典·戶部倉場衙門·侍郎職掌》：“每年新漕進(jìn)倉，倉場酌量舊存各色米多寡勻派分儲，將某倉存儲某年米色數(shù)目，造冊先期咨部存案?！?魯迅 《書信集·致李小峰》：“《舊時代之死》之作者之家族，現(xiàn)頗窘，幾個友人為之集款存儲，作孩子讀書之用。” 2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細(xì) ]
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