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突破速度上限 五大存儲新品CES展曝光
- 今年CES2010展會規(guī)?？涨?，有950余家廠商參展，并吸引來自140個國家逾2萬多名專業(yè)人士參觀。在歷年在CES上出現(xiàn)的產(chǎn)品甚至一些概念性產(chǎn)品都會迅速的出現(xiàn)在零售市場，今年存儲廠商也推出眾多未推出市場的新品，速度有極大的提高。 在存儲產(chǎn)品方面，上屆CES上一大重要亮點就是推出了USB3.0概念，經(jīng)過將近一年的時間里，已經(jīng)有了很多的采用USB 3.0接口的主板產(chǎn)品，不過與其息息相關的周邊設備還是少之又少，這些設備無疑很大程度上決定了USB3.0的普及速度。 因此本次展會上很多廠商都搶先在C
- 關鍵字： CES 存儲
德專家"算出"有望提高硬盤存儲力和壽命的材料
- 德國萊布尼茨固體與材料研究所17日宣布，他們的一項理論計算結果顯示，六碳環(huán)結構與鈷聚合物有望使硬盤存儲密度增加近千倍，其存儲壽命有可能明顯超過當前磁性記錄存儲技術大約10年的存儲壽命極限。 據(jù)該機構專家介紹，這家研究所和德累斯頓工業(yè)大學的專家通過理論計算發(fā)現(xiàn)，在苯或石墨烯的六碳環(huán)結構中嵌入兩個鈷原子，并讓其中一個鈷原子與碳環(huán)結合后，在施加弱磁場和強電場的情況下，可以實現(xiàn)兩個鈷原子間的磁場切換，從而實現(xiàn)更強大的數(shù)據(jù)存儲功能。 隨著存儲技術的發(fā)展，目前一個太比特(TB)硬盤可存儲一個中型圖書館
- 關鍵字： 硬盤 存儲
DDR2仍未過時，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
- 2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術。 DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時，它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 主要有兩個原因在推動產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 新款英特爾處理器 促進產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
- 關鍵字： DRAM 存儲 DDR3 DDR2
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cún chǔ ?。ù娲鎯Γ? 1.把錢或物等積存起來?！肚鍟涫吕舨俊觳亍罚骸皯舨孔嗖繋炜仗?，應行存儲款項?！薄肚鍟洹舨總}場衙門·侍郎職掌》：“每年新漕進倉，倉場酌量舊存各色米多寡勻派分儲，將某倉存儲某年米色數(shù)目，造冊先期咨部存案?！?魯迅 《書信集·致李小峰》：“《舊時代之死》之作者之家族，現(xiàn)頗窘，幾個友人為之集款存儲，作孩子讀書之用。” 2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細 ]
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